什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

题目

什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？

相似考题

1.光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什么？

2.简述光刻工艺流程。

3.试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。

4.解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

参考答案和解析
正确答案: 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合十分准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。
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  • 第1题：

    光刻和刻蚀的目的是什么？


    正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。

  • 第2题：

    问答题
    什么是正光刻胶，负光刻胶？

    正确答案： 正光刻胶：胶的曝光区在显影中除去，当前常用正胶为DQN，组成为光敏剂重氮醌（DQ），碱溶性的酚醛树脂（N），和溶剂二甲苯等。
    解析： 暂无解析

  • 第3题：

    问答题
    PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？

    正确答案： 需要六次光刻
    第一次—N+隐埋层扩散孔光刻；
    第二次—P+隔离扩散孔光刻；
    第三次—P型基区扩散孔光刻；
    第四次—N+发射区扩散孔光刻；
    第五次—引线接触孔光刻；
    第六次—金属化内连线光刻。
    解析： 暂无解析

  • 第4题：

    问答题
    光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

    正确答案： 光刻的工艺流程共分7步：（1）涂胶，（2）前烘，（3）曝光，（4）显影，（5）坚膜（6）刻蚀，（7）去胶。分辨率是指线条和间隔清晰可辨时每mm中的线对数。从物理的角度看，限制分辨率的因素是衍射。最长用的曝光光源是紫外光。
    解析： 暂无解析

  • 第5题：

    问答题
    对光刻的基本要求有哪些？

    正确答案： （1）高分辨率
    （2）高灵敏度
    （3）精密的套刻对准
    （4）大尺寸硅片上的加工
    （5）低缺陷
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

    正确答案： 负光刻胶
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    什么是负性光刻？正性光刻？

    正确答案： 负性光刻：把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片上。
    正性光刻：把与掩膜版上图形相同的图形复制到硅片上。两种工艺的区别：所用光刻胶不同。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺？光刻的三个要素是什么？

    正确答案： 因为光刻在IC制造中
    ①占芯片制造时间的40 to 50%
    ②占芯片制造成本的1/3
    ③决定芯片的最小特征尺寸
    光刻三要素：
    ①光刻机
    ②光刻版（掩膜版）
    ③光刻胶
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    光刻工艺包括哪些工艺？

    正确答案： 底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶、检验
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    问答题
    什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。

    正确答案： 光刻加工技术就是用光刻加工方法，刻蚀出规定的图形的技术。
    光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图形印制在涂有光致抗蚀剂（光刻胶）的
    薄膜或基材表面，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。
    工艺流程是：涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀及去胶。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

    正确答案： 光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？

    正确答案： 光刻就是通过一系列生产步骤，将晶圆薄膜的特定部分去除的工艺。
    流程有晶圆涂光刻胶、曝光、显影、烘干。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    问答题
    简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

    正确答案： 光刻胶是一种有机化合物，它受紫外线曝光后在显影液中的溶解度发生显著变化，而未曝光的部分在显影液中几乎不溶解。
    光刻胶的用途：①做硅片上的图形模版（从掩膜版转移到硅片上的图形）；
    ②在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入）。
    光刻对光刻胶的要求：①分辨率高；
    ②对比度好；
    ③敏感度好；
    ④粘滞性好；
    ⑤粘附性好；
    ⑥抗蚀性好；
    ⑦颗粒少。
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  • 第14题：

    问答题
    什么叫做光刻，光刻有何目的？

    正确答案： 定义：光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄膜上制备图形的精密表面工艺技术。
    目的：在介质薄膜（二氧化硅、氮化硅、多晶硅等）、金属薄膜或金属合金薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。
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  • 第15题：

    问答题
    简述光刻的工艺过程。

    正确答案： 光刻工序：光刻胶的涂覆→爆光→显影→刻蚀→去胶。光刻的基本要素是掩模板和光刻胶。
    （1）涂胶：将光刻胶涂在硅片上。
    （2）曝光：将掩模版覆盖在硅片上方，在特定波长的光线下曝光一段时间。
    （3）显影：将硅片浸没在显影液中进行显影。
    （4）腐蚀：采用干法刻蚀或湿法腐蚀，利用刻蚀或腐蚀的选择性，在窗口中暴露出来的基片上形成图形。
    （5）去胶：去除残留的光刻胶。
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  • 第16题：

    问答题
    光刻三要素分别是什么？

    正确答案： 光刻胶、掩膜版和光刻机。
    光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。
    光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某些特定溶液中的溶解特性改变。
    正胶：曝光后可溶；负胶：曝光后不可溶。
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  • 第17题：

    判断题
    最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
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  • 第18题：

    问答题
    什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？

    正确答案： 光刻（photolithography）就是将掩模版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感薄膜材料（光刻胶）上去的工艺过程。
    光刻系统的主要指标包括分辨率R（resolution）、焦深（depth of focus，DOF）、对比度（CON）、特征线宽（critical dimension，CD）控制、对准和套刻精度（alignment and overlay）、产率（throughout）以及价格。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    问答题
    光刻和刻蚀的目的是什么？

    正确答案： 光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    光刻的本质是什么？

    正确答案： 光刻就是将掩膜版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感的薄膜材料（光刻胶）上去的工艺过程。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    填空题
    光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

    正确答案： 正性光刻,负性光刻胶,正性光刻胶
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    光刻的作用是什么？

    正确答案： 作用是把掩膜上的图型转换成晶圆上的器件结构。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    多选题
    以下属于光刻工艺的为：（）。
    A

    光刻胶涂覆

    B

    曝光

    C

    显影

    D

    腐蚀


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

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