9、VDS增大引起的沟道长度调制效应A．必出现在饱和区B．表现为源极与夹断点之间的长度变短C．对沟道内电流iD有控制作用，使得其略有增大D．必出现在变阻区E．表现为源极与夹断点之间的长度变长F．对沟道内电流iD有控制作用，使得其略减小

题目

9、VDS增大引起的沟道长度调制效应

A．必出现在饱和区

B．表现为源极与夹断点之间的长度变短

C．对沟道内电流iD有控制作用，使得其略有增大

D．必出现在变阻区

E．表现为源极与夹断点之间的长度变长

F．对沟道内电流iD有控制作用，使得其略减小

相似考题

1.克尔效应也称作折射率效应，在理论上，克尔效应能够引起下面不同的非线性效应，即（）。A.自相位调制B.交叉相位调制C.四波混频D.六波混频

2.场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道

3.功率场效应晶体管一般为()。A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型

4.场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0

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  • 第1题：

    功率场效应晶体管一般为()。

    A、N沟道耗尽型

    B、N沟道增强型

    C、P沟道耗尽型

    D、P沟道增强型


    正确答案:B

  • 第2题：

    什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？


    正确答案: 沟道效应：对晶体靶进行离子注入，当离子速度方向平行于主晶轴时，将很少受到核碰撞，离子将沿沟道运动，注入深度很深。由于沟道效应，使注入离子浓度的分布产生很长的拖尾，对于轻原子注入到重原子靶时，拖尾效应尤其明显。解决办法：A.偏离轴注入，采用7°的倾斜角，但并不能完全消除沟道效应。B.注入前破坏晶格结构，使用Si、F或Ar离子注入完成硅的预非晶化。C.使用薄的屏蔽氧化层，使离子进入晶体前的速度方向无序化，但会将部分氧注入晶体。（1）偏轴注入：一般选取5～7倾角，入射能量越小，所需倾角越大（2）衬底非晶化预处理：进行一次高剂量Ar+注入，使硅表面非晶化（3）非晶层散射：表面生长200～250Å二氧化硅（ScreenOxidE.，使入射离子进入硅晶体前方向无序化（4）注入杂质的自非晶化效应：重杂质（As），高剂量注入。

  • 第3题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第4题：

    结型场效应管的基本工作原理是（）

    • A、改变导电沟道中的载流子浓度
    • B、改变导电沟道中的横截面积
    • C、改变导电沟道中的有效长度
    • D、改变导电沟道中的体积

    正确答案:B

  • 第5题：

    当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。


    正确答案:耗尽；增强

  • 第6题：

    更具结构不同，场效应管分为（）

    • A、N沟道和P沟道场效应管
    • B、NPN和PNP型场效应
    • C、MOS管和MNS管
    • D、结构和绝缘栅场效应管

    正确答案:D

  • 第7题：

    填空题
    阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。

    正确答案： 减小
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    什么是短沟道效应？有哪些设计和工艺措施可以降低短沟道效应？

    正确答案： 短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重的程度，或者沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应。对单晶材料的轴沟道和面沟道，由于散射截面小，注入离子可以获得很深的穿透深度，称为沟道效应。
    方法：离子束在注入硅片时必须偏离沟道方向约7°。通常，这种偏转是用倾斜硅片来实现。除了转动靶片，还可以用事先生长氧化层或用Si、F等离子预非晶化的方法来消除沟道效应。对大直径Si片，还用增大倾斜角的方法来保证中心和边缘都能满足大于临界角。
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    单选题
    结型场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？

    正确答案： 沟道效应：单晶硅原子为长程有序排列，当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应，使预期的设计范围（如掺杂深度和浓度）大大扩展。
    方法：
    1、倾斜硅片；
    2、掩蔽氧化层；
    3、预非晶化。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    名词解释题
    沟道电导调制

    正确答案： 沟道电导随栅源电压改变的过程。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    名词解释题
    沟道电导调制效应

    正确答案： 沟道电导随栅极电压的变化过程。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案：AB

  • 第14题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第15题：

    场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈（）关系。


    正确答案:平方率

  • 第16题：

    克尔效应也称作折射率效应，在理论上，克尔效应能够引起下面不同的非线性效应，即（）。

    • A、自相位调制
    • B、交叉相位调制
    • C、四波混频
    • D、六波混频

    正确答案:A,B,C

  • 第17题：

    当场效应管被预夹断后，ID将随VDS的增大而（）

    • A、增大
    • B、减小
    • C、不变
    • D、略微增大

    正确答案:D

  • 第18题：

    单选题
    绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
    A

    P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

    B

    增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

    C

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

    D

    N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。

    正确答案： 当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应。
    三种机制：
    1.倾斜硅片：它把硅片相对于离子束运动方向倾斜一个角度，保证了杂质离子进入硅中很短距离内就会发生碰撞。
    2.掩蔽氧化层：注入前在硅片表面生长或淀积一薄层氧化层，并在注入之后去除。注入离子通过这样一层非晶氧化层后进入硅片，它们的方向将是随机的，因此可以减小沟道效应。
    3.预非晶化：用电不活泼粒子，使单晶硅预非晶化，在注入前进行，用以损坏硅表面一薄层的单晶结构。随后的离子将注入非晶结构的硅，产生很小的沟道效应。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？

    正确答案： MOS晶体管存在速度饱和效应。器件工作时，当漏源电压增大时，实际的反型层沟道长度逐渐减小，即沟道长度是漏源电压的函数，这一效应称为“沟道长度调制效应”。
    影响：当漏源电压增加时，速度饱和点在从漏端向源端移动，使得漏源电流随漏源电压增加而增加，即饱和区D和S之间电流源非理想。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

    正确答案： 晶体管开通后，其漏源电流随着漏源电压而变化。当漏源电压很小时，随着漏源电压的值的增大，沟道内电场强度增加，电流随之增大，呈现非饱和特性；而当漏源电压超过一定值时，由于载流子速度饱和（短沟道）或者沟道夹断（长沟道），其漏源电流基本不随漏源电压发生变化，产生饱和特性。
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    名词解释题
    沟道效应

    正确答案： 离子沿沟道前进，核阻挡作用小，因而射程比非晶靶远得多，这种现象叫沟道效应。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    名词解释题
    沟道长度调制效应

    正确答案： 当MOSFET进入饱和区时有效沟道长度随漏源电压的变化而变化，从而漏电流略有增加。
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。

    正确答案： 增大,减小,增大,增大
    解析： 暂无解析

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