问答题什么是晶圆？晶圆的材料是什么？
题目
问答题
什么是晶圆？晶圆的材料是什么？
相似考题
更多“什么是晶圆？晶圆的材料是什么？”相关问题
-
第1题：
集成电路的主要制造流程是（）
- A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
- B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
- C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
- D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
正确答案:A -
第2题：
晶子学说是什么？
正确答案: 认为玻璃是由无数“晶子”所组成。晶子是具有晶格变形的有序排列区域，分散在无定形介质中，从“晶子”部分到无定形部分是逐步过渡的，两者之间并无明显界线。 -
第3题：
Al-Si类活塞合金多为共晶及过共晶合金的原因是什么？
正确答案:活塞材料要求具有高的热强性和耐磨性，低的线膨胀系数和密度。共晶及过共晶合金铝硅合金中含有大量共晶和初生硅硅，可以保证合金有良好的铸造性能和低的线胀系数，并提高强度、耐磨性、抗蚀性。 -
第4题：
二轴晶光率体只有垂直光轴面方向的光率体切面是圆的。（）
正确答案:正确 -
第5题：
填空题晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。正确答案： wafer,硅,锗解析： 暂无解析 -
第6题：
单选题集成电路的主要制造流程是（）A硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
B硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
C晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
D硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。正确答案： Wafer。
（1）单晶硅生长：晶体生长是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称为硅锭。可用CZ法或区熔法。
（2）整型。去掉两端，径向研磨，硅片定位边或定位槽。
（3）切片。对200mm及以上硅片而言，一般使用内圆切割机；对300mm硅片来讲都使用线锯。
（4）磨片和倒角。切片完成后，传统上要进行双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦。硅片边缘抛光修整，又叫倒角，可使硅片边缘获得平滑的半径周线。
（5）刻蚀。在刻蚀工艺中，通常要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。
（6）抛光。也叫化学机械平坦化（CMP），它的目标是高平整度的光滑表面。抛光分为单面抛光和双面抛光。
（7）清洗。半导体硅片必须被清洗使得在发给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态。
（8）硅片评估。
（9）包装。解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题共晶点和共晶线有什么关系？共晶组织一般是什么形态？如何形成的？正确答案： 共晶点和共晶线的关系：
共晶转变：在一定温度下，由一定成分的液相同时结晶出成分一定的两个固相的转变过程，称为共晶转变或共晶反应。在二元合金中，由相率可知，二元三相平衡时，其自由度为零，即在共晶转变时必然存在一个三相共晶平衡转变水平线，把这条水平相平衡线称作共晶线。把共晶线上对应发生共晶反应的液相合金成分点称为共晶点。
共晶组织的一般形态：
共晶组织的形态很多，按其中两相的分布形态，可以分为层片状、针片状、棒条状、树枝状、球状、螺旋状等。通常，金属-金属型的两相共晶组织大多为层片状或棒条状，金属-非金属性的两相共晶组织表现为针片状树枝状。
共晶组织的形成过程：
和纯金属及固溶体合金的结晶过程一样，共晶转变同样要经过形核和长大的过程。在形核时，生成相中的两相必然一个在先，一个在后，首先形核的相称为领先相。如果领先相是溶质含量比较少的相，则多余的溶质必然要从先结晶的晶体中排出，造成固液界面前沿液相中溶质富集，为另一相的形核创造条件。而另一相在形核长大时必然要排出多余的溶剂原子向固液界面富集，在固液界面前沿形成溶质的贫瘠区，给领先相的形核又创造条件，于是两生成相就这样彼此交替的的形核长大，最终形成共晶组织。反之亦然。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题在晶圆上（On-wafer）或在芯片上（On-Chip）测试有什么优点？正确答案： 对于处于研究阶段的芯片，特别是模拟集成电路和模/数混合信号集成电路非常有效，可以大大节省时间解析： 暂无解析 -
第10题：
填空题从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。正确答案： 100,110,111解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题什么叫共晶反应？铁碳合金共晶反应及产物是什么？正确答案： 一个液相同时转变成两个固相的过程称为共晶反应。
铁碳合金的共晶反应为L→A+Fe3C，其反应产物是莱氏体。解析： 暂无解析 -
第12题：
名词解释题MPW多项目晶圆正确答案： 是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，单次制造费用由所有参加MPW的项目按照芯片面积分摊，减小产品开发风险，降低集成电路设计人才培养和中小型集成电路设计企业起步的门槛。解析： 暂无解析 -
第13题：
准晶材料用于不粘锅涂层和热障膜的原因是什么？
正确答案:原因：主要来自准晶的低表面能性和表面的拓扑形态，高硬度、耐磨损性也有助于不粘性的提高和寿命的延长。另外，准晶所具固有的疏松结构有利于降低热导率。 -
第14题：
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
- A、选择性
- B、均匀性
- C、轮廓
- D、刻蚀图案
正确答案:B -
第15题：
一轴晶光率体的圆切面（）。
- A、垂直No
- B、垂直Ne
- C、垂直Ne’
- D、垂直No’
正确答案:B -
第16题：
填空题晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。正确答案： 去掉两端,径向研磨,硅片定位边和定位槽解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题什么叫多项目晶圆（MPW）？MPW英文全拼是什么？正确答案： 将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆片上流片，完成后每个设计可以得到数十片芯片样Multi-Project-Wafer解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题一套掩模一般只能生产多少个晶圆？正确答案： 1000个晶圆解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题在晶圆或在芯片测试需要什么条件？正确答案： 在测试台上测试解析： 暂无解析 -
第20题：
填空题晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。正确答案： 单晶生长,切片,抛光解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题影响枝晶间距的主要因素是什么？枝晶间距与材料的机械性能有什么关系？正确答案： 影响枝晶间距的主要因素：纯金属的枝晶间距主要决定于晶面处结晶潜热散失条件，而一般单相合金的枝晶间距则还受控于溶质元素在枝晶间的扩散行为。通常采用的有一次枝晶（柱状晶主干）间距d1、和二次分枝间距d2两种。前者是胞状晶和柱状树枝晶的重要参数，后者对柱状树枝晶和等轴枝晶均有重要意义。一次枝晶间距与生长速度R、界面前液相温度梯度GL直接相关，在一定的合金成分及生长条件下，枝晶间距是一定的，R及GL增大均会使一次间距变小。二次臂枝晶间距与冷却速度（温度梯度GL及生长速度R）以及微量变质元素（如稀土）的影响有关。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题准晶材料用于不粘锅涂层和热障膜的原因是什么？正确答案： 原因：主要来自准晶的低表面能性和表面的拓扑形态，高硬度、耐磨损性也有助于不粘性的提高和寿命的延长。另外，准晶所具固有的疏松结构有利于降低热导率。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题简述晶圆的制造步骤正确答案： 1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。
2、切片
3、磨片和倒角
4、刻蚀
5、化学机械抛光解析： 暂无解析