例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

题目

例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

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2.例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试。

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参考答案和解析
正确答案:汞灯，高压汞灯，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电，这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射准分子激光，准分子是不稳定分子 是有惰性气体原子和卤素构成 只存在与准稳定激发态。
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  • 第1题：

    在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

    • A、DQN
    • B、CA
    • C、ARC
    • D、PMMA

    正确答案:A

  • 第2题：

    试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？


    正确答案:背曝光是一种自对准的光刻工艺，不需要掩膜版，利用栅线和栅极的金属图形做掩膜进行曝光的工艺。栅线、栅极、存储电容等有金属薄膜的地方上面的光刻胶都没有曝光，其他没有遮挡的地方都被背曝光的紫外光照到，光刻胶的性质发生改变。需要再用一次曝光，利用掩膜版掩膜把栅线和存储电容上面的光刻胶被一次曝光的紫外光照射到，留下阻挡层图像。
    为了形成精确对准且能够恰好在栅极上面的i/sSiNx阻挡层小图形，采用连续两次曝光，先背面曝光再一次曝光相结合的光刻工艺。仅采用一次曝光，对版精度和图形的大小都要受到限制，工艺难度大。

  • 第3题：

    例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。


    正确答案:连续喷雾显影、旋覆浸没显影。
    显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。

  • 第4题：

    在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。

    • A、化学增强
    • B、化学减弱
    • C、厚度增加
    • D、厚度减少

    正确答案:A

  • 第5题：

    问答题
    例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

    正确答案： 连续喷雾显影，旋覆浸没显影显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。
    解析： 暂无解析

  • 第6题：

    问答题
    光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

    正确答案： 光刻的工艺流程共分7步：（1）涂胶，（2）前烘，（3）曝光，（4）显影，（5）坚膜（6）刻蚀，（7）去胶。分辨率是指线条和间隔清晰可辨时每mm中的线对数。从物理的角度看，限制分辨率的因素是衍射。最长用的曝光光源是紫外光。
    解析： 暂无解析

  • 第7题：

    问答题
    常见的光刻对准曝光设备有？

    正确答案： 接触式光刻机；接近式光刻机；扫描投影光刻机；分步重复投影光刻机；步进扫描光刻机。
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    问答题
    列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源。

    正确答案： 汞灯和准分子激光
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    问答题
    例举并描述6种不同的塑料封装形式。陶瓷封装的两种主要封装方法是什么？

    正确答案： 6种不同的塑料封装形式：
    （1）双列直插封装（DIP）：典型有两列插孔式管脚向下弯，穿过电路板上的孔。
    （2）单列直插封装（SIP）：是DIP的替代品，用以减小集成电路组件本体所占据电路板的空间。
    （3）薄小型封装（TSOP）：广泛用于存储器和智能卡具有鸥翼型表面贴装技术的管脚沿两边粘贴在电路板上相应的压点。
    （4）西边形扁平封装（QFP）：是一种在外壳四边都有高密度分布的管脚表面贴装组件。
    （5）具有J性管脚的塑封电极芯片载体（PLCC.
    （6）无引线芯片载体（LCC.：是一种电极被管壳周围包起来以保持低刨面的封装形式
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    填空题
    光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

    正确答案： 436nm,365nm,248nm,193nm
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。
    A

    电子束曝光技术

    B

    离子束曝光技术

    C

    X射线曝光技术


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    以下属于光刻工艺的为：（）。
    A

    光刻胶涂覆

    B

    曝光

    C

    显影

    D

    腐蚀


    正确答案： C,B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

    • A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
    • B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
    • C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
    • D、有较高的光敏度
    • E、有较高的对比度

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第14题：

    光刻加工的工艺过程为（）

    • A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
    • B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
    • C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

    正确答案:B

  • 第15题：

    用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。

    • A、ARC
    • B、HMDS
    • C、正胶
    • D、负胶

    正确答案:C

  • 第16题：

    光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）

    • A、电子束曝光技术
    • B、离子束曝光技术
    • C、X射线曝光技术

    正确答案:B

  • 第17题：

    问答题
    光刻的曝光方式有几种？各有何特点？

    正确答案： 接触和非接触两种，非接触分为接近式和投影式
    接触式：精确度高，但掩膜易磨损，消耗大非接触式
    接近式：解决了磨损问题，但分辨率下降
    投影式：分辨率高，不存在掩膜磨损问题，但生产量不高
    解析： 暂无解析

  • 第18题：

    问答题
    例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

    正确答案： 汞灯，高压汞灯，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电，这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射准分子激光，准分子是不稳定分子是有惰性气体原子和卤素构成只存在与准稳定激发态。
    解析： 暂无解析

  • 第19题：

    填空题
    光刻的图形曝光方式有：接触式曝光、接近式曝光和（）曝光。

    正确答案： 投影式
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    问答题
    列出并描述两种主要的光刻胶。

    正确答案： 负性光刻胶和正性光刻胶。负性光刻胶是负相的掩膜图形形成在光刻胶上、正相掩膜图形出现在光刻胶上。
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    判断题
    如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些？

    正确答案： 界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    问答题
    光刻的作用是什么？列举两种常用曝光方式。

    正确答案： 光刻是集成电路加工过程中的重要工序，作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构。
    曝光方式：接触式和非接触式。
    解析： 暂无解析

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