硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。

题目
硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。

相似考题

1.设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。A． VT1饱和，VT2饱和B． VT1截止，VT2饱和C． VT1截止，VT2放大D． VT1放大，VT2放大

2.2、NPN型晶体管饱和导通后，晶体管的输出电压等于（）。A．0.3VB．0.5VC．0.7VD．电源电压

3.某晶体管的三个电极电位分别为+2.1V，+1.4V，+1.6V，则该晶体管是（)。A．工作在放大区的NPN硅管B．工作在饱和区的NPN硅管C．工作在截止区的NPN硅管D．工作在饱和区的PNP锗管

4.硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。

参考答案和解析
参考答案：0.3V 0.1V
更多“硅晶体管的饱和电压降为(),锗晶体管的饱和电压降为()。 ”相关问题

  • 第1题：

    2、NPN型硅晶体管工作于饱和状态时，集射之间的电压近似等于 。

    A．0.5V

    B．0.7V

    C．0.2V

    D．0.3V


    C

  • 第2题：

    NPN型硅晶体管工作于饱和状态时，集射之间的电压近似等于 。

    A．0.5V

    B．0.7V

    C．0.2V

    D．0.3V


    C

  • 第3题：

    3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。


    错误

  • 第4题：

    测量某硅晶体管各电极对地的电压值为：VC=6V，VB=2V，VE=1.3V。则管子工作在饱和区


    放大区

  • 第5题：

    某晶体管工作在放大状态，测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.3V，则该管为 （）。

    A．NPN型硅管

    B．NPN型锗管

    C．PNP型硅管

    D．PNP型锗管


    发射结正偏、集电结反偏

相关内容