简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
题目
简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
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第1题：
简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。 -
第2题：
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。 -
第3题：
简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。
正确答案:当栅极上不加电压或加负电压时，在源到漏之间沟道没有形成，TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大，在绝缘层与a-Si：H层的界面附近，非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累，形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。 -
第4题：
简述氧化物薄膜晶体管的特点。
正确答案:1）可见光的透过率较高，可以制备出完全透明的TFT器件，使得显示器的画面更加清晰明亮。
2）电学特性优越，器件的响应速度、载流子迁移率都非常高。
3）禁带宽度比较大，很好地避免了光照对器件性能的影响。
4）薄膜均匀，为大屏幕化的实现提供可靠的保证。
5）制备温度低，在接近室温的条件下也可以生长出高质量的氧化物TFT薄膜。
6）材料和工艺成本较低，可以在廉价的玻璃或柔性塑料上生长，节约了制作成本。
另外，氧化物材料既可以作为TFT的有源层，又可以作为栅极、源漏电极，还可以通过掺杂等手段控制载流子浓度，很好地控制电学特性。 -
第5题：
简述有机薄膜晶体管的特点。
正确答案:1）有源层材料广泛；
2）成本低；
3）工艺简单；
4）可以实现柔性显示。 -
第6题：
简述低温层积催芽的特点及其条件。
正确答案: 特点：能促进种子完成后熟，种皮软化，使种子内源激素发生有利于萌发的变化。
条件：
①低温。是最重要的条件。多数种子在0-5℃，少数种子温度要求稍高一点。
②低湿度条件。一般催芽坑内沙子湿度在60%为宜。
③良好的通气条件。
④催芽时间因树种而异。催芽期间经常检查，发现催芽坑过湿、过热、通气不良等问题及时处理。 -
第7题：
简述低温巴氏杀菌的概念和特点？
正确答案: 概念：这种杀菌是采用63℃，30min或72℃，15～20s加热而完成。
特点：A、可钝化乳中的碱性磷酸酶，可杀死乳中所有的病原菌、酵母和霉菌及大部分的细菌。B、乳的风味有些改变，几乎没有乳清蛋白变性、抑菌特性不受损害。 -
第8题：
问答题简述多晶硅注入的应用正确答案： 源漏区注入
该部分的注入工艺其能量相对较低，但剂量属中高范围，一般采用中束流及大束流注入机。
（1）大角度晕环注入工艺
Halo是大角度（大于20°）方向的中剂量离子注入工艺，它的主要功能是防止源漏相通，降低延伸区的结深及缩短沟道长度，有利于提高芯片的性能，一般在延伸注入工艺之后注入。
（2）延伸注入工艺（LDD）
LDD是定义漏源区的注入工艺，这种区域通常称为漏源扩展区。其作用是优化源漏间的电场分布，降低最高电场，在高阻与电阻区之间起一个衔接作用。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题简述低温回火、中温回火、高温回火所得到的组织及其性能特点。正确答案：解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述低温层积催芽的特点及其条件。正确答案： 特点：能促进种子完成后熟，种皮软化，使种子内源激素发生有利于萌发的变化。
条件：
①低温。是最重要的条件。多数种子在0-5℃，少数种子温度要求稍高一点。
②低湿度条件。一般催芽坑内沙子湿度在60%为宜。
③良好的通气条件。
④催芽时间因树种而异。催芽期间经常检查，发现催芽坑过湿、过热、通气不良等问题及时处理。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题目前，制备低温多晶硅常用的方法是什么？正确答案： 激光晶化法、金属诱导法。解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第13题：
简述低温多晶硅技术的挑战。
正确答案:1）存在小尺寸效应；
2）关态电流大；
3）低温大面积制作困难；
4）设计和研发成本高。 -
第14题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。
正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点：
1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。 -
第15题：
简述MOSFET与薄膜晶体管工作原理上的不同。
正确答案:1）关态不同。TFT源和漏极处没有形成pn结，关态电流是源漏之间的泄漏电流，主要是由非晶硅半导体的暗电导率引起的，关态电流大。而MOSFET的关态是pn结的零偏状态或反偏状态，关态电流小。
2）源极和漏极没有正负之分。TFT源极和漏极，正常工作情况下没有正负之分；而MOSFET为保证pn的反向偏置，有严格的源漏电极正负之分。
3）表面导电层状态不同。当栅极加正压达到一定程度时，TFT沟道积累电子形成n型导电沟道。源漏电极之间加上电压，就会有电流在源漏电极之间流动。因此，TFT是n型半导体能形成n型导电沟道，是积累层导电而不是反型层导电。MOSFET是反型层导电，n型衬底形成了p型导电沟道。 -
第16题：
简述薄膜晶体管沟道上面的金属层M3有两种作用。
正确答案:1）充当薄膜晶体管的的遮光层，相当于彩膜基板上的黑矩阵，彩膜基板不用再制作黑矩阵，节省了材料及成本；
2）作为存储电容的一个电极，与公共信号线相连。 -
第17题：
简述氧化物薄膜晶体管驱动OLED的优势，以及当前的研究热点？
正确答案:优点是载流子迁移率为10cm2/Vs左右，阈值电压的变化与LTPS相当，可以采用溅射方法制作，不受基板尺寸限制，对现在的TFT LCD生产线不需要较大改动。
研究热点在于：1）由于载流子有氧空位，制造过程和工作状态下易受到影响，TFT特性稳定性和工艺重复性差，成为量产前急需解决的一个关键技术难题。通过在成膜后施加热处理，有望改善；
2）在相同体系中其他半导体材料的研发，减少贵金属材料的使用，降低材料成本；
3）更为便宜的制造工艺的研发，如涂布和喷印技术。 -
第18题：
简述低温回火、中温回火、高温回火所得到的组织及其性能特点。
正确答案: 在150℃-250℃进行低温回火，可获得保持原有马氏体形态的过饱和固溶体和极细碳化物构成的组织，称为回火马氏体。它具有高的硬度和耐磨性，而塑性和韧性较差。
在350℃-500℃范围内进行回火称为中温回火。它可使碳原子几乎完全从马氏体晶格中析出，使组织成为铁素体和细颗粒状渗碳体的机械混合物，称为回火屈氏体。它具有高的屈服极限的弹性。
在500℃-650℃范围内进行回火称为高温回火。此时原子扩散能力增大，使渗碳体颗粒也增大，成为铁素体和较粗大粒状渗碳体的机械混合物，称为回火索氏体。它具有较高的综合机械性能。淬火后的高温回火亦称调质处理，常用于受力复杂的主要零件。 -
第19题：
低温贮藏可分为哪几类？简述低温贮藏的特点和一般工艺过程。
正确答案: 根据低温贮藏中食品物料是否冻结，可以将其分为冷藏（ColdstoragE.和冻藏（FrozenstoragE.。冷藏特点（1）冷藏温度一般15～-2℃，常用4～8℃。植物性食品的冷藏温度：15～2℃，动物性食品冷藏温度：2～-2℃。（2）物料的贮藏期随物料种类及其冷藏前的状态而异，可几天～几个月。如成熟番茄的贮藏期较短，土豆贮藏期较长。冻藏特点（1）冻藏温度一般冻藏为-12～-30℃，常用的温度为-18℃。
（2）物料的贮藏期十几天—一年以上，适用于长期保藏。食品低温贮藏的一般工艺过程（食品物料）？前处理？冷却或冻结？冷藏或冻藏？回热或解冻。不同食品物料的特性有所不同，具体的工艺条件不尽相同。 -
第20题：
问答题多晶硅的特点是什么？正确答案： 多晶硅是单质硅的一种形态、特性随结晶度与杂质原子而改变、应用广泛解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题低温贮藏可分为哪几类？简述低温贮藏的特点和一般工艺过程。正确答案： 根据低温贮藏中食品物料是否冻结，可以将其分为冷藏（ColdstoragE.和冻藏（FrozenstoragE.。冷藏特点（1）冷藏温度一般15～-2℃，常用4～8℃。植物性食品的冷藏温度：15～2℃，动物性食品冷藏温度：2～-2℃。（2）物料的贮藏期随物料种类及其冷藏前的状态而异，可几天～几个月。如成熟番茄的贮藏期较短，土豆贮藏期较长。冻藏特点（1）冻藏温度一般冻藏为-12～-30℃，常用的温度为-18℃。
（2）物料的贮藏期十几天—一年以上，适用于长期保藏。食品低温贮藏的一般工艺过程（食品物料）？前处理？冷却或冻结？冷藏或冻藏？回热或解冻。不同食品物料的特性有所不同，具体的工艺条件不尽相同。解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题以下所列物质中哪种不是目前薄膜晶体管液晶显示器面板的TFT的半导体材料：（）。A非晶硅（a-Si）
B低温多晶硅（LTPS）
C金属氧化物（Oxide）
D单晶硅（Si）
正确答案： D解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题简述浅成低温金矿的分类及特点正确答案： 浅成低温热液矿床”是指形成于较低的温度范围（通常在100～320℃间，以170～280℃为主）和较浅深度（从地表到12km以下）且具特征热液蚀变和特征结构的热液矿床。这类低温热液金矿床与区域岩浆活动存在密切的时空关系。常产于破火山口或其它类型火山机构中，与成分上从流纹质、英安质、安山质的钙碱性、高钾钙碱性火山岩、次火山岩等有关。浅成低温热液矿床一般按矿物组合或化学成分又可分为两大类：
（1）高硫化型（HS），相当于明矾石-高岭石型，由酸性、氧化的热流体形成（高硫化作用）；
（2）低硫化型（LS），相当于冰长石-绢云母型，由近中性、还原的热流体（低硫化作用）形成。
低硫型：
（1）矿体形态：明显的脉状为主（石英脉），有网脉状
（2）围岩蚀变：在靠近矿脉壁的围岩中发育冰长石、硅化（石英和玉髓）和绿
泥石化；向外为绢云母化、伊利石化，再向外为泥化蚀变矿物（高岭石和蒙脱石），最外带为青磐岩化。
（3）矿石构造：脉状、网脉状构造为主，可见孔洞充填状（条带、胶状、晶簇状）和角砾状构造。
（4）矿石矿物：黄铁矿、金银矿、自然金、闪锌矿、方铅矿、方铅矿、毒砂等；脉石矿物：石英、玉髓、方解石、冰长石、伊利石、碳酸盐等。
（5）成矿元素组合：以Au、Ag、Zn、Pb为主，Cu、Sb、As、Hg、Se为辅。
（6）成矿流体特征：成矿流体以大气降水为主，含有来自岩浆的挥发份S和C，属还原、近中性流体，盐度w（NaCl）小于3.5。
高硫型：
（1）矿体形态：不规则体型（残余多孔状硅核）
（2）围岩蚀变：核部为强硅化的残余多孔状硅核，其外为高级泥化带（主要为明矾石和高岭石，还有迪开石、叶腊石等），再向外为泥化带（伊利石化、蒙脱石、少量绢云母化）；最外带为青磐岩化
（3）矿石构造：浸染状构造为主、可见角砾状、脉状构造、少见网脉状
（4）矿石矿物：黄铁矿、硫砷铜矿、黄铜矿、砷黝铜矿、铜蓝、自然金、碲化物等；脉石矿物：石英、明矾石、重晶石、高岭石、叶腊石等
（5）成矿元素组合：以Cu、Au、Ag、As为主，Pb、Hg、Sb、Te、Sn、Mo、Bi为辅
（6）成矿流体特征：成矿流体以岩浆水为主，性质为氧化、酸性流体，pH值＜2，盐度w（NaCl）小于5%解析： 暂无解析