试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
题目
试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
相似考题
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第1题：
简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。
正确答案:O2灰化是在4层CVD之后阻挡层i/sSiNx膜的上面进行氧气O2等离子体处理，把表面具有亲水性的i/sSiN薄膜变成疏水性的SiOx薄膜，增强与光刻胶的附着性。 -
第2题：
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
②对比度好；
③敏感度好；
④粘滞性好；
⑤粘附性好；
⑥抗蚀性好；
⑦颗粒少。解析： 暂无解析 -
第3题：
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？正确答案： 需要六次光刻
第一次—N+隐埋层扩散孔光刻；
第二次—P+隔离扩散孔光刻；
第三次—P型基区扩散孔光刻；
第四次—N+发射区扩散孔光刻；
第五次—引线接触孔光刻；
第六次—金属化内连线光刻。解析： 暂无解析 -
第4题：
问答题简述光刻的工艺过程。正确答案： 光刻工序：光刻胶的涂覆→爆光→显影→刻蚀→去胶。光刻的基本要素是掩模板和光刻胶。
（1）涂胶：将光刻胶涂在硅片上。
（2）曝光：将掩模版覆盖在硅片上方，在特定波长的光线下曝光一段时间。
（3）显影：将硅片浸没在显影液中进行显影。
（4）腐蚀：采用干法刻蚀或湿法腐蚀，利用刻蚀或腐蚀的选择性，在窗口中暴露出来的基片上形成图形。
（5）去胶：去除残留的光刻胶。解析： 暂无解析 -
第5题：
问答题简述光刻工艺的8道工序正确答案： 八道工序为：晶圆清洗、预烘培和底漆涂敷、光刻胶自旋涂敷、软烘烤、对准和曝光、曝光后烘烤，以及显影、硬烘烤和图形检测解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题光刻工艺分为哪些步骤？正确答案： 1、底膜处理
2、涂胶
3、前烘
4、曝光
5、显影
6、坚膜
7、刻蚀去胶解析： 暂无解析 -
第7题：
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题简述光刻工艺的8个基本步骤。正确答案： ①气相成底膜；
②旋转涂胶；
③软烘；
④对准和曝光；
⑤曝光后烘培（PEB）；
⑥显影；
⑦坚膜烘培；
⑧显影检查。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。正确答案： 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。
采用接触式光刻很难得到没有缺陷的超大规模集成电路芯片，所以接触式光刻技术一般只适用于中小规模集成电路。
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙（10~25um），可以大大减小掩膜版的损伤。分辨率较低，一般在2~4微米之间，因此接近式光刻机只能装配在特征尺寸交大的集成电路生产线中。
投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题光刻工艺包括哪些工艺？正确答案： 底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶、检验解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。正确答案： 光刻加工技术就是用光刻加工方法，刻蚀出规定的图形的技术。
光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图形印制在涂有光致抗蚀剂（光刻胶）的
薄膜或基材表面，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。
工艺流程是：涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀及去胶。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？正确答案： 光刻就是通过一系列生产步骤，将晶圆薄膜的特定部分去除的工艺。
流程有晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干。解析： 暂无解析 -
第13题：
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
正确答案:1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx，钝化层的P-SiNx约2500Å，绝缘层SiNx约3500Å共6500Å，为保证刻蚀干净，刻蚀时间不能太短。因此，刻蚀条件的控制非常关键。 -
第14题：
问答题什么叫做光刻，光刻有何目的？正确答案： 定义：光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄膜上制备图形的精密表面工艺技术。
目的：在介质薄膜（二氧化硅、氮化硅、多晶硅等）、金属薄膜或金属合金薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。解析： 暂无解析 -
第15题：
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。正确答案： 涂胶,前烘,曝光,显影,坚膜,腐蚀,去胶解析： 暂无解析 -
第16题：
问答题光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？正确答案： 光刻的工艺流程共分7步：（1）涂胶，（2）前烘，（3）曝光，（4）显影，（5）坚膜（6）刻蚀，（7）去胶。分辨率是指线条和间隔清晰可辨时每mm中的线对数。从物理的角度看，限制分辨率的因素是衍射。最长用的曝光光源是紫外光。解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题简述光刻工艺步骤。正确答案： 涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术。正确答案： 1.极紫外光刻技术（EUV）
2.离子束投影光刻技术（IPL）
3.角度限制投影电子束光刻技术（SCALPEL）
4.X射线光刻技术解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？正确答案： 负光刻胶解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题简述光刻工艺3个主要过程正确答案： 光刻胶涂敷、曝光和显影解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺？光刻的三个要素是什么？正确答案： 因为光刻在IC制造中
①占芯片制造时间的40 to 50%
②占芯片制造成本的1/3
③决定芯片的最小特征尺寸
光刻三要素：
①光刻机
②光刻版（掩膜版）
③光刻胶解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。正确答案： 正性光刻,负性光刻胶,正性光刻胶解析： 暂无解析 -
第23题：
多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆
B曝光
C显影
D腐蚀
正确答案： C,B解析： 暂无解析