在PC/XT机上的DRAM刷新，每（）时间完成一行刷新。A、0.2μsB、15μsC、1μsD、1/18.2μs

题目

在PC/XT机上的DRAM刷新，每（）时间完成一行刷新。

  • A、0.2μs
  • B、15μs
  • C、1μs
  • D、1/18.2μs
相似考题

1.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：① SRAM比DRAM存储电路简单② SRAM比DRAM成本高③ SRAM比DRAM速度快④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新A．①和②B．②和③C．③和④D．①和④

2.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单Ⅱ．DRAM比SRAM成本高Ⅲ．DRAM比SRAM速度快Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新其中哪两个叙述是错误的?A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

3.下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：Ⅰ．SRAM比DRAM集成度高Ⅱ．SRAM比DRAM成本高Ⅲ．SRAM比DRAM速度快 Ⅳ．SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新其中正确的叙述是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

4.下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是A．Ⅰ和ⅡB．Ⅱ和ⅢC．Ⅲ和ⅣD．Ⅰ和Ⅳ

参考答案和解析
正确答案:B
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  • 第1题：

    下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第2题：

    根据PC系列微机总线标准的兼容性，( )是正确的。

    A．PC/XT 机的插卡可在AT总线(ISA总线)的PC机上使用

    B．PC/AT 机的插卡可在PC/XT 总线的PC机上使用

    C．PC/XT 机的插卡可在MCA 总线的PC 机上使用

    D．PC/AT机的插卡可在MCA总线的PC机上使用


    正确答案：A

  • 第3题：

    DRAM需要刷新的原因是因为DRAM靠（）存储电荷，如果不刷新，会因为漏电而失去存储的信息。


    正确答案:电容

  • 第4题：

    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？


    正确答案: （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs

  • 第5题：

    试述DRAM刷新过程和正常读/写过程的区别。


    正确答案:刷新是以行为单位进行，且刷新过程中不能进行读写操作。

  • 第6题：

    DRAM为什么需要定时刷新？ 


    正确答案:DRAM靠MOS管极间电容存储电荷的有无决定所存信息是0还是1，由于漏电流的存在，它存储的信息不能长时间保存，需要定时重新写入，称为“刷新”。

  • 第7题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述： ①SRAM比DRAM存储电路复杂  ②SRAM比DRAM成本高 ③SRAM比DRAM速度慢  ④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新； 其中正确的是（）。

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:A

  • 第8题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述正确的是（）.①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新

    • A、①和②
    • B、②和③
    • C、③和④
    • D、①和④

    正确答案:B

  • 第9题：

    问答题
    有一个1024K×32位的存储器，由128K×8位的DRAM构成。问：（1）总共需要多少DRAM芯片？（2）采用异步刷新，如果单元刷新间隔不超过8ms，则刷新信号周期是多少？

    正确答案： （1）DRAM芯片容量为128K×8位=128KB
    存储器容量为1024K×32位=1024K×4B=4096KB
    所需芯片数4096KB÷128KB=32片
    （2）对于128K×8位的DRAM片子，选择一行地址进行刷新，取刷新地址A8—A0，则8ms内进行512个周期的刷新。按此周期数，512×4096=128KB，对一行上的4096个存储元同时进行刷新。采用异步刷新方式刷新信号的周期为8ms÷512=15.6μs
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    在PC/XT机上的DRAM刷新，每（）时间完成一行刷新。
    A

    0.2μs

    B

    15μs

    C

    1μs

    D

    1/18.2μs


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    DRAM为什么要刷新，存储系统如何进行刷新？

    正确答案： DRAM以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小，充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失，所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。
    存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址，将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上，刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。
    刷新控制电路设置每次行地址增量，并在一定时间间隔内启动一次刷新操作，就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？

    正确答案： DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中哪两个是正确的?( )。

    Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

    Ⅱ DRAM比SRAM成本高

    Ⅲ DRAM比SRAM速度快

    Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

    A．Ⅰ和Ⅱ

    B．Ⅱ和Ⅲ

    C．Ⅲ和Ⅳ

    D．Ⅰ和Ⅳ


    正确答案：D

  • 第14题：

    动态存储器，DRAM的三种刷新方式是()。

    A.集中刷新
    B.分散刷新
    C.同步刷新
    D.异步式刷新

    答案：A,B,D
    解析：
    ①集中式--正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。特点：存在一段停止读/写操作的死时间，适用于高速存储器②分散式--将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。特点：不存在停止读/写操作的死时间但系统运行速度降低。③异步式--前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

  • 第15题：

    个人网银“账户金当前报价”刷新频率为（）。

    • A、每3秒刷新一次
    • B、每6秒刷新一次
    • C、每10秒刷新一次
    • D、每30秒刷新一次

    正确答案:B

  • 第16题：

    DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？


    正确答案: DRAM采用读出方式进行刷新。因为读出过程中恢复了存储单元的MOS栅极电容电荷，并保持原单元的内容，所以读出过程就是再生过程。
    常用的刷新方式由三种：集中式、分散式、异步式。

  • 第17题：

    存储系统每次给DRAM芯片提供刷新地址，被选中的芯片上所有单元都刷新一遍。


    正确答案:错误

  • 第18题：

    DRAM为什么要刷新，存储系统如何进行刷新？


    正确答案:DRAM以单个MOS管为基本存储单元，以极间电容充放电表示两种逻辑状态。由于极间电容的容量很小，充电电荷自然泄漏会很快导致信息丢失，所以要不断对它进行刷新操作、即读取原内容、放大再写入。
    存储系统的刷新控制电路提供刷新行地址，将存储DRAM芯片中的某一行选中刷新。实际上，刷新控制电路是将刷新行地址同时送达存储系统中所有DRAM芯片，所有DRAM芯片都在同时进行一行的刷新操作。
    刷新控制电路设置每次行地址增量，并在一定时间间隔内启动一次刷新操作，就能够保证所有DRAM芯片的所有存储单元得到及时刷新。

  • 第19题：

    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？


    正确答案:1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs

  • 第20题：

    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？


    正确答案: DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

  • 第21题：

    问答题
    有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，试问： 1）需要多少片DRAM芯片？ 2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ 3）如果采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？

    正确答案： 1）（64K×16）/（16K×1）=（216×24）/（214）=220/214=26=64片
    2）2ms÷128=15.625μs
    3）128×500ns=64μs
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    DRAM存储器为什么要刷新？有几种刷新方式？

    正确答案： DRAM存储元是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫“刷新”。
    ①集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。
    ②分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。
    ③异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    DRAM为什么需要定时刷新？

    正确答案： DRAM靠MOS管极间电容存储电荷的有无决定所存信息是0还是1，由于漏电流的存在，它存储的信息不能长时间保存，需要定时重新写入，称为“刷新”。
    解析： 暂无解析

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