问答题晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆的尺寸是多少？
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晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆的尺寸是多少？
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第1题：
度量是对图形进行测算，获得图形的尺寸数值。选中圆，可以度量（）
- A、面积
- B、周长
- C、半径
- D、以上三个都可以
正确答案:D -
第2题：
焊缝的粒状晶，相当于母材晶粒外延生长。所以，焊缝母材某些晶粒的尺寸可能等于焊缝粒状晶的尺寸。
正确答案:正确 -
第3题：
钢丝缆的尺寸以其截面（）的直径表示，单位（）。
- A、外接圆/mm
- B、内接圆/mm
正确答案:A -
第4题：
一轴晶光率体的圆切面（）。
- A、垂直No
- B、垂直Ne
- C、垂直Ne’
- D、垂直No’
正确答案:B -
第5题：
填空题晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。正确答案： 去掉两端,径向研磨,硅片定位边和定位槽解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题什么是晶圆？晶圆的材料是什么？正确答案： 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，材料是硅解析： 暂无解析 -
第7题：
单选题集成电路的主要制造流程是（）A硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
B硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
C晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
D硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题一套掩模一般只能生产多少个晶圆？正确答案： 1000个晶圆解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题在晶圆或在芯片测试需要什么条件？正确答案： 在测试台上测试解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题在晶圆上（On-wafer）或在芯片上（On-Chip）测试有什么优点？正确答案： 对于处于研究阶段的芯片，特别是模拟集成电路和模/数混合信号集成电路非常有效，可以大大节省时间解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。正确答案： 100,110,111解析： 暂无解析 -
第12题：
名词解释题MPW多项目晶圆正确答案： 是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，单次制造费用由所有参加MPW的项目按照芯片面积分摊，减小产品开发风险，降低集成电路设计人才培养和中小型集成电路设计企业起步的门槛。解析： 暂无解析 -
第13题：
阶级圆棒长度之度量，如长度公差为±0.02公厘，选光标卡尺较易度量其正确尺寸。
正确答案:错误 -
第14题：
集成电路的主要制造流程是（）
- A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
- B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
- C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
- D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
正确答案:A -
第15题：
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
- A、选择性
- B、均匀性
- C、轮廓
- D、刻蚀图案
正确答案:B -
第16题：
二轴晶光率体只有垂直光轴面方向的光率体切面是圆的。（）
正确答案:正确 -
第17题：
填空题晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。正确答案： wafer,硅,锗解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题什么叫多项目晶圆（MPW）？MPW英文全拼是什么？正确答案： 将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，完成后每个设计可以得到数十片芯片样Multi-Project-Wafer解析： 暂无解析 -
第19题：
填空题低级晶族晶体属于二轴晶，二轴晶光率体是一个（）。它有三个相互垂直的主轴，其长短分别代表（）三个折射率，包含两个主轴的切面称为（），在二轴晶光率体上有三个这样的切面，分别为NgNm面、NgNp面、NmNp面。在二轴晶光率体上也可以找到两个圆切面，垂直圆切面中心的直线称为光学法线，平行此直线入射的光不产生双折射，包含上述二直线的切面称为光轴面。正确答案： 三轴不等的椭球体,大中小,主轴面解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。正确答案： Wafer。
（1）单晶硅生长：晶体生长是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称为硅锭。可用CZ法或区熔法。
（2）整型。去掉两端，径向研磨，硅片定位边或定位槽。
（3）切片。对200mm及以上硅片而言，一般使用内圆切割机；对300mm硅片来讲都使用线锯。
（4）磨片和倒角。切片完成后，传统上要进行双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦。硅片边缘抛光修整，又叫倒角，可使硅片边缘获得平滑的半径周线。
（5）刻蚀。在刻蚀工艺中，通常要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。
（6）抛光。也叫化学机械平坦化（CMP），它的目标是高平整度的光滑表面。抛光分为单面抛光和双面抛光。
（7）清洗。半导体硅片必须被清洗使得在发给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态。
（8）硅片评估。
（9）包装。解析： 暂无解析 -
第21题：
填空题晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。正确答案： 单晶生长,切片,抛光解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题熔体析晶遵循形核－长大机理，I、U曲线峰值大小及位置直接影响析晶过程及制品性质，当I－U重叠面积大且过冷度大时，容易得到（）。A不能析晶，得到玻璃
B晶粒少、尺寸大的粗晶
C晶粒多、尺寸小的细晶
D晶粒多，尺寸大的粗晶
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题简述晶圆的制造步骤正确答案： 1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。
2、切片
3、磨片和倒角
4、刻蚀
5、化学机械抛光解析： 暂无解析