场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0

第1题：

引起MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而增大的原因是（）和漏区静电场对沟道的反馈作用。

第2题：

32、假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。

第3题：

5、7. 下面关于JFET的描述，错误的是_________。

A．沟道夹断前，iD与vDS呈近似线性关系

B．沟道夹断前，iD主要受vGS影响

C．沟道夹断后，vDS增大，夹断长度增加

D．沟道夹断后，iD趋于饱和

第4题：

1、MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。

A．基区宽度调变效应

B．漏区静电场对沟道的反馈

C．有效沟道调制效应

D．阈电压的短沟道效应

第5题：

16、引起MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而增大的原因是（）和漏区静电场对沟道的反馈作用。