记忆的产生效应支持（）。A多重存储模型B加工水平途径CTuLving（1972）的情节和语义记忆模型D平行分布加工途径

题目
记忆的产生效应支持（）。

A多重存储模型

B加工水平途径

CTuLving（1972）的情节和语义记忆模型

D平行分布加工途径

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4.关于电池的记忆效应，描述正确的是（）A、铅酸蓄电池无记忆效应，锂聚合物电池基本无记忆效应，镍氢电池小记忆效应B、镍镉电池强记忆效应，铅酸蓄电池小记忆效应，干电池不可充电C、锂聚合物电池强记忆效应，镍氢电池小记忆效应，铅酸蓄电池无记忆效应

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  • 第1题：

    形状记忆合金的记忆效应的原理是什么？


    正确答案: 形状记忆合金（SMA.在不同温度下有不同相变过程，在高温状态下为母相奥氏体状态，相变温度范围，当材料冷却到As以下，成为另一种金相组织马氏体，As~Af相变温度范围Mf~Ms，材料因相变而发生变形。如果将材料加热到As以上，将发生从马氏体到奥氏体的相变过程，材料自动恢复到原来的尺寸和形状，相当于有记忆功能。分单向和双向记忆合金。

  • 第2题：

    交联聚乙烯绝缘电缆，在直流电压下会产生“记忆”效应，存储积累单极性残余电荷（）。


    正确答案:正确

  • 第3题：

    二次免疫中能直接产生大量抗体的细胞是（）

    • A、吞噬细胞
    • B、记忆细胞
    • C、效应T细胞
    • D、效应B细胞（浆细胞）

    正确答案:D

  • 第4题：

    支持加工水平说的效应有（）。

    • A、纯粹暴露效应
    • B、产生效应
    • C、自我参照效应
    • D、词优效应

    正确答案:B,C

  • 第5题：

    一个较长的学习材料，它的开头与末尾遗忘较少，而中间部分遗忘较多，这种效应称为（）。

    • A、过度学习效应
    • B、记忆的首因效应
    • C、记忆的系列位置效应
    • D、记忆的近因效应

    正确答案:C

  • 第6题：

    关于T细胞介导的细胞免疫哪项是错误的？（）

    • A、由TD抗原刺激产生
    • B、有多种细胞参与
    • C、能经效应T细胞被动转移
    • D、产生的效应分子其作用均是特异性的
    • E、有免疫记忆

    正确答案:D

  • 第7题：

    在路测中经常会碰到手机记忆效应，对此以下说法正确的是（）

    • A、记忆效应通常是由于小区BCCH频点安排不当引起的
    • B、记忆效应通常是由于小区BSIC安排不当引起的
    • C、记忆效应与手机解读六强邻区的BSIC速度有关
    • D、记忆效应不影响小区切换
    • E、通过调整小区天线方向角或下倾角改善记忆效应

    正确答案:A,C,E

  • 第8题：

    T细胞具有短期保护（效应T细胞）和长期保护（记忆T细胞）的分工：短期保护的T细胞带有“战士”的蛋白分子标记：长期保护的T细胞则有“记忆细胞”的蛋白分子标记。下列叙述中，正确的是（）。

    • A、T细胞在胸腺中成熟，受抗原刺激后可以产生效应T细胞
    • B、T细胞分化产生的效应T细胞能与侵入细胞内的抗原结合.将其杀死
    • C、记忆T细胞再次受到相同抗原刺激后，能够迅速产生大量的抗体
    • D、记忆T细胞能够呈递抗原并激活靶细胞内的溶酶体酶

    正确答案:A

  • 第9题：

    单选题
    再次免疫应答能迅速产生抗体是因为机体内存在（）
    A

    活化的巨噬细胞

    B

    效应T细胞

    C

    ADCC效应细胞

    D

    树突状细胞

    E

    记忆细胞


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    对两种过程记忆理论强有力支持的实验是（）
    A

    系列位置效应的实验

    B

    汉字特征抽取的实验

    C

    插入材料对倒摄抑制影响的实验

    D

    加工层次对记忆影响的实验


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    产生效应支持（）
    A

    多重存储模型

    B

    加工水平途径

    C

    TuLving（1972）的情节和语义记忆模型

    D

    平行分布加工途径


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    给健康婴儿接种卡介苗，目的是使婴幼儿体内产生（）
    A

    效应B细胞

    B

    效应T细胞

    C

    记忆细胞

    D

    抗体


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    再次免疫应答能迅速产生抗体是因为机体内存在（）

    • A、活化的巨噬细胞
    • B、效应T细胞
    • C、ADCC效应细胞
    • D、树突状细胞
    • E、记忆细胞

    正确答案:E

  • 第14题：

    当细菌外毒素再次侵入人体后，主要是体液免疫发挥作用，其“反应阶段”和“效应阶段”的免疫过程分别是（）

    • A、B细胞→效应B细胞、释放免疫活性物质消灭外毒素
    • B、效应B细胞→产生抗体、特异性抗体外毒素结合
    • C、记忆细胞→B细胞、释放免疫活性物质消灭外毒素
    • D、记忆细胞→效应B细胞、产生特异抗体与外毒素结合

    正确答案:D

  • 第15题：

    给健康婴儿接种卡介苗，目的是使婴幼儿体内产生（）

    • A、效应B细胞
    • B、效应T细胞
    • C、记忆细胞
    • D、抗体

    正确答案:C

  • 第16题：

    对两种过程记忆理论强有力支持的实验是（）

    • A、系列位置效应的实验
    • B、汉字特征抽取的实验
    • C、插入材料对倒摄抑制影响的实验
    • D、加工层次对记忆影响的实验

    正确答案:A

  • 第17题：

    关于免疫记忆，下列哪项是错误的？（）

    • A、免疫应答过程中可产生Bm、Tm
    • B、免疫应答的分化阶段，小部分细胞分化为记忆细胞，大部分分化为效应细胞
    • C、记忆细胞表达CD45RA
    • D、记忆细胞表面分子表达有改变
    • E、再次应答可引起比初次免疫更强的抗体产生

    正确答案:C

  • 第18题：

    （）容易受记忆的影响，同时也容易产生“练习效应”。

    • A、再测信度
    • B、复本信度
    • C、折半信度
    • D、评分者信度

    正确答案:A

  • 第19题：

    镍镉（NiCd）电池，可以负荷较大电流，适用快速充电，缺点是电池容易（）。

    • A、产生效应；
    • B、产生回忆效应；
    • C、产生记忆效应；
    • D、产生损坏效应。

    正确答案:C

  • 第20题：

    多选题
    支持加工水平说的效应有（）。
    A

    纯粹暴露效应

    B

    产生效应

    C

    自我参照效应

    D

    词优效应


    正确答案： D,B
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    什么是记忆的产生效应？它是如何通过实验证明的？

    正确答案： 产生效应是指被试在产生条件下的回忆成绩更好。许多实验都观察到这种效应。实验以英文单词为材料，并且使用了两组被试。一组被试完成产生任务，另一组被试完成大声朗读任务。结果发现，产生任务条件下，被试后来的回忆成绩更好，即出现了产生效应。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    自我参照效应支持（）
    A

    双重存储模型

    B

    加工水平途径

    C

    Tulving（1972）的情节和语义记忆模型

    D

    平行分布加工途径


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    记忆的产生效应支持（）。
    A

    多重存储模型

    B

    加工水平途径

    C

    TuLving（1972）的情节和语义记忆模型

    D

    平行分布加工途径


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

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