25、MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。A．基区宽度调变效应B．漏区静电场对沟道的反馈C．有效沟道调制效应D．阈电压的短沟道效应

题目

25、MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。

A．基区宽度调变效应

B．漏区静电场对沟道的反馈

C．有效沟道调制效应

D．阈电压的短沟道效应

相似考题

1.场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD( )。A.很大B.随VDS变化C.较小D.等于0

2.A.截止区IB≤0，饱和区IC不随，IB的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化 B.截止区IB≈0，饱和区IC随IB的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化 C.截止区IB≤0，饱和区IB随IC的增大或减小而变化，放大区IC随IB的控制而变化 D.截止区IB≤0，饱和区IC随IB的增大或减小而变化，放大区IB随IC的控制而变化

3.静态工作点稳定的放大回路中，当温度升高时，集电极静态（），造成静态工作点上移，靠近饱和区，容易引起饱和失真。A、电流降低B、电压降低C、电流增大D、电压增大

4.功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压

更多“25、MOSFET的饱和区漏极电流ID 随 VDS 的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。”相关问题

  • 第1题：

    在晶体二极管的反向截止区、反向电流随反向电压的增大而迅速增大。（）


    正确答案:错误

  • 第2题：

    饱和蒸汽溶解携带的特点是（）。

    • A、有选择性
    • B、随锅炉压力增大而减小
    • C、随锅炉压力增大而增大
    • D、饱和蒸汽不能溶解盐类

    正确答案:A,C

  • 第3题：

    晶体三极管的电流放大系数随温度升高而增大。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    光敏三极管的主要特点是（）

    • A、集电极与发射极间阻抗随光照强度增大而降低
    • B、集电极与发射极间电流随光照强度增大而降低
    • C、集电极与发射极间电压随光照强度增大而增加
    • D、集电极与发射极间阻抗随光照强度增大而增加

    正确答案:A

  • 第5题：

    场效应管的漏极电流ID从1A增加到3A，它的跨导将（）。

    • A、增大
    • B、减小
    • C、不变

    正确答案:A

  • 第6题：

    场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。


    正确答案:平方

  • 第7题：

    当场效应管被预夹断后，ID将随VDS的增大而（）

    • A、增大
    • B、减小
    • C、不变
    • D、略微增大

    正确答案:D

  • 第8题：

    电焊变压器的输出电压随负载电流的增大而略有增大


    正确答案:错误

  • 第9题：

    为什么饱和压力随饱和温度的升高而增大？


    正确答案: 因为温度越高，分子的平均动能越大，能从水中逸出的分子越多，因而使得汽侧分子密度增大。
    同时因为温度升高，蒸汽分子的平均运动速度也随着增加，这样就使得蒸汽分子对器壁的碰撞增强，结果使得压力增大。因此，饱和压力随饱和温度的升高而增大。

  • 第10题：

    单选题
    PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而（　）。
    A

    减小 

    B

    增大 

    C

    趋于饱和 

    D

    趋于截止


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    多选题
    功率MOSFET的极限参数指的是（）。
    A

    最大漏极电流

    B

    最小漏极电流

    C

    最大许用漏-源电压

    D

    最小许用漏-源电压


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

    正确答案： 大,衬底,严重
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    PIN光电二极管的响应度随入射光波长的增大而（　）。

    • A、减小 
    • B、增大 
    • C、趋于饱和 
    • D、趋于截止

    正确答案:B

  • 第14题：

    饱和蒸汽对硅酸的溶解携带量与饱和蒸汽的压力之间的关系为（）

    • A、无关
    • B、随压力增大而增大
    • C、随压力增大而减小
    • D、不确定

    正确答案:B

  • 第15题：

    电容滤波电路输出电压叽随输出电流Id增加而（），而且脉动加大。 

    • A、增大
    • B、一样
    • C、减小

    正确答案:C

  • 第16题：

    场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈（）关系。


    正确答案:平方率

  • 第17题：

    硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（）。

    • A、减小
    • B、基本不变
    • C、增大

    正确答案:B

  • 第18题：

    JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。


    正确答案:导电沟道；感生电荷

  • 第19题：

    当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。

    • A、增大 
    • B、不变
    • C、减小

    正确答案:B

  • 第20题：

    晶闸管具有阳极电流随控制极电流增大而按比例增大的特性。


    正确答案:错误

  • 第21题：

    填空题
    在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

    正确答案： 沟道夹断,载流子漂移速度的饱和
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    对于处于饱和区的MOS晶体管，漏源电流随其宽长比的增大而增大。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    三极管工作于饱和状态时，它的集电极电流将（）。
    A

    随基极电流的增大而增大

    B

    随基极电流的增大而减小

    C

    与基极电流变化无关

    D

    以上都不对


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    单选题
    电容滤波电路输出电压叽随输出电流Id增加而（），而且脉动加大。
    A

    增大

    B

    一样

    C

    减小


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

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