三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

题目
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。

相似考题

1.在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。A.0.3VB.0.1VC.0.2VD.0.5V

2.4、硅管的死区电压约为 ，导通电压约为 ；锗管的死区电压约为 ，导通电压约为 。

3.对于硅三极管，死区电压约为　　　，对于锗三极管，死区电压约为　　　　　　。A．0.1V；0.5VB．0.5V；0.1VC．0.7V；0.5VD．0.5V；0.2V

4.下列有关硅二极管的说法，正确的是 。A．死区电压为0.1V，正向导通电压为0.3 VB．死区电压为0.3 V，正向导通电压为0.5 VC．死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 VD．死区电压为0.7 V，正向导通电压为0.9 V

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  • 第1题：

    硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。


    错误

  • 第2题：

    1、下列有关硅二极管的说法，正确的是 。

    A．死区电压为0.1V，正向导通电压为0.3 V

    B．死区电压为0.3 V，正向导通电压为0.5 V

    C．死区电压为0.5 V，正向导通电压为0.7 V

    D．死区电压为0.7 V，正向导通电压为0.9 V


     死区电压为0.5V，正向导通电压为0.7V

  • 第3题：

    3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。


    错误

  • 第4题：

    5、硅管的死区电压约为0.5，导通电压约为0.7；锗管的死区电压约为0.2，导通电压约为0.3。


    C

  • 第5题：

    什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？


    当外加电压很低时，由于外加电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，使正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定值后，内电场被大大削弱，电流增加很快，这一定数值的电压称为死区电压。

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