单选题可关断晶闸管的英语缩写是（）。A “IGBT”B “BJT”C “GTO”D “MOSFET”
题目
单选题
可关断晶闸管的英语缩写是（）。
A
“IGBT”
B
“BJT”
C
“GTO”
D
“MOSFET”
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第1题：
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
正确答案: IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。 -
第2题：
可关断晶闸管GTO的门极电路由（）组成。
- A、门极开通电路
- B、门极关断电路
- C、门极反偏电路
- D、RCD吸收电路
正确答案:A,B,C -
第3题：
绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。
- A、“IGBT”
- B、“BJT”
- C、“GTO”
- D、“MOSFET”
正确答案:A -
第4题：
可关断晶闸管简称为（）。
- A、GTO
- B、GTR
- C、P－MOSFET
- D、IGBT
正确答案:A -
第5题：
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。
- A、GTR驱动的MOSFET
- B、MOSFET驱动的GTR
- C、MOSFET驱动的晶闸管
- D、MOSFET驱动的GTO
正确答案:B -
第6题：
试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
正确答案:Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。 -
第7题：
门极关断晶闸管（GTO）与普通晶闸管相似，但结构上把阴极宽度减薄并采用台式结构，因而通过在门极加反压就能关断，但是GTO晶闸管还存在哪些问题？
正确答案:（1）关断门极电流大
（2）Du/dt能力差，需缓冲电路
（3）通态电压高（导致器件冷却困难） -
第8题：
问答题门极关断晶闸管（GTO）与普通晶闸管相似，但结构上把阴极宽度减薄并采用台式结构，因而通过在门极加反压就能关断，但是GTO晶闸管还存在哪些问题？正确答案： （1）关断门极电流大
（2）Du/dt能力差，需缓冲电路
（3）通态电压高（导致器件冷却困难）解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？正确答案： IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。正确答案： Power MOSFET为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间很短。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。正确答案： 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题门极关断晶闸管GTO工作频率不高，关断控制容易失败。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第13题：
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
电力晶体管GTR：
（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
门极可关断晶闸管GTO：
（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
电力场效应管MOSFET：
（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
（2）缺点：电流容量小、耐压低。 -
第14题：
门极关断晶闸管GTO工作频率不高，关断控制容易失败。
正确答案:正确 -
第15题：
MOS场效应管的英语缩写是（）。
- A、“IGBT”
- B、“BJT”
- C、“GTO”
- D、“MOSFET”
正确答案:D -
第16题：
在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
正确答案:MOSFET；GTO；IGBT -
第17题：
可关断晶闸管的文字符号是（）
- A、GTO
- B、GTR
- C、P-MOSFET
- D、IGBT
正确答案:A -
第18题：
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
正确答案:门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。 -
第19题：
填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。正确答案： MOSFET,GTO,IGBT解析： 暂无解析 -
第20题：
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。正确答案： GTO解析： 暂无解析 -
第21题：
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。AGTO和GTR；
BTRIAC和IGBT；
CMOSFET和IGBT；
DSCR和MOSFET；
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A“IGBT”
B“BJT”
C“GTO”
D“MOSFET”
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第23题：
单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A“IGBT”
B“BJT”
C“GTO”
D“MOSFET”
正确答案： C解析： 暂无解析