锗二极管的死区电压约为()伏。A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5

题目
锗二极管的死区电压约为()伏。

A. 0.1

B. 0.7

C. 0.2

D. 0.5

相似考题

1.硅二极管的死区电压约为()伏。A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5

2.4、硅管的死区电压约为 ，导通电压约为 ；锗管的死区电压约为 ，导通电压约为 。

3.在室温27度时，锗二极管的死区电压大约为 V。A．0.1B．0.2C．0.3D．0.5

4.硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。A. 0.2，0.7B. 0.5，0.2C. 0.7， 1.0

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  • 第1题：

    【判断题】硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。

    A．Y.是

    B．N.否


    正确

  • 第2题：

    【填空题】锗二极管的死区电压是


    A

  • 第3题：

    什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？


    当外加电压很低时，由于外加电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，使正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定值后，内电场被大大削弱，电流增加很快，这一定数值的电压称为死区电压。

  • 第4题：

    5、硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。


    C

  • 第5题：

    一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（)。


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