简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
题目
简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
相似考题
参考答案和解析
正确答案:1）第一次光刻有源岛；
2）第二次光刻栅极；
3）第三次光刻n-区和n+区掺杂；
4）第四次光刻p+区掺杂；
5）第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极；
6）第七次光刻金属M3层和第八次光刻过孔
7）第九次光刻像素电极。
技术关键是第三次光刻采用SiNx等材料作为沟道保护层，而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和Los区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷（PH3）通过离子掺杂（或离子注入）掺入磷P，除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域，掺杂浓度为1017~1018cm-3，为轻掺杂的电子导电的n-区。去胶后用栅极做掩膜，再进行磷掺杂。有源岛的Los区域轻掺杂了磷，而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后，形成重掺杂区，掺杂浓度变为1020~1021cm-3。有源岛形成了三种状态，重掺杂的电子导电区n+区、部分轻掺杂的n-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n-区主要用于形成LDD结构的Los区。重掺杂的n+区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。
2）第二次光刻栅极；
3）第三次光刻n-区和n+区掺杂；
4）第四次光刻p+区掺杂；
5）第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极；
6）第七次光刻金属M3层和第八次光刻过孔
7）第九次光刻像素电极。
技术关键是第三次光刻采用SiNx等材料作为沟道保护层，而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和Los区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷（PH3）通过离子掺杂（或离子注入）掺入磷P，除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域，掺杂浓度为1017~1018cm-3，为轻掺杂的电子导电的n-区。去胶后用栅极做掩膜，再进行磷掺杂。有源岛的Los区域轻掺杂了磷，而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后，形成重掺杂区，掺杂浓度变为1020~1021cm-3。有源岛形成了三种状态，重掺杂的电子导电区n+区、部分轻掺杂的n-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n-区主要用于形成LDD结构的Los区。重掺杂的n+区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。
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第1题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
正确答案:1）高迁移率；
2）容易p型和n型掺杂；
3）自对准结构；
4）抗光干扰能力强；
5）抗电磁干扰能力强。 -
第2题：
简述4次光刻的工艺流程。
正确答案:栅极→a-Si：H有源岛、源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极 -
第3题：
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。 -
第4题：
简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用，以及工艺中需要采用的特殊技术？
正确答案:金属Mo薄膜起到光热转换的作用，使薄膜晶化为微晶硅薄膜。晶化后进行金属MO层的光刻形成源漏电极。
制作工艺流程是先进行有源岛位置处的Mo岛和Mo栅线的光刻，再溅射AlNd金属及光刻AlNd栅线。保证了金属线的低电阻率，又可以获得稳定、高结晶度的微晶硅薄膜，还能降低缺陷提高成品率。 -
第5题：
简述滑炒工艺流程及技术关键.
正确答案: 1、工艺流程：
（1）原料初步处理、刀工
（2）码味上浆
（3）滑油
（4）炒制
（5）成菜
2技术关键：
（1）必须将锅洗干净，烧热，并用油滑过。
（2）下料时要掌控油温的变化。
（3）下料后要及时滑散原料，防止脱浆、结团。
（4）滑散的原料要马上出锅，并沥净油。 -
第6题：
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
- A、氮化硅
- B、二氧化硅
- C、光刻胶
- D、多晶硅
正确答案:B -
第7题：
简述光盘制作的光刻。
正确答案: 光刻实际上是将CD-R盘上的数据，记录在玻璃盘上的过程。这种方法是将感光性树脂用于一个经特殊处理的玻璃基片上，以制出一个玻璃主片。光刻过程是把一片涂有光敏电阻的玻璃盘放在旋转平台上进行的。激光源发出的激光束通过激光调制器时受到串行数据的控制。 -
第8题：
简述小麦制粉全过程的工艺流程及关键技术要点。
正确答案: 工艺流程：小麦的生产，首先要将所使用的原料小麦经过清理，调质，混配等准备工作，然后通过研磨，筛理，清粉，打麸，松粉等工序，形成制粉工艺的全过程。
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第9题：
问答题光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？正确答案： 增大了曝光场，可以获得较大的芯片尺寸，一次曝光可以多曝光些芯片，它还具有在整个扫描过程调节聚焦的能力。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述正性光刻和负性光刻的概念？优缺点？正确答案： •正性光刻是把与掩膜版上相同的图形复制到晶圆上。
•负性光刻是把与掩膜版上图形相反的图形复制到晶圆表面。
正性光刻
优点：较高的固有分辨率、较强的抗干法腐蚀能力、抗热处理能力、良好的台阶覆盖
缺点：粘附性差、抗湿法腐蚀能力差、成本高
负性光刻：
优点：对环境因素不灵敏、很高的感光速度、极好的粘附性和腐蚀能力、成本低
缺点：分辨率较低解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述小麦制粉全过程的工艺流程及关键技术要点。正确答案： 工艺流程：小麦的生产，首先要将所使用的原料小麦经过清理，调质，混配等准备工作，然后通过研磨，筛理，清粉，打麸，松粉等工序，形成制粉工艺的全过程。
解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题后光刻时代有那些光刻新技术？正确答案： 浸入式光刻、纳米压印光刻、极紫外光刻（EUV）和无掩模(ML2)一起成为后光刻技术时代的候选技术。解析： 暂无解析 -
第13题：
简述低温多晶硅技术的挑战。
正确答案:1）存在小尺寸效应；
2）关态电流大；
3）低温大面积制作困难；
4）设计和研发成本高。 -
第14题：
简述激光转移技术的工艺流程。
正确答案:1）在载膜基板上先镀一层Mo膜做吸光层。
2）在显示基板上制作了驱动电路的有源矩阵阵列后，最外面曝露的像素电极ITO同时为OLED的阳极。上面先制作像素隔离层。再连续蒸镀空穴注入层、空穴传输层等有机功能层。
3）把载膜基板和显示基板放入真空室，用夹具固定住。
4）抽真空，在真空室内用对位装置将两块基板对准，贴合。贴合后将真空室放大气。
5）将基板移到大气中的激光系统下，放在扫描平台上。用激光系统上的对位装置将激光头与显示基板上的像素精确对位。然后激光头向y方向移动，扫描平台向x方向扫描。
6）激光照射，吸光层吸收热量，导致发光层真空升华到显示基板的像素位置，实现激光转移。
7）一种颜色的发光层转移完成后，取下夹具，移开载膜基板，重复上面的过程。把红、绿、蓝三基色发光层分三次采用激光转移的方法分别转移到显示基板上。
8）三色发光层转移完成后，夹具取下，载膜基板移开后，最后在显示基板上蒸镀电子传输层和阴极。 -
第15题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。
正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点：
1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。 -
第16题：
简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。
正确答案:O2灰化是在4层CVD之后阻挡层i/sSiNx膜的上面进行氧气O2等离子体处理，把表面具有亲水性的i/sSiN薄膜变成疏水性的SiOx薄膜，增强与光刻胶的附着性。 -
第17题：
简述轴承压装关键工序工艺流程？
正确答案: 工艺流程为：轮对、轴承及配件同温→各部尺寸检测→轴承与轴颈、后挡与防尘板座选配→轴承压装→刻打标志板→轴承前盖组装→磨合测试→检测游隙→填写各项记录 -
第18题：
铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
正确答案: 提纯材料：
1.利用定向凝固过程中的杂质分凝现象，使杂质富集在多晶硅锭的两端。
2.在真空中熔化，凝固，原料中杂质在表面挥发。
3.在保护气体或熔体中添加能与杂质反应生成挥发性物质的气体，是杂质中熔硅分离。直熔法工艺流程：装料---加热---熔化---晶体生长---退火---冷却。
直培法描述：硅原材料首先在坩埚中熔化，坩埚周围的加热器保持坩埚上部温度的同时，自坩埚的底部开始逐渐降温，从而使坩埚底部的熔体首先结晶，再通过保持固液界面在同一水平面上并逐渐上升，使得整个熔体结晶为晶锭。采用定向凝固法长晶。影响因素：纯度高，不产生杂质玷污；不与晶体粘连；热膨胀系数小；热导率小；坩埚形状（方形，内壁涂高纯氧化硅/氮化硅） -
第19题：
简述TD-SCDMA采用的哪些关键技术？
正确答案: TDD技术；智能天线；联合检测；上行同步接力切换；功率控制；动态信道分配 -
第20题：
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术。正确答案： 1.极紫外光刻技术（EUV）
2.离子束投影光刻技术（IPL）
3.角度限制投影电子束光刻技术（SCALPEL）
4.X射线光刻技术解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。正确答案： 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。
采用接触式光刻很难得到没有缺陷的超大规模集成电路芯片，所以接触式光刻技术一般只适用于中小规模集成电路。
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙（10~25um），可以大大减小掩膜版的损伤。分辨率较低，一般在2~4微米之间，因此接近式光刻机只能装配在特征尺寸交大的集成电路生产线中。
投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。正确答案： 光刻加工技术就是用光刻加工方法，刻蚀出规定的图形的技术。
光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图形印制在涂有光致抗蚀剂（光刻胶）的
薄膜或基材表面，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。
工艺流程是：涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀及去胶。解析： 暂无解析