4、硅管的死区电压约为 ，导通电压约为 ；锗管的死区电压约为 ，导通电压约为 。

题目

4、硅管的死区电压约为 ，导通电压约为 ；锗管的死区电压约为 ，导通电压约为 。

相似考题

1.锗二极管的死区电压约为()伏。A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5

2.二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

3.硅晶体管发射结的导通电压约为(),锗晶体管发射结的导通电压约为()。

4.二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

更多“4、硅管的死区电压约为 ，导通电压约为 ；锗管的死区电压约为 ，导通电压约为 。”相关问题

  • 第1题：

    导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。

    • A、0.5V
    • B、0.7V
    • C、0.3V
    • D、0.1V

    正确答案:C

  • 第2题：

    硅二极管的死区电压约为（）。

    • A、0.2
    • B、0.3
    • C、0.5
    • D、0.7

    正确答案:D

  • 第3题：

    硅三极管两端加上正向电压时（）。

    • A、立即导通
    • B、若超过0.3V才导通
    • C、若越过死区电压就导通

    正确答案:C

  • 第4题：

    晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。


    正确答案:伏安；0.7V；0.3V

  • 第5题：

    二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案:当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，电流增大很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。通常，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.5V。

  • 第6题：

    硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。


    正确答案:0.7；0.2

  • 第7题：

    硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第8题：

    在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V

  • 第9题：

    二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。


    正确答案:0.7V；0.3 V

  • 第10题：

    导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。

    • A、0.5V
    • B、0.7V
    • C、0.3V
    • D、0.1V

    正确答案:B

  • 第11题：

    单选题
    锗二极管导通时，它两端电压约为（）。
    A

    1V

    B

    0.7V

    C

    0.3V

    D

    0.5V


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。

    正确答案： 0.5,0.2
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案: 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。

  • 第14题：

    硅管的死区电压约为（）。

    • A、0.8V
    • B、0.9V
    • C、0.7V
    • D、0.6V

    正确答案:C

  • 第15题：

    硅管的导通电压约为0．3V。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。

    • A、0.3
    • B、0.5
    • C、0.7
    • D、0.9

    正确答案:A

  • 第17题：

    硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.5；0.1

  • 第18题：

    晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。


    正确答案:0.6～0.7；0.2～0.3；0.5；0.1

  • 第19题：

    硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。


    正确答案:0.6V；0.2V

  • 第20题：

    二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。


    正确答案:单；0.1；0.5

  • 第21题：

    在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。


    正确答案:0.5V；0.7V；0.1V；0.2V

  • 第22题：

    硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？


    正确答案: 硅二极管的死区电压值约为0.5V。锗二极管的死区电压约为0.2V。

  • 第23题：

    单选题
    硅三极管两端加上正向电压时（）。
    A

    立即导通

    B

    若超过0.3V才导通

    C

    若越过死区电压就导通


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    问答题
    二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？

    正确答案： 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。
    解析： 暂无解析

相关内容