简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
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简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
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第1题：
薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）所用的半导体材料中，目前使用最广泛、发展最成熟的是（）。
- A、非晶硅
- B、单晶硅
- C、多晶硅
正确答案:A -
第2题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
正确答案:1）高迁移率；
2）容易p型和n型掺杂；
3）自对准结构；
4）抗光干扰能力强；
5）抗电磁干扰能力强。 -
第3题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。
正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点：
1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。 -
第4题：
简述MOSFET与薄膜晶体管工作原理上的不同。
正确答案:1）关态不同。TFT源和漏极处没有形成pn结，关态电流是源漏之间的泄漏电流，主要是由非晶硅半导体的暗电导率引起的，关态电流大。而MOSFET的关态是pn结的零偏状态或反偏状态，关态电流小。
2）源极和漏极没有正负之分。TFT源极和漏极，正常工作情况下没有正负之分；而MOSFET为保证pn的反向偏置，有严格的源漏电极正负之分。
3）表面导电层状态不同。当栅极加正压达到一定程度时，TFT沟道积累电子形成n型导电沟道。源漏电极之间加上电压，就会有电流在源漏电极之间流动。因此，TFT是n型半导体能形成n型导电沟道，是积累层导电而不是反型层导电。MOSFET是反型层导电，n型衬底形成了p型导电沟道。 -
第5题：
简述氧化物薄膜晶体管的特点。
正确答案:1）可见光的透过率较高，可以制备出完全透明的TFT器件，使得显示器的画面更加清晰明亮。
2）电学特性优越，器件的响应速度、载流子迁移率都非常高。
3）禁带宽度比较大，很好地避免了光照对器件性能的影响。
4）薄膜均匀，为大屏幕化的实现提供可靠的保证。
5）制备温度低，在接近室温的条件下也可以生长出高质量的氧化物TFT薄膜。
6）材料和工艺成本较低，可以在廉价的玻璃或柔性塑料上生长，节约了制作成本。
另外，氧化物材料既可以作为TFT的有源层，又可以作为栅极、源漏电极，还可以通过掺杂等手段控制载流子浓度，很好地控制电学特性。 -
第6题：
以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）
- A、单晶硅
- B、多晶硅
- C、非晶硅
- D、微晶硅
正确答案:A,B,C,D -
第7题：
铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
正确答案: 提纯材料：
1.利用定向凝固过程中的杂质分凝现象，使杂质富集在多晶硅锭的两端。
2.在真空中熔化，凝固，原料中杂质在表面挥发。
3.在保护气体或熔体中添加能与杂质反应生成挥发性物质的气体，是杂质中熔硅分离。直熔法工艺流程：装料---加热---熔化---晶体生长---退火---冷却。
直培法描述：硅原材料首先在坩埚中熔化，坩埚周围的加热器保持坩埚上部温度的同时，自坩埚的底部开始逐渐降温，从而使坩埚底部的熔体首先结晶，再通过保持固液界面在同一水平面上并逐渐上升，使得整个熔体结晶为晶锭。采用定向凝固法长晶。影响因素：纯度高，不产生杂质玷污；不与晶体粘连；热膨胀系数小；热导率小；坩埚形状（方形，内壁涂高纯氧化硅/氮化硅） -
第8题：
目前常用的太阳能光伏电池有：（）、多晶硅电池、非晶硅电池、非硅材料光伏电池、有机光伏电池等等。
正确答案:单晶硅电池 -
第9题：
单选题目前大多数集成电路生产中，所采用的基本材料为（）。A非晶硅
B单晶硅
C多晶硅
D硫化镉
正确答案： C解析： 暂无解析 -
第10题：
单选题以下所列物质中哪种不是目前薄膜晶体管液晶显示器面板的TFT的半导体材料：（）。A非晶硅（a-Si）
B低温多晶硅（LTPS）
C金属氧化物（Oxide）
D单晶硅（Si）
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第11题：
多选题用于太阳能电池的半导体材料有（）A单晶硅
B多晶硅
C非晶硅
D微晶硅
正确答案： A,D解析： 暂无解析 -
第12题：
多选题DSA非晶硅平板探测器的构成。（）A碘化铯构成的闪烁体层
BCCD层
C信号读出电路
D石英玻璃衬体
E非晶硅薄膜晶体管阵列层
正确答案： C,B解析： 非晶硅平板探测器由碘化铯构成的闪烁体层、非晶硅阵列层、信号读出电路和石英玻璃衬体等部分组成，是一种三层结构：表面一层为碘化铯闪烁体材料，其中碘化铯光柱达20μm，由连续排列的针状碘化铯晶体构成，针柱的直径约6μm，外表面由重元素铊包裹以形成可见光波导减少漫射；第二层是以非晶硅为材料的光电二极管电路；最底层为TFT（大面积薄膜晶体管阵列）电荷信号读出电路（即电荷收集阵列电路）。当然还有起支持作用的玻璃层。 -
第13题：
简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。 -
第14题：
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。 -
第15题：
简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。
正确答案:当栅极上不加电压或加负电压时，在源到漏之间沟道没有形成，TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大，在绝缘层与a-Si：H层的界面附近，非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累，形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。 -
第16题：
简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用，以及工艺中需要采用的特殊技术？
正确答案:金属Mo薄膜起到光热转换的作用，使薄膜晶化为微晶硅薄膜。晶化后进行金属MO层的光刻形成源漏电极。
制作工艺流程是先进行有源岛位置处的Mo岛和Mo栅线的光刻，再溅射AlNd金属及光刻AlNd栅线。保证了金属线的低电阻率，又可以获得稳定、高结晶度的微晶硅薄膜，还能降低缺陷提高成品率。 -
第17题：
简述有机薄膜晶体管的特点。
正确答案:1）有源层材料广泛；
2）成本低；
3）工艺简单；
4）可以实现柔性显示。 -
第18题：
目前大多数集成电路生产中，所采用的基本材料为（）。
- A、非晶硅
- B、单晶硅
- C、多晶硅
- D、硫化镉
正确答案:B -
第19题：
关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（）
- A、在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
- B、非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
- C、多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
- D、与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应（S-W效应），但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
正确答案:C -
第20题：
可采用二氧化硅和碳作为原材料，在大型电弧炉中进行冶炼获得的硅材料是（）
- A、单晶硅
- B、多晶硅
- C、冶金级硅
- D、非晶硅
正确答案:C -
第21题：
多选题以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）A单晶硅
B多晶硅
C非晶硅
D微晶硅
正确答案： C,D解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题集点矩阵层中包含的TFT是（ ）。A薄膜晶体管
B发光晶体管
C非晶硒
D非晶硅
E氢化非晶硅
正确答案： E解析：
集点矩阵层中包含TFT（thin film transistor，薄膜晶体管）、储能电容。 -
第23题：
单选题半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A①②④
B①②③④
C②③④
D③④
正确答案： B解析： 暂无解析