第1题:
A、饱和
B、正常放大
C、截止
第2题:
A.此晶体管为硅管
B.- 0.7V为发射极
C.-1V为基极
D.此晶体管为PNP管
第3题:
二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。
第4题:
二极管导通时,正向压降为0.7V。
第5题:
锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。
第6题:
锗二极管的正向压降通常为()。
第7题:
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()V和()V。
第8题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
第9题:
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。
第10题:
NPN晶体管处于截止状态的条件是()。
第11题:
晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为(),锗管约为0.3V。
第12题:
第13题:
此题为判断题(对,错)。
第14题:
第15题:
二极管处于导通状态时,二极管的压降()。
第16题:
晶体管工作在放大状态时,发射结反偏,对于硅管约为0.7v,锗管约为0.3v。
第17题:
晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。
第18题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
第19题:
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
第20题:
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
第21题:
晶体管的PN结的正向压降为()。
第22题:
常温下,硅二极管的正向导通压降为()。
第23题:
锗管为0.3V左右
锗管为0.7V左右
硅管为0.3V左右
硅管为0.7V左右