简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用，以及工艺中需要采用的特殊技术？

题目

简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用，以及工艺中需要采用的特殊技术？

相似考题

1.简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。

2.用于太阳能电池的半导体材料有（）A、单晶硅B、多晶硅C、非晶硅D、微晶硅

3.薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）所用的半导体材料中，目前使用最广泛、发展最成熟的是（）。A、非晶硅B、单晶硅C、多晶硅

4.简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

参考答案和解析
正确答案:金属Mo薄膜起到光热转换的作用，使薄膜晶化为微晶硅薄膜。晶化后进行金属MO层的光刻形成源漏电极。
制作工艺流程是先进行有源岛位置处的Mo岛和Mo栅线的光刻，再溅射AlNd金属及光刻AlNd栅线。保证了金属线的低电阻率，又可以获得稳定、高结晶度的微晶硅薄膜，还能降低缺陷提高成品率。
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  • 第1题：

    简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。


    正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
    2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
    3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
    4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。

  • 第2题：

    简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。


    正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
    第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
    第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
    第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
    存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。

  • 第3题：

    简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。


    正确答案:当栅极上不加电压或加负电压时，在源到漏之间沟道没有形成，TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大，在绝缘层与a-Si：H层的界面附近，非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累，形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。

  • 第4题：

    采用晶体硅组件的示范项目补助标准为（）元/瓦，采用非晶硅薄膜组件的为（）元/瓦。

    • A、9；7
    • B、8；7
    • C、8；6
    • D、9；8

    正确答案:D

  • 第5题：

    全球各类主要太阳能电池中，转换效率最高的是（）。

    • A、薄膜电池
    • B、聚光电池
    • C、晶体硅电池
    • D、非晶硅电池

    正确答案:B

  • 第6题：

    非晶硅薄膜组件效率不低于（）。

    • A、0.15
    • B、0.1
    • C、0.14
    • D、0.06

    正确答案:D

  • 第7题：

    薄膜电池分为：（）和非晶硅薄膜电池。


    正确答案:多晶硅薄膜电池

  • 第8题：

    目前比较成熟且广泛应用的是（）电池。

    • A、晶硅类
    • B、薄膜类
    • C、化合物类
    • D、新概念类

    正确答案:A

  • 第9题：

    单选题
    单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能（）技术的最基本元件。
    A

    热能

    B

    光热发电

    C

    电磁辐射

    D

    光伏发电


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    单选题
    以下所列物质中哪种不是目前薄膜晶体管液晶显示器面板的TFT的半导体材料：（）。
    A

    非晶硅（a-Si）

    B

    低温多晶硅（LTPS）

    C

    金属氧化物（Oxide）

    D

    单晶硅（Si）


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    从不同技术路线市场份额看，（）市场份额超过85%。
    A

    薄膜电池

    B

    聚光电池

    C

    晶体硅电池

    D

    非晶硅电池


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    DSA非晶硅平板探测器的构成。（）
    A

    碘化铯构成的闪烁体层

    B

    CCD层

    C

    信号读出电路

    D

    石英玻璃衬体

    E

    非晶硅薄膜晶体管阵列层


    正确答案： C,B
    解析： 非晶硅平板探测器由碘化铯构成的闪烁体层、非晶硅阵列层、信号读出电路和石英玻璃衬体等部分组成，是一种三层结构：表面一层为碘化铯闪烁体材料，其中碘化铯光柱达20μm，由连续排列的针状碘化铯晶体构成，针柱的直径约6μm，外表面由重元素铊包裹以形成可见光波导减少漫射；第二层是以非晶硅为材料的光电二极管电路；最底层为TFT（大面积薄膜晶体管阵列）电荷信号读出电路（即电荷收集阵列电路）。当然还有起支持作用的玻璃层。

  • 第13题：

    简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。


    正确答案:1）高迁移率；
    2）容易p型和n型掺杂；
    3）自对准结构；
    4）抗光干扰能力强；
    5）抗电磁干扰能力强。

  • 第14题：

    简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。


    正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点：
    1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
    2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
    3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
    4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
    5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。

  • 第15题：

    单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能（）技术的最基本元件。

    • A、热能
    • B、光热发电
    • C、电磁辐射
    • D、光伏发电

    正确答案:D

  • 第16题：

    从不同技术路线市场份额看，（）市场份额超过85%。

    • A、薄膜电池
    • B、聚光电池
    • C、晶体硅电池
    • D、非晶硅电池

    正确答案:C

  • 第17题：

    以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、非晶硅
    • D、微晶硅

    正确答案:A,B,C,D

  • 第18题：

    太阳能光伏发电的最基本元件有（）

    • A、太阳能电池（片）
    • B、单晶硅
    • C、多晶硅
    • D、非晶硅
    • E、铜铟镓硒薄膜电池

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第19题：

    微晶硅太阳能薄膜电池的厚度通常为（）

    • A、2-3um
    • B、3-4um
    • C、1-2um
    • D、4-5um

    正确答案:A

  • 第20题：

    多选题
    以下哪些是光伏发电的光伏材料？（）
    A

    单晶硅

    B

    多晶硅

    C

    非晶硅

    D

    微晶硅


    正确答案： C,D
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    全球各类主要太阳能电池中，转换效率最高的是（）。
    A

    薄膜电池

    B

    聚光电池

    C

    晶体硅电池

    D

    非晶硅电池


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    集点矩阵层中包含的TFT是（　　）。
    A

    薄膜晶体管

    B

    发光晶体管

    C

    非晶硒

    D

    非晶硅

    E

    氢化非晶硅


    正确答案： E
    解析：
    集点矩阵层中包含TFT（thin film transistor，薄膜晶体管）、储能电容。

  • 第23题：

    多选题
    用于太阳能电池的半导体材料有（）
    A

    单晶硅

    B

    多晶硅

    C

    非晶硅

    D

    微晶硅


    正确答案： A,D
    解析： 暂无解析

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