在MOS管保存和焊接时的注意事项是();A.在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使三个电极短接。B.在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使栅源两极短接。C.在保存及焊接时，要在栅漏之间保持直流通路，最好使栅漏两极短接。

题目
在MOS管保存和焊接时的注意事项是();

A.在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使三个电极短接。

B.在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使栅源两极短接。

C.在保存及焊接时，要在栅漏之间保持直流通路，最好使栅漏两极短接。

相似考题

1.vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管

2.一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载

3.MOS集成电路焊接时所用电烙铁的金属外壳要进行可靠的接地。

4.结型场效应管的类型有()。A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

参考答案和解析
参考答案：A
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  • 第1题：

    单极型集成电路不包含（）.

    • A、普通晶体管（NPN管或PNP管）
    • B、P沟道MOS管
    • C、N沟道MOS管
    • D、互补型MOS（即CMOS）

    正确答案:A

  • 第2题：

    在MOS管保存和焊接时的注意事项是（）；

    • A、在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使三个电极短接。
    • B、在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使栅源两极短接。
    • C、在保存及焊接时，要在栅漏之间保持直流通路，最好使栅漏两极短接。

    正确答案:A

  • 第3题：

    在容器内焊接时安全注意事项？


    正确答案: 应保持良好的通风，照明电压不大于12伏，容器内有油漆等易燃材料时严禁焊接。

  • 第4题：

    一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。


    正确答案:错误

  • 第5题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第6题：

    在检测MOS场效应管时，应注意防止人体感应电压击穿元件。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、N沟道结型管
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、P沟道结型管

    正确答案:B

  • 第8题：

    UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。

    • A、结型管  
    • B、增强型MOS管  
    • C、耗尽型MOS管

    正确答案:A

  • 第9题：

    当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第10题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第11题：

    判断题
    IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（）。
    A

    不确定

    B

    0

    C

    1

    D

    可能为0，也可能为1


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    晶体三极管和MOS管是同一个器件


    正确答案:错误

  • 第14题：

    在某个项目发现用鼎立软件测试的语音MOS值结果较差，从测试角度需要关注哪些注意事项？


    正确答案: A、连接MOS测试后，是否有调整过电脑声音，一般不要调整电脑声音，软件会自动调整；在电脑的“声音属性”中可以看到两个声卡设备：一个是电脑自带的，一个是mos设备。千万不要静音。
    B、在pioneer软件工具栏上点击“设置”-“选项”-“mos设置”中对应手机型号的音量调为65，65，100；
    C、查看设备连接是否异常，在“设备管理器-声音、视频和游戏控制器”中能否看到USB设备；
    D、网络异常，包括单通、双不通、严重声音差等等，具体做法是拔下手机的耳机，听声音是否很差

  • 第15题：

    掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1，如果对应的某存储单元位没有连接MOS管，则该位信息为（）。 

    • A、不确定
    • B、0
    • C、1
    • D、可能为0，也可能为1

    正确答案:C

  • 第16题：

    焊接点区域加温时，一般元器件的焊接时间为3秒，场效应管、MOS等电路等控制在（），接线柱、插头、插座、钮子开关、波段开关、焊片等可控制在3–5秒。

    • A、1秒内
    • B、2秒内
    • C、3秒内
    • D、4秒内

    正确答案:B

  • 第17题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第18题：

    集成MOS逻辑门电路保存时一般应将各脚短接。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。


    正确答案:错误

  • 第20题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第21题：

    IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。


    正确答案:正确

  • 第22题：

    多选题
    关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）
    A

    高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。

    B

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。

    C

    高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。

    D

    高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    在MOS管保存和焊接时的注意事项是（）；
    A

    在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使三个电极短接。

    B

    在保存及焊接时，要在栅源之间保持直流通路，最好使栅源两极短接。

    C

    在保存及焊接时，要在栅漏之间保持直流通路，最好使栅漏两极短接。


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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