例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试。
题目
例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试。
相似考题
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第1题：
例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测试。
正确答案:IC生产过程中的5种不同电学测试：
（1）IC设计验证：描述、调试和检验新的芯片设计，保证符合规格要求，是在生产前进行的。
（2）在线参数测试：为了监控工艺，在制作过程的早期（前端）进行的产品工艺检验测试。在硅片制造过程中进行。
（3）硅片拣选测试（探针）：产品功能测试，验证每一个芯片是否符合产品规格。在硅片制造后进行。
（4）可靠性：集成电路加电并在高温下测试，以发现早期失效（有时候，也在在线参数测试中进行硅片级的可靠性测试）。在封装的IC进行。
（5）终测：使用产品规格进行的产品功能测试。在封装的IC进行。 -
第2题：
例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
正确答案:金属用于硅片制造的七个要求：
1.导电率：为维持电性能的完整性，必须具有高电导率，能够传导高电流密度。
2.粘附性：能够粘附下层衬底，容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积：易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分（对于合金）。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化：为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形；大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性：为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化，金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力：很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效，比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。 -
第3题：
例举出工具测试中漏洞检测的工具（两项）、WEB应用检测（两项）及其他测试工具（两项）？
正确答案: 1）绿盟远程安全评估系统（RSAS）；
2）天镜脆弱性扫描与管理系统；
3）Nexpose；
4）Nessus；
5）明鉴WEB应用弱点扫描器；
6）IBM Rational Appscan；
7）Acunetix Web Vulnerability Scanner（WVS）；
8）Metasploit；
9）Backtrack-Linux；
10）Kali-Linux -
第4题：
测试过程中，（）用于描述测试的整体方案，（）描述依据测试案例找出的问题。
正确答案:测试计划；缺陷报告 -
第5题：
进行测试时，一般基于三种模型测试，三种模型差别主要在于（）。
- A、测试的介质不同
- B、测试的标准不同
- C、测试的类型不同
- D、测试的起点和终点不同
正确答案:D -
第6题：
例举并解释5个进行在线参数测试的理由。
正确答案:五个进行在线参数测试的理由为：
（1）鉴别工艺问题：硅片制造过程中工艺问题的早期鉴定（而不是等到已经完成了硅片制造才发现有问题进行测试。
（2）通过/失效标准：依据通过/失效标准决定硅片是否继续后面的制造程序。
（3）数据收集：为了改进工艺，收集硅片数据以评估工艺倾向（如沟道长度的改变）。
（4）特殊测试：在需要的时候评估特殊性能参数（如特殊客户需求）。
（5）硅片级可靠性：需要确定可靠性与工艺条件的联系时，进行随机的硅片级可靠性测试。 -
第7题：
问答题请描述厦门LTE海测时遵循的《TD-LTE水面覆盖场景测试规范》中要求的“测试典型配置参数”有哪些？正确答案： SRSFormat：Format1
帧结构：上/下行配置UL：DL=2：2，常规长度CP
特殊子帧配置（DwPTS：GP：UpPTS=3：9：2）
射频通道：8通道
小区功率：46dBm解析： 暂无解析 -
第8题：
填空题测试过程中，（）描述用于描述测试的整体方案，（）描述依据测试案例找出的问题。正确答案： 测试计划,缺陷报告解析： 暂无解析 -
第9题：
单选题以下选项中，不属于典型的V-模型的测试级别是（）A组件/单元测试
B集成测试
C回归测试
D验收测试
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题例举硅片制造厂房中的7种玷污源。正确答案： 硅片制造厂房中的七中沾污源：
（1）空气：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的；
（2）人：人是颗粒的产生者，人员持续不断的进出净化间，是净化间沾污的最大来源；
（3）厂房：为了是半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出；
（4）水：需要大量高质量、超纯去离子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生产。去离子水是硅片生产中用得最多的化学品
（5）工艺用化学品：为了保证成功的器件成品率和性能，半导体工艺所用的液态化学品必须不含沾污；
（6）工艺气体：气体流经提纯器和气体过滤器以去除杂质和颗粒；
（7）生产设备：用来制造半导体硅片的生产设备是硅片生产中最大的颗粒来源。解析： 暂无解析 -
第11题：
填空题测试过程中，（）用于描述测试的整体方案，（）描述依据测试案例找出的问题。正确答案： 测试计划,缺陷报告解析： 暂无解析 -
第12题：
单选题投射测试中的构造法的典型方法是（）。A场景描述测试
B视觉联想测试
C主题统觉测试
D主题场景测试
正确答案： A解析： 构造法。要被试根据他看到的图片，讲述一段含有过去、现在、将来等发展过程的故事。典型方法如主题统觉测试。 -
第13题：
例举硅片制造厂房中的7种玷污源。
正确答案:硅片制造厂房中的七中沾污源：
（1）空气：净化级别标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的；
（2）人：人是颗粒的产生者，人员持续不断的进出净化间，是净化间沾污的最大来源；
（3）厂房：为了是半导体制造在一个超洁净的环境中进行，有必要采用系统方法来控制净化间区域的输入和输出；
（4）水：需要大量高质量、超纯去离子水，城市用水含有大量的沾污以致不能用于硅片生产。去离子水是硅片生产中用得最多的化学品
（5）工艺用化学品：为了保证成功的器件成品率和性能，半导体工艺所用的液态化学品必须不含沾污；
（6）工艺气体：气体流经提纯器和气体过滤器以去除杂质和颗粒；
（7）生产设备：用来制造半导体硅片的生产设备是硅片生产中最大的颗粒来源。 -
第14题：
例举出硅片厂中使用的五种通用气体。
正确答案:氧气（O2）、氩气（Ar）、氮气（N2）、氢气（H2）和氦气（He）。 -
第15题：
以下选项中，不属于验收测试典型的类型有（）
- A、用户验收测试
- B、运行验收测试
- C、合同和法规性验收测试
- D、维护测试
正确答案:D -
第16题：
GB/T17544中，测试文档的种类包括（）
- A、测试计划
- B、测试描述
- C、测试报告
- D、测试用例
正确答案:A,C,D -
第17题：
例举在线参数测试的4个主要子系统。
正确答案:在线参数测试的4个主要子系统为：
（1）探针卡接口：是自动测试仪与待测器件之间的接口。
（2）硅片定位：为测试硅片，首先要确与探针接触的硅片的探针仪位置。
（3）测试仪器：高级集成电路需要能够在测试结构上快速、准确、重复地测量亚微安级电流和微法级电容的自动测试设备，它控制测试过程。
（4）作为网络主机或客户机的计算机：指导测试系统操作的计算机包括测试软件算法、自动测试设备、用于硅片定位的探查控制软件、测试数据的保存和控制、系统校准和故障诊断。 -
第18题：
投射测试中的构造法的典型方法是（）。
- A、场景描述测试
- B、视觉联想测试
- C、主题统觉测试
- D、主题场景测试
正确答案:C -
第19题：
问答题例举在线参数测试的4个主要子系统。正确答案： 在线参数测试的4个主要子系统为：
（1）探针卡接口：是自动测试仪与待测器件之间的接口。
（2）硅片定位：为测试硅片，首先要确与探针接触的硅片的探针仪位置。
（3）测试仪器：高级集成电路需要能够在测试结构上快速、准确、重复地测量亚微安级电流和微法级电容的自动测试设备，它控制测试过程
（4）作为网络主机或客户机的计算机：指导测试系统操作的计算机包括测试软件算法、自动测试设备、用于硅片定位的探查控制软件、测试数据的保存和控制、系统校准和故障诊断。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题例举并描述硅片拣选测试中的三种典型电学测试（第十九章）正确答案： 硅片拣选测试中的三种典型电学测试：
（1）DC测试：第一电学测试是确保探针和压焊点之间良好电学接触的连接性检查。这项检查保证了技术员的测试仪安装正常。
（2）输出检查：硅片挑选测试用来测试输出信号以检验芯片性能。主要验证输出显示的位电平（逻辑“1”或高电平，逻辑“0”或低电平），是否和预期的一致。
（3）功能测试：功能测试检验芯片是否按照产品数据规范的要求工作。功能测试软件程序测试芯片的所有方面，它将二进制测试图形加入被测器件并验证其输出的正确性。解析： 暂无解析 -
第21题：
填空题集成电路的制造分为五个阶段，分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。正确答案： 硅片的制备,硅片制造,装配和封装解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。正确答案： 金属用于硅片制造的七个要求：
1.导电率：为维持电性能的完整性，必须具有高电导率，能够传导高电流密度。
2.粘附性：能够粘附下层衬底，容易与外电路实现电连接。与半导体和金属表面连接时接触电阻低。
3.淀积：易于淀积并经相对的低温处理后具有均匀的结构和组分（对于合金）。能够为大马士革金属化工艺淀积具有高深宽比的间隙。
4.刻印图形/平坦化：为刻蚀过程中不刻蚀下层介质的传统铝金属化工艺提供具有高分辨率的光刻图形；大马士革金属化易于平坦化。
5.可靠性：为了在处理和应用过程中经受住温度循环变化，金属应相对柔软且有较好的延展性。
6.抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，在层与层之间以及下层器件区具有最小的化学反应。
7.应力：很好的抗机械应力特性以便减少硅片的扭曲和材料失效，比如断裂、空洞的形成和应力诱导腐蚀。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题例举出硅片厂中使用的五种通用气体。正确答案： 氧气（O2）、氩气（Ar）、氮气（N2）、氢气（H2）和氦气（HE.解析： 暂无解析