简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
题目
简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
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第1题：
简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？
正确答案: 1、能很好的阻挡材料扩散；
2、高电导率，低欧姆接触电阻；
3、在半导体和金属之间有很好的附着能力；
4、抗电迁能力强；
5、在很薄和高温下具有很好的稳定性；
6、抗侵蚀和抗氧化性好。
7、具有高的导电率和纯度。
8、与下层存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性。
9、与半导体材料连接时接触电阻低。
10、能够淀积出均匀而且没有“空洞”的薄膜，易于填充通孔。
11、易于光刻和刻蚀，容易制备出精细图形。
12、很好的耐腐蚀性。
13、在处理和应用过程中具有长期的稳定性。 -
第2题：
简述光刻工艺流程。
正确答案:涂光刻胶→前烘→曝光→显影→坚膜→刻蚀→剥离去膜→清洗 -
第3题：
简述蛋白芯片的原理及应用。
正确答案: 蛋白质芯片的基本原理是采用原位合成、机械点样或共价结合的等方法将多肽、蛋白、酶、抗原、抗体固定于固相介质上形成的生物分子点阵，在待分析样品中的生物分子与蛋白质芯片的探针分子发生杂交或相互作用或其他分离方式分离后，利用激光共聚焦显微扫描仪对杂交信号进行高通量检测和分析。蛋白质芯片是将整个蛋白质水平的相关生化分析过程集成于芯片表面，从而实现对多肽、蛋白质及其他生物成份进行高通量检测。
蛋白质芯片技术是一种快捷、高效、高通量、并行、微型化和自动化的蛋白质分析技术，适用于分析包括组织、细胞系、体液在内的多种生物样品能分析包含针对信号传导、癌症、细胞周期调控、细胞结构、凋亡和神经生物学等广泛的生物功能的相关蛋白，灵敏度高达pg/ml。 -
第4题：
简述快速原型制造工艺方法中，分层实体制造（LOM）的工作原理和主要工艺过程？
正确答案: 切割出工艺边框和原型的边缘轮廓线，而后将不属于原型的材料切割成网格状。片材表面事先涂覆上一层热熔胶。通过升降平台的移动和箔材的送给，并利用热压辊辗压将后铺的箔材与先前的层片粘接在一起，再切割出新的层片。这样层层迭加后得到下一个块状物，最后将不属于原型的材料小块剥除，就获得所需的三维实体。 -
第5题：
问答题简述光刻的工艺过程。正确答案： 光刻工序：光刻胶的涂覆→爆光→显影→刻蚀→去胶。光刻的基本要素是掩模板和光刻胶。
（1）涂胶：将光刻胶涂在硅片上。
（2）曝光：将掩模版覆盖在硅片上方，在特定波长的光线下曝光一段时间。
（3）显影：将硅片浸没在显影液中进行显影。
（4）腐蚀：采用干法刻蚀或湿法腐蚀，利用刻蚀或腐蚀的选择性，在窗口中暴露出来的基片上形成图形。
（5）去胶：去除残留的光刻胶。解析： 暂无解析 -
第6题：
问答题简述光刻工艺的8道工序正确答案： 八道工序为：晶圆清洗、预烘培和底漆涂敷、光刻胶自旋涂敷、软烘烤、对准和曝光、曝光后烘烤，以及显影、硬烘烤和图形检测解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题简述IC芯片工艺过程中包括的刻蚀工艺过程正确答案： （1）图形化和整面全*区刻蚀。
（2）单晶硅刻蚀用于浅槽隔离。
（3）多晶硅刻蚀用于界定栅和局部互连线。
（4）氧化物刻蚀界定接触窗和金属层间接触孔。
（5）金属刻蚀形成金属互连线。
（6）氧化层CMP停止在氮化硅层后的氮化硅剥除工艺。
（7）电介质的非等向性回刻蚀形成侧壁空间层。
（8）钛金属硅化物形成合金之后的钛剥离。解析： 暂无解析 -
第8题：
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题简述光刻工艺的8个基本步骤。正确答案： ①气相成底膜；
②旋转涂胶；
③软烘；
④对准和曝光；
⑤曝光后烘培（PEB）；
⑥显影；
⑦坚膜烘培；
⑧显影检查。解析： 暂无解析 -
第10题：
判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺？光刻的三个要素是什么？正确答案： 因为光刻在IC制造中
①占芯片制造时间的40 to 50%
②占芯片制造成本的1/3
③决定芯片的最小特征尺寸
光刻三要素：
①光刻机
②光刻版（掩膜版）
③光刻胶解析： 暂无解析 -
第12题：
填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。正确答案： 离子注入解析： 暂无解析 -
第13题：
在液晶器件制造的工艺辅助材料中，切割刀轮的作用是（）。
- A、在玻璃表面划出刀痕
- B、割断玻璃
- C、在玻璃上做光刻标记
- D、磨边
正确答案:A -
第14题：
试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
正确答案:在4次光刻中，第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻，为4次光刻的第二次光刻，光刻次数减少，但工艺难度大大增大。
第二次光刻的工艺流程概括为：连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。 -
第15题：
简述快速原型制造（RPM）工艺方法中，熔融沉积成形（FDM）的主要工作原理和工艺过程？
正确答案: 将热熔性材料（ABS、尼龙或蜡）通过喷头加热器熔化；
喷头沿零件截面轮廓和填充轨迹运动，同时将熔化的材料挤出；
材料迅速凝固冷却后，与周围的材料凝结形成一个层面；
然后将第二个层面用同样的方法建造出来，并与前一个层面熔结在一起，如此层层堆积而获得一个三维实体。（不需激光系统）。 -
第16题：
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。正确答案： 涂胶,前烘,曝光,显影,坚膜,腐蚀,去胶解析： 暂无解析 -
第17题：
问答题简述蛋白芯片的原理及应用。正确答案： 蛋白质芯片的基本原理是采用原位合成、机械点样或共价结合的等方法将多肽、蛋白、酶、抗原、抗体固定于固相介质上形成的生物分子点阵，在待分析样品中的生物分子与蛋白质芯片的探针分子发生杂交或相互作用或其他分离方式分离后，利用激光共聚焦显微扫描仪对杂交信号进行高通量检测和分析。蛋白质芯片是将整个蛋白质水平的相关生化分析过程集成于芯片表面，从而实现对多肽、蛋白质及其他生物成份进行高通量检测。
蛋白质芯片技术是一种快捷、高效、高通量、并行、微型化和自动化的蛋白质分析技术，适用于分析包括组织、细胞系、体液在内的多种生物样品能分析包含针对信号传导、癌症、细胞周期调控、细胞结构、凋亡和神经生物学等广泛的生物功能的相关蛋白，灵敏度高达pg/ml。解析： 暂无解析 -
第18题：
问答题简述光刻工艺步骤。正确答案： 涂光刻胶，曝光，显影，腐蚀，去光刻胶。解析： 暂无解析 -
第19题：
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A刻蚀
B离子注入
C光刻
D金属化
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第20题：
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题简述光刻工艺3个主要过程正确答案： 光刻胶涂敷、曝光和显影解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。正确答案： 接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩模版和光刻胶膜的损伤。
采用接触式光刻很难得到没有缺陷的超大规模集成电路芯片，所以接触式光刻技术一般只适用于中小规模集成电路。
接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙（10~25um），可以大大减小掩膜版的损伤。分辨率较低，一般在2~4微米之间，因此接近式光刻机只能装配在特征尺寸交大的集成电路生产线中。
投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。正确答案： 光刻加工技术就是用光刻加工方法，刻蚀出规定的图形的技术。
光刻加工是用照相复印的方法将光刻掩膜上的图形印制在涂有光致抗蚀剂（光刻胶）的
薄膜或基材表面，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。
工艺流程是：涂胶、曝光、显影、坚膜、腐蚀及去胶。解析： 暂无解析