例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。
题目
例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。
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第1题：
例举并描述6种不同的塑料封装形式。
正确答案:6种不同的塑料封装形式：
（1）双列直插封装（DIP）：典型有两列插孔式管脚向下弯，穿过电路板上的孔。
（2）单列直插封装（SIP）：是DIP的替代品，用以减小集成电路组件本体所占据电路板的空间。
（3）薄小型封装（TSOP）：广泛用于存储器和智能卡具有鸥翼型表面贴装技术的管脚沿两边粘贴在电路板上相应的压点。
（4）西边形扁平封装（QFP）：是一种在外壳四边都有高密度分布的管脚表面贴装组件。
（5）具有J性管脚的塑封电极芯片载体（PLCC）
（6）无引线芯片载体（LCC）：是一种电极被管壳周围包起来以保持低刨面的封装形式 -
第2题：
例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。
正确答案:芯片厂中通常分为扩散区、光刻区、刻蚀区、离子注入区、薄膜生长区和抛光区6个生产区域：
①扩散区是进行高温工艺及薄膜积淀的区域，主要设备是高温炉和湿法清洗设备；
②光刻区是芯片制造的心脏区域，使用黄色荧光管照明，目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上；
③刻蚀工艺是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形；
④离子注入是用高压和磁场来控制和加速带着要掺杂的杂质的气体；高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面，形成目标硅片；
⑤薄膜生长主要负责生产各个步骤中的介质层与金属层的淀积。
⑥抛光，即CMP（化学机械平坦化）工艺的目的是使硅片表面平坦化。 -
第3题：
例举出半导体产业的8种不同职业并简要描述。
正确答案:1.硅片制造技师：负责操作硅片制造设备。一些设备维护以及工艺和设备的基本故障查询。
2.设备技师：查询故障并维护先进设备系统，保证在硅片制造过程中设备能正确运行。
3.设备工程师：从事确定设备设计参数和优化硅片生产的设备性能。
4.工艺工程师：分析制造工艺和设备的性能以确定优化参数设置。
5.实验室技师：从事开发实验室工作，建立并进行试验。
6.成品率/失效分析技师：从事与缺陷分析相关的工作，如准备待分析的材料并操作分析设备以确定在硅片制造过程中引起问题的根源。
7.成品率提高工程师：收集并分析成品率及测试数据以提高硅片制造性能。
8.设施工程师：为硅片制造厂的化学材料、净化空气及常用设备的基础设施提供工程设计支持。 -
第4题：
测试过程中，（）用于描述测试的整体方案，（）描述依据测试案例找出的问题。
正确答案:测试计划；缺陷报告 -
第5题：
例举在线参数测试的4个主要子系统。
正确答案:在线参数测试的4个主要子系统为：
（1）探针卡接口：是自动测试仪与待测器件之间的接口。
（2）硅片定位：为测试硅片，首先要确与探针接触的硅片的探针仪位置。
（3）测试仪器：高级集成电路需要能够在测试结构上快速、准确、重复地测量亚微安级电流和微法级电容的自动测试设备，它控制测试过程。
（4）作为网络主机或客户机的计算机：指导测试系统操作的计算机包括测试软件算法、自动测试设备、用于硅片定位的探查控制软件、测试数据的保存和控制、系统校准和故障诊断。 -
第6题：
关于技术测试，下列说法正确的是（）
- A、技术测试不需要生产施工前的测试
- B、技术测试一般存在三个阶段：①生产施工前的测试②生产施工过程中的测试③生产成品的测试
- C、技术测试不需要生产施工过程中的测试
- D、技术测试不需要生产成品的测试
正确答案:B -
第7题：
填空题测试过程中，（）描述用于描述测试的整体方案，（）描述依据测试案例找出的问题。正确答案： 测试计划,缺陷报告解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试（第十九章）正确答案： 硅片拣选测试中的三种典型电学测试：
（1）DC测试：第一电学测试是确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。这项检查保证了技术员的测试仪安装正常。
（2）输出检查：硅片挑选测试用来测试输出信号以检验芯片性能。主要验证输出显示的位电平（逻辑“1”或高电平，逻辑“0”或低电平），是否和预期的一致。
（3）功能测试：功能测试检验芯片是否按照产品数据规范的要求工作。功能测试软件程序测试芯片的所有方面，它将二进制测试图形加入被测器件并验证其输出的正确性。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。正确答案： 汞灯，高压汞灯，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电，这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射准分子激光，准分子是不稳定分子是有惰性气体原子和卤素构成只存在与准稳定激发态。解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。正确答案： 金属用于硅片制造的七个要求：
1.导电率：为维持电性能的完整性，必须具有高电导率，能够传导高电流密度。
2.粘附性：能够粘附下层衬底，容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积：易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分（对于合金）。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化：为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形；大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性：为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化，金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力：很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效，比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题例举并描述6种不同的塑料封装形式。陶瓷封装的两种主要封装方法是什么？正确答案： 6种不同的塑料封装形式：
（1）双列直插封装（DIP）：典型有两列插孔式管脚向下弯，穿过电路板上的孔。
（2）单列直插封装（SIP）：是DIP的替代品，用以减小集成电路组件本体所占据电路板的空间。
（3）薄小型封装（TSOP）：广泛用于存储器和智能卡具有鸥翼型表面贴装技术的管脚沿两边粘贴在电路板上相应的压点。
（4）西边形扁平封装（QFP）：是一种在外壳四边都有高密度分布的管脚表面贴装组件。
（5）具有J性管脚的塑封电极芯片载体（PLCC.
（6）无引线芯片载体（LCC.：是一种电极被管壳周围包起来以保持低刨面的封装形式解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题什么是薄膜？例举并描述可接受的薄膜的8个特性。正确答案： 薄膜：指某一维尺寸远小于另外两维上的尺寸的固体物质。
好的台阶覆盖能力、高的深宽比填隙能力（>3：1）
厚度均匀（避免针孔、缺陷）、高纯度和高密度、受控的化学剂量
结构完整和低应力、好的粘附性（避免分层、开裂致漏电）解析： 暂无解析 -
第13题：
例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试。
正确答案:硅片拣选测试中的三种典型电学测试：
（1）DC测试：第一电学测试是确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。这项检查保证了技术员的测试仪安装正常。
（2）输出检查：硅片挑选测试用来测试输出信号以检验芯片性能。主要验证输出显示的位电平（逻辑“1”或高电平，逻辑“0”或低电平），是否和预期的一致。
（3）功能测试：功能测试检验芯片是否按照产品数据规范的要求工作。功能测试软件程序测试芯片的所有方面，它将二进制测试图形加入被测器件并验证其输出的正确性。 -
第14题：
例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
正确答案:金属用于硅片制造的七个要求：
1.导电率：为维持电性能的完整性，必须具有高电导率，能够传导高电流密度。
2.粘附性：能够粘附下层衬底，容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积：易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分（对于合金）。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化：为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形；大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性：为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化，金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力：很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效，比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。 -
第15题：
立式炉系统的五部分是什么？例举并简单描述。
正确答案:工艺腔、硅片传输系统、气体分配系统、尾气系统、温控系统。
工艺腔是对硅片加热的场所，由垂直的石英罩钟、多区加热电阻丝和加热管套组成硅片传输系统在工艺腔中装卸硅片，自动机械在片架台、炉台、装片台、冷却台之间移动气体分配系统通过将正确的气体通到炉管中来维持炉中气氛 控制系统控制炉子所有操作，如工艺时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温速率、装卸硅片。 -
第16题：
例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。
正确答案:汞灯，高压汞灯，电流通过装有氙汞气体的管子产生电弧放电，这个电弧发射出一个特征光谱，包括240纳米到500纳米之间有用的紫外辐射准分子激光，准分子是不稳定分子 是有惰性气体原子和卤素构成 只存在与准稳定激发态。 -
第17题：
例举并解释5个进行在线参数测试的理由。
正确答案:五个进行在线参数测试的理由为：
（1）鉴别工艺问题：硅片制造过程中工艺问题的早期鉴定（而不是等到已经完成了硅片制造才发现有问题进行测试。
（2）通过/失效标准：依据通过/失效标准决定硅片是否继续后面的制造程序。
（3）数据收集：为了改进工艺，收集硅片数据以评估工艺倾向（如沟道长度的改变）。
（4）特殊测试：在需要的时候评估特殊性能参数（如特殊客户需求）。
（5）硅片级可靠性：需要确定可靠性与工艺条件的联系时，进行随机的硅片级可靠性测试。 -
第18题：
问答题例举在线参数测试的4个主要子系统。正确答案： 在线参数测试的4个主要子系统为：
（1）探针卡接口：是自动测试仪与待测器件之间的接口。
（2）硅片定位：为测试硅片，首先要确与探针接触的硅片的探针仪位置。
（3）测试仪器：高级集成电路需要能够在测试结构上快速、准确、重复地测量亚微安级电流和微法级电容的自动测试设备，它控制测试过程
（4）作为网络主机或客户机的计算机：指导测试系统操作的计算机包括测试软件算法、自动测试设备、用于硅片定位的探查控制软件、测试数据的保存和控制、系统校准和故障诊断。解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题试例举三种不同形制的汉代铜镜，并对其特征加以简要说明。正确答案： ①星云纹镜
又称“百乳纹镜”，有的连称为“星云百乳镜”。主要盛行于西汉中期武、昭、宣帝时期。镜纽多连峰式，纽座外围及镜子边缘多饰一圈连弧纹，一般都为十六连弧。
主纹用众多的乳纹所构成，多是圆锥形凸起，四周连成一圈。乳纹之间，常用圆曲线相连接，状若星云，故名“星云纹镜”。乳钉数目不等，少者三枚，多者十几枚，因有五星式、六星式、多星式星云镜之名称。有的学者认为：所谓星云系由蟠螭纹渐次演变而成，小乳钉系蟠螭骨节变幻，云纹则为蟠螭体之化身。星云纹镜，在我国很多地区都有出土，其中以河南、陕西和江苏发现较多。
②昭明镜
昭明镜，宣帝至王莽前流行的一种汉镜。铭文为“内清质以昭明，光辉向夫日月，心忽扬而愿忠，然雍塞而不泄”。但一般铜镜上铭文不全，有的字与字之间填上一个“而”的符号，字体多方折。
③透光镜
透光镜是西汉中晚期制作的具有特殊效果的被称为“魔镜”的铜镜。体现了光学和力学原理的铜镜，中国古代的一种青铜铸件。透光镜因在阳光照射下其背面的图文能映到墙上而得名。解析： 暂无解析 -
第20题：
填空题集成电路产业包括：IC设计、（）、IC封装、IC测试。正确答案： IC制造解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题例举出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个生产区域做简单描述。正确答案： 芯片厂中通常分为扩散区、光刻区、刻蚀区、离子注入区、薄膜生长区和抛光区6个生产区域：
扩散区是进行高温工艺及薄膜积淀的区域，主要设备是高温炉和湿法清洗设备；
②光刻区是芯片制造的心脏区域，使用黄色荧光管照明，目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上；
③刻蚀工艺是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形；
④离子注入是用高压和磁场来控制和加速带着要掺杂的杂质的气体；高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面，形成目标硅片；
⑤薄膜生长主要负责生产各个步骤中的介质层与金属层的淀积。
⑥抛光，即CMP（化学机械平坦化）工艺的目的是使硅片表面平坦化。解析： 暂无解析 -
第22题：
填空题测试过程中，（）用于描述测试的整体方案，（）描述依据测试案例找出的问题。正确答案： 测试计划,缺陷报告解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些？正确答案： 界面陷阱电荷、可移动氧化物电荷。解析： 暂无解析