简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
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简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
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第1题：
简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。 -
第2题：
简述低温多晶硅技术的挑战。
正确答案:1）存在小尺寸效应；
2）关态电流大；
3）低温大面积制作困难；
4）设计和研发成本高。 -
第3题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。
正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点：
1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。 -
第4题：
简述MOSFET与薄膜晶体管工作原理上的不同。
正确答案:1）关态不同。TFT源和漏极处没有形成pn结，关态电流是源漏之间的泄漏电流，主要是由非晶硅半导体的暗电导率引起的，关态电流大。而MOSFET的关态是pn结的零偏状态或反偏状态，关态电流小。
2）源极和漏极没有正负之分。TFT源极和漏极，正常工作情况下没有正负之分；而MOSFET为保证pn的反向偏置，有严格的源漏电极正负之分。
3）表面导电层状态不同。当栅极加正压达到一定程度时，TFT沟道积累电子形成n型导电沟道。源漏电极之间加上电压，就会有电流在源漏电极之间流动。因此，TFT是n型半导体能形成n型导电沟道，是积累层导电而不是反型层导电。MOSFET是反型层导电，n型衬底形成了p型导电沟道。 -
第5题：
简述氧化物薄膜晶体管的特点。
正确答案:1）可见光的透过率较高，可以制备出完全透明的TFT器件，使得显示器的画面更加清晰明亮。
2）电学特性优越，器件的响应速度、载流子迁移率都非常高。
3）禁带宽度比较大，很好地避免了光照对器件性能的影响。
4）薄膜均匀，为大屏幕化的实现提供可靠的保证。
5）制备温度低，在接近室温的条件下也可以生长出高质量的氧化物TFT薄膜。
6）材料和工艺成本较低，可以在廉价的玻璃或柔性塑料上生长，节约了制作成本。
另外，氧化物材料既可以作为TFT的有源层，又可以作为栅极、源漏电极，还可以通过掺杂等手段控制载流子浓度，很好地控制电学特性。 -
第6题：
简述有机薄膜晶体管的特点。
正确答案:1）有源层材料广泛；
2）成本低；
3）工艺简单；
4）可以实现柔性显示。 -
第7题：
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
- A、氮化硅
- B、二氧化硅
- C、光刻胶
- D、多晶硅
正确答案:B -
第8题：
简述光盘制作的光刻。
正确答案: 光刻实际上是将CD-R盘上的数据，记录在玻璃盘上的过程。这种方法是将感光性树脂用于一个经特殊处理的玻璃基片上，以制出一个玻璃主片。光刻过程是把一片涂有光敏电阻的玻璃盘放在旋转平台上进行的。激光源发出的激光束通过激光调制器时受到串行数据的控制。 -
第9题：
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题简述光刻的主要参数正确答案： 在光刻工艺中，主要的参数有特征尺寸、分辨率、套准精度和工艺宽容度等。
1. 特征尺寸
特征尺寸一般指的是MOS管的最小栅长。
2. 分辨率
分辨率是指将晶圆上两个邻近的特征图形区分开来的能力。
3. 套准精度
光刻工艺要求晶圆表面上存在的图案与掩膜板上的图形精确对准，这种特性指标就是套准精度。
4. 工艺宽容度
工艺宽容度指的是光刻工艺能始终如一地处理符合特定要求产品的能力。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。正确答案： 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。
采用接触式光刻很难得到没有缺陷的超大规模集成电路芯片，所以接触式光刻技术一般只适用于中小规模集成电路。
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙（10~25um），可以大大减小掩膜版的损伤。分辨率较低，一般在2~4微米之间，因此接近式光刻机只能装配在特征尺寸交大的集成电路生产线中。
投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。正确答案： 光刻加工技术就是用光刻加工方法，刻蚀出规定的图形的技术。
光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图形印制在涂有光致抗蚀剂（光刻胶）的
薄膜或基材表面，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。
工艺流程是：涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀及去胶。解析： 暂无解析 -
第13题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
正确答案:1）高迁移率；
2）容易p型和n型掺杂；
3）自对准结构；
4）抗光干扰能力强；
5）抗电磁干扰能力强。 -
第14题：
简述4次光刻的工艺流程。
正确答案:栅极→a-Si：H有源岛、源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极 -
第15题：
简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。
正确答案:当栅极上不加电压或加负电压时，在源到漏之间沟道没有形成，TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大，在绝缘层与a-Si：H层的界面附近，非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累，形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。 -
第16题：
简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。
正确答案:O2灰化是在4层CVD之后阻挡层i/sSiNx膜的上面进行氧气O2等离子体处理，把表面具有亲水性的i/sSiN薄膜变成疏水性的SiOx薄膜，增强与光刻胶的附着性。 -
第17题：
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
正确答案:1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx，钝化层的P-SiNx约2500Å，绝缘层SiNx约3500Å共6500Å，为保证刻蚀干净，刻蚀时间不能太短。因此，刻蚀条件的控制非常关键。 -
第18题：
简述A2/O工艺流程及特点。
正确答案:优点：A2/O工艺通过厌氧、缺氧、好氧交替运行，具有同步脱氮除磷的功能，基本上不存在污泥膨胀问题；A2/O工艺流程简单，总水力停留时间少于其他同类工艺，并且不需外加碳源。厌氧、缺氧段只进行缓速搅拌，运行费用低。
缺点：因受到污泥龄、回流污泥中挟带的溶解氧和硝酸盐的限制，除磷效果不可能十分理想；脱氮效果取决于混合液回流比，而A2/O工艺的混合液回流比又不能太高（小于200%），所以脱氮效果不能满足较高要求。 -
第19题：
铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
正确答案: 提纯材料：
1.利用定向凝固过程中的杂质分凝现象，使杂质富集在多晶硅锭的两端。
2.在真空中熔化，凝固，原料中杂质在表面挥发。
3.在保护气体或熔体中添加能与杂质反应生成挥发性物质的气体，是杂质中熔硅分离。直熔法工艺流程：装料---加热---熔化---晶体生长---退火---冷却。
直培法描述：硅原材料首先在坩埚中熔化，坩埚周围的加热器保持坩埚上部温度的同时，自坩埚的底部开始逐渐降温，从而使坩埚底部的熔体首先结晶，再通过保持固液界面在同一水平面上并逐渐上升，使得整个熔体结晶为晶锭。采用定向凝固法长晶。影响因素：纯度高，不产生杂质玷污；不与晶体粘连；热膨胀系数小；热导率小；坩埚形状（方形，内壁涂高纯氧化硅/氮化硅） -
第20题：
问答题简述光刻胶的成分特征。正确答案： 光学光刻胶通常包含有三种成份：
①聚合物材料（也称为树脂）：聚合物材料在光的辐照下不发生化学反应，其主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，同时也决定了光刻胶薄膜的其它一些持性（如光刻胶的膜厚、弹性和热稳定性）。
②感光材料：感光材料一般为复合物（简称PAC或感光剂）。感光剂在受光辐照之后会发生化学反应。正胶的感光剂在未曝光区域起抑制溶解的作用，可以减慢光刻胶在显影液中的溶解速度。在正性光刻胶暴露于光线时有化学反应发生，使抑制剂变成了感光剂，从而增加了胶的溶解速率。
③溶剂（如丙二醇一甲基乙醚，简称PGME）：溶剂的作用是可以控制光刻胶机械性能（例如基体黏滞性），并使其在被涂到硅片表面之前保持为液态。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述光刻的工艺过程。正确答案： 光刻工序：光刻胶的涂覆→爆光→显影→刻蚀→去胶。光刻的基本要素是掩模板和光刻胶。
（1）涂胶：将光刻胶涂在硅片上。
（2）曝光：将掩模版覆盖在硅片上方，在特定波长的光线下曝光一段时间。
（3）显影：将硅片浸没在显影液中进行显影。
（4）腐蚀：采用干法刻蚀或湿法腐蚀，利用刻蚀或腐蚀的选择性，在窗口中暴露出来的基片上形成图形。
（5）去胶：去除残留的光刻胶。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述正性光刻和负性光刻的概念？优缺点？正确答案： •正性光刻是把与掩膜版上相同的图形复制到晶圆上。
•负性光刻是把与掩膜版上图形相反的图形复制到晶圆表面。
正性光刻
优点：较高的固有分辨率、较强的抗干法腐蚀能力、抗热处理能力、良好的台阶覆盖
缺点：粘附性差、抗湿法腐蚀能力差、成本高
负性光刻：
优点：对环境因素不灵敏、很高的感光速度、极好的粘附性和腐蚀能力、成本低
缺点：分辨率较低解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题简述光刻的目的？正确答案： 光刻的主要目的是用来在不同的器件和电路表面形成所需的各种图形。解析： 暂无解析