简述氧化物薄膜晶体管的特点。
题目
简述氧化物薄膜晶体管的特点。
相似考题
更多“简述氧化物薄膜晶体管的特点。”相关问题
-
第1题：
简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。 -
第2题：
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。 -
第3题：
简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。
正确答案:当栅极上不加电压或加负电压时，在源到漏之间沟道没有形成，TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大，在绝缘层与a-Si：H层的界面附近，非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累，形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。 -
第4题：
简述薄膜晶体管沟道上面的金属层M3有两种作用。
正确答案:1）充当薄膜晶体管的的遮光层，相当于彩膜基板上的黑矩阵，彩膜基板不用再制作黑矩阵，节省了材料及成本；
2）作为存储电容的一个电极，与公共信号线相连。 -
第5题：
简述氧化物薄膜晶体管驱动OLED的优势，以及当前的研究热点？
正确答案:优点是载流子迁移率为10cm2/Vs左右，阈值电压的变化与LTPS相当，可以采用溅射方法制作，不受基板尺寸限制，对现在的TFT LCD生产线不需要较大改动。
研究热点在于：1）由于载流子有氧空位，制造过程和工作状态下易受到影响，TFT特性稳定性和工艺重复性差，成为量产前急需解决的一个关键技术难题。通过在成膜后施加热处理，有望改善；
2）在相同体系中其他半导体材料的研发，减少贵金属材料的使用，降低材料成本；
3）更为便宜的制造工艺的研发，如涂布和喷印技术。 -
第6题：
简述稀土氢氧化物主要性质。
正确答案: 三价稀土氢氧化物的碱性与碱土金属氢氧化物相似，其碱性随离子半径缩小而减弱，沉淀的PH值逐渐降低。RE（OH）3不溶于碱液，溶于无机酸。 -
第7题：
薄膜晶体管
正确答案: TFT是有源矩阵类型液晶显示器中的一种，TFT在液晶的背部设置特殊光管，可以“主动的”对屏幕上的各个独立的像素进行控制，这样可以大大地提高反应时间，一般TFT的反应时间约80ms，而STN则为200ms。而且由于TFT是主动式矩阵LCD，可让液晶的排列方式具有记忆性，不会在电流消失后马上恢复原状。TFT还改善了STN闪烁（水波纹）模糊的现象，有效地提高了播放动态画面的能力。和STN相比，TFT有出色的色彩饱和度、
还原能力和更高的对比度，缺点是比较耗电，而且成本也比较高。 -
第8题：
简述碱金属氧化物和碱土金属氧化物对釉的黏度和表面张力的影响？
正确答案: ①碱金属氧化物会降低釉的粘度。降低粘度的作用：
L.i2O>Na2O>K2O；
②对于碱土金属氧化物，如CaO、MgO、ZnO 、PbO、BeO
等，一般认为在高温下会降低釉的粘度（如引入10%~15%CaO在1000℃ 时会使釉的粘度迅速降低），在低温下增大其粘度。碱土金属阳离子降低粘度顺序为：Ba2+〉Sr2+Ca2+〉Mg2+但它们降低粘度的较碱金属离子弱。CaO在低温冷却
时使釉的粘度增大，熔融温度范围窄，Zn、PbO对釉的粘度影响与CaO基本相同，粘度增加速度较慢或熔融温度范围宽。
③三价及高价氧化物，如Al2O3、SiO2、TiO2等都会提高釉的粘度。而B2O3对釉粘度的影响比较特殊，常出现“硼反常”现象，当加入量较小（一般<15%左右）时，B2O3处于[BO4]的网络结构状态，粘度随B2O3含量的增加而增加，而超过一定量时又起到降低粘度的作用。
釉的表面张力对釉的外观质量影响很大。表面张力过大，阻碍气体排除和熔体均化，在高温时对坯的润湿性不利，容易造成“缩釉”（滚釉）缺陷；表面张力过小，则容易造成“流釉”（当釉的粘度也很小时，情况更严重），并使釉面小气泡破裂时所形成的针孔难以弥合。
K.sub>2O、B2O3、PbO、Na2O等能明显降低表面张力，一、二价金属离子半径越大，对表面张力的降低能力越强；Al2O3、V2O5、MgO等能明显提高表面张力。 -
第9题：
简述过氧化物酶体的功能。
正确答案:（一）在动物中
①参与脂肪酸的β-氧化。
②具有解毒作用。
（二）在植物细胞中
1、光呼吸，可消除多余的NADPH和ATP，减少细胞受损的可能，有其正面意义。
2、乙醛酸循环：在油料作物的种子萌发过程中，脂肪酸β-氧化产生乙酰辅酶A，通过乙醛酸循环，把两个乙酰辅酶A合成琥珀酸，琥珀酸通过糖异生途径合成葡萄糖，开辟了一条从脂肪合成糖的途径。 -
第10题：
问答题简述玻璃中氧化物的分类及作用。正确答案： 玻璃中氧化物的分类及作用：
1）网络形成体：单键强度＞335KJ/mol的氧化物能单独形成玻璃。
2）中间体：单键强度介于251--335KJ/mol的氧化物，其作用介于网络形成体和网络调整体之间。
3）网络调整体：单键强度＜251KJ/mol的 氧化物能调整玻璃性质。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述氧化物和氢氧化物的的阳离子。正确答案： 惰性气体型离子（si.Al）和过渡性离子（FE.Mn.Ti.Cr）。解析： 暂无解析 -
第12题：
单选题以下所列物质中哪种不是目前薄膜晶体管液晶显示器面板的TFT的半导体材料：（）。A非晶硅（a-Si）
B低温多晶硅（LTPS）
C金属氧化物（Oxide）
D单晶硅（Si）
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第13题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
正确答案:1）高迁移率；
2）容易p型和n型掺杂；
3）自对准结构；
4）抗光干扰能力强；
5）抗电磁干扰能力强。 -
第14题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。
正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点：
1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。 -
第15题：
简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用，以及工艺中需要采用的特殊技术？
正确答案:金属Mo薄膜起到光热转换的作用，使薄膜晶化为微晶硅薄膜。晶化后进行金属MO层的光刻形成源漏电极。
制作工艺流程是先进行有源岛位置处的Mo岛和Mo栅线的光刻，再溅射AlNd金属及光刻AlNd栅线。保证了金属线的低电阻率，又可以获得稳定、高结晶度的微晶硅薄膜，还能降低缺陷提高成品率。 -
第16题：
简述有机薄膜晶体管的特点。
正确答案:1）有源层材料广泛；
2）成本低；
3）工艺简单；
4）可以实现柔性显示。 -
第17题：
钢水二次氧化物的特点是（）、（）、（）、（）。
正确答案:组织复杂；颗粒尺寸大；形状不规则；偶然分布 -
第18题：
半导体氧化物的特点？
正确答案: 它的阳离子有可调变的阳离子数，这种阳离子数由过渡元素或稀土元素形成。吸附的发生，伴随着相当数量的电子在其表面与吸附质之间传递，当这些氧化物在空气中受热时，有的失去氧，阳离子氧化数降低，直至变成原子态。 -
第19题：
简述金属氧化物酸浸出的条件。
正确答案: （1）溶液中的电势和pH值都处于Me2+的稳定的区内；
（2）溶液的pH值小于平衡pH值；
（3）当Me2+的活度为1时，要求pH -
第20题：
简述氢氧化物沉淀法
正确答案: 大多数金属的氢氧化物在水中的溶度积很小，因此可以利用向水中投加某种化学药剂使水中金属阳离子生成氢氧化物沉淀而被去除。氢氧化物沉淀法最经济的化学药剂是石灰，一般适用于不准备回收重金属的低浓度废水处理。 -
第21题：
问答题简述过氧化物硫化的特点、应用及配合时应注意的问题。正确答案： 交联键为C-C键，热、化学稳定性高，具优异抗热氧老化职能，无硫化返原局面，紧缩永久变形低；但静态职能差，有些有臭味。过氧化物硫化PP、EPM等时，由于侧甲基生计，有或许β断裂。所以，到场助硫化剂，以收缩硫化时间，改善拉伸职能。应用：静态密封或高温静态密封制品。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述碱金属氧化物和碱土金属氧化物对釉的黏度和表面张力的影响？正确答案： ①碱金属氧化物会降低釉的粘度。降低粘度的作用：
L.i2O>Na2O>K2O；
②对于碱土金属氧化物，如CaO、MgO、ZnO 、PbO、BeO
等，一般认为在高温下会降低釉的粘度（如引入10%~15%CaO在1000℃ 时会使釉的粘度迅速降低），在低温下增大其粘度。碱土金属阳离子降低粘度顺序为：Ba2+〉Sr2+Ca2+〉Mg2+但它们降低粘度的较碱金属离子弱。CaO在低温冷却
时使釉的粘度增大，熔融温度范围窄，Zn、PbO对釉的粘度影响与CaO基本相同，粘度增加速度较慢或熔融温度范围宽。
③三价及高价氧化物，如Al2O3、SiO2、TiO2等都会提高釉的粘度。而B2O3对釉粘度的影响比较特殊，常出现“硼反常”现象，当加入量较小（一般<15%左右）时，B2O3处于[BO4]的网络结构状态，粘度随B2O3含量的增加而增加，而超过一定量时又起到降低粘度的作用。
釉的表面张力对釉的外观质量影响很大。表面张力过大，阻碍气体排除和熔体均化，在高温时对坯的润湿性不利，容易造成“缩釉”（滚釉）缺陷；表面张力过小，则容易造成“流釉”（当釉的粘度也很小时，情况更严重），并使釉面小气泡破裂时所形成的针孔难以弥合。
K.sub>2O、B2O3、PbO、Na2O等能明显降低表面张力，一、二价金属离子半径越大，对表面张力的降低能力越强；Al2O3、V2O5、MgO等能明显提高表面张力。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题简述金属氧化物硫化的配合、特点和应用。正确答案： Znp：mgo=5：4，对cr常用。倘使但用zno，硫化速度快，易焦烧，单用mgo，则硫化速度慢，两者并用最佳，ZnO主要起硫化作用，保证硫化平展性，增强耐热性；MgO进步防焦性，添补胶料储存安详性和可塑性。解析： 暂无解析