对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？

题目

对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？

相似考题

1.金属在冷态下的塑性变形过程中,由于晶粒滑移产生碎晶和晶格歪扭和畸变,使滑移受阻(),从而变形抗力增大。A、增大B、减小C、不变D、任意

2.实践证明,多晶体金属不论发生滑移、孪晶还是晶间变形,只有切应力达到临界值时才有实现的可能。()此题为判断题(对，错)。

3.滑移是材料在切应力作用下，沿一定的晶面（滑移面）和晶向（滑移方向）进行切变过程。（）

4.实际上滑移是借助于位错的移动来实现的，故晶界处滑移阻力最小。此题为判断题(对，错)。

参考答案和解析
正确答案: 硅片热不均匀的因素三个因素造成硅片的热不均匀问题（硅片边缘温度比中心低）：
圆片边缘接收的热辐射比圆片中心少
圆片边缘的热损失比圆片中心大
气流对圆片边缘的冷却效果比圆片中心好
边缘效应造成的温度梯度通常在几十甚至上百度，不仅导致热处理工艺的不均匀，且可能造成滑移等缺陷和硅片的翘曲。
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  • 第1题：

    晶体在（）作用下，其中一部分沿着一定的晶面和晶向，相对于另一部分发生位移的现象叫滑移。

    • A、切应力
    • B、压应力
    • C、拉应力
    • D、正应力

    正确答案:A

  • 第2题：

    晶体的滑移是晶体中的（）在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的后果。

    • A、空位
    • B、晶界
    • C、间隙原子
    • D、位错

    正确答案:D

  • 第3题：

    滑移只能在（）应力的作用下发生，并在（）晶面和（）晶向上进行。


    正确答案:切；原子排列最紧密；原子排列最紧密

  • 第4题：

    晶体中能够发生滑移的晶向称为（）。


    正确答案:滑移方向

  • 第5题：

    金属晶体在外力作用下，沿一定的晶面和晶向产生相对移动的现象称为（）。

    • A、孪生
    • B、滑移
    • C、屈服

    正确答案:B

  • 第6题：

    集成电路的主要制造流程是（）

    • A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
    • B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
    • C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
    • D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试

    正确答案:A

  • 第7题：

    试述孪晶与滑移的异同，比较它们在塑性变形过程中的作用。


    正确答案:相同点：均是均匀切变，都沿一定得晶面、晶向进行，不改变晶体结构，都是位错运动的结果。
    不同点：
    （1）晶体位向不同。滑移不改变晶体位向；孪生改变晶体位向，形成镜面对称关系。
    （2）位移量不同。滑移位移量较大，大于原子间距的整数倍；孪生位移量较小，小于孪生方向上的原子间距。
    （3）对塑性变形的贡献不同。滑移很大，总变形量大；孪生有限，总变形量小。
    （4）压力大小不同。滑移有一定临界分切应力；孪生所需临界分切应力远高于滑移。
    （5）变性条件不同。一般先发生滑移，滑移困难时发生孪生。
    （6）变性机制不同。滑移是全位错运动的结果，孪生是分位错运动的结果。
    比较滑移与孪生在塑性变形过程中的作用：塑性变形主要通过滑移实现，只有当滑移难以发生时发生孪生，虽然孪生对塑性变形的直接贡献不大，但孪晶的产生改变了晶体的位向，使原处于不利的滑移系换到有利于发生滑移的位置，从而可以激发进一步的滑移和晶体变形。这样，滑移和孪生交替进行，相辅相成，可使晶体获得较大变形量。

  • 第8题：

    金属塑性变形的基本方式是（）。

    • A、滑移
    • B、孪生
    • C、晶界
    • D、亚晶界

    正确答案:A,B

  • 第9题：

    单选题
    塑料形变是材料在切应力作用下，沿一定的切变而产生的滑移（）。
    A

    晶向、晶面

    B

    晶面、晶向

    C

    晶面、晶面


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    实际上滑移是借助于位错的移动来实现的，故晶界处滑移阻力最小。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    集成电路的主要制造流程是（）
    A

    硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试

    B

    硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路

    C

    晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路

    D

    硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    产生滑移的晶向称之为（）
    A

    滑移面

    B

    滑移方向

    C

    滑移带

    D

    滑移线


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    实际金属晶体的塑性变形方式为（）。 

    • A、滑移
    • B、孪晶
    • C、蠕变
    • D、滑移+孪晶

    正确答案:D

  • 第14题：

    沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。

    • A、不会影响成品率
    • B、晶圆缺陷
    • C、成品率损失
    • D、晶圆损失

    正确答案:C

  • 第15题：

    实验证明，多晶体金属不论发生滑移，挛晶还是晶间变形，只有切应力达到临界值时，才有实现的可能。


    正确答案:正确

  • 第16题：

    金属晶体在外力作用下，沿一定的晶面和晶向产生相对移动的现象称为（）

    • A、孪生
    • B、滑移
    • C、屈服
    • D、剪切

    正确答案:B

  • 第17题：

    产生滑移的晶向称之为（）。 

    • A、滑移面
    • B、滑移方向
    • C、滑移带
    • D、滑移线

    正确答案:B

  • 第18题：

    多晶体的塑性变形的主要形式可以简述为（）

    • A、仅滑移变形
    • B、晶内滑移变形和晶间的移动和转动
    • C、整体协调变形

    正确答案:B

  • 第19题：

    塑料形变是材料在切应力作用下，沿一定的切变而产生的滑移（）。

    • A、晶向、晶面
    • B、晶面、晶向
    • C、晶面、晶面

    正确答案:B

  • 第20题：

    单选题
    多晶体的塑性变形的主要形式可以简述为（）
    A

    仅滑移变形

    B

    晶内滑移变形和晶间的移动和转动

    C

    整体协调变形


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    问答题
    什么是晶圆？晶圆的材料是什么？

    正确答案： 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，材料是硅
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    多选题
    金属塑性变形的基本方式是（）。
    A

    滑移

    B

    孪生

    C

    晶界

    D

    亚晶界


    正确答案： B,A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    简述孪晶和滑移的特点？

    正确答案： 相同点：
    ①宏观上，都是切应力作用下发生的剪切变形；
    ②微观上，都是晶体塑性变形的基本形式，是晶体的一部分沿一定晶面和晶向相对另一部分的移动过程；  ③两者都不会改变晶体结构；
    ④从机制上看，都是位错运动结果。
    不同点：
    ①滑移不改变晶体的位相，孪生改变了晶体位向；
    ②滑移是全位错运动的结果，而孪生是不全位错运动的结果；
    ③滑移是不均匀切变过程，而孪生是均匀切变过程；
    ④滑移比较平缓，应力应变曲线较光滑、连续，孪生则呈锯齿状；
    ⑤两者发生的条件不同，孪生所需临界分切应力值远大于滑移，因此只有在滑移受阻情况下晶体才以孪生方式形变。
    ⑥滑移产生的切变较大（取决于晶体的塑性），而孪生切变较小，取决于晶体结构。
    解析： 暂无解析

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