CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
题目
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
相似考题
参考答案和解析
正确答案:
CVD过程包括两个部分：一、反应剂在边界层中的输运二、反应剂在衬底表面的化学反应
存在两种极限情况：①hg>>ks，Cs趋于Cg，淀积速率受表面化学反应速率控制。反应剂数量：主气流输运到硅片表面的﹥表面化学反应所需要的②hg<0e−EA/KT淀积速率随温度的升高而成指数增加。②高温情况下，质量输运控制由于反应速度的加快，输运到表面的反应剂数量低于该温度下表面化学反应所需要的数量，这时的淀积速率将转为由质量输运控制，基本不再随温度变化而变化。
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第1题：
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
正确答案: 反应室类型热壁：反应室腔壁与硅片及支撑件同时加热。一般为电阻丝加热，可精确控制反应腔温度和均匀性。适合对温度控制要求苛刻的化学反应控制淀积系统，腔内各处都发生薄膜生长。冷壁：仅对硅片和支撑件加热，一般采用辐照加热和射频加热，升降温快速，但温度均匀性差，适合对温度要求不高的质量输运控制。冷壁系统能够降低在侧壁上的淀积，减小了反应剂的损耗，也减小壁上颗粒剥离对淀积薄膜质量的影响。 -
第2题：
二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
正确答案:氧化；气相 -
第3题：
损伤的分布与注入离子在在靶内的（）的分布密切相关。
- A、能量淀积
- B、动量淀积
- C、能量振荡
- D、动量振荡
正确答案:A -
第4题：
淋溶（eluviation）与淀积（illuviation）过程
正确答案: 淋溶：在雨水天然下渗或人工灌溉，上方土层中的某些矿物盐类或有机物质溶解并转移到下方土层中的过程。有时入渗水因呈酸性，可将土壤中的石灰质等可溶盐类溶解转移，而一些较难移动的氧化铁质与黏土等则被冲积在土壤剖面的B层当中。
淀积：指土壤水下渗至剖面下层沉淀其中某些溶解物或悬浮物的过程 -
第5题：
腐殖质淀积层
正确答案: 由腐殖质淀积形成的暗色土层。 -
第6题：
名词解释题化学气相淀积正确答案： 一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题淀积的主要作用是什么？正确答案： 生成器件制造所需的材料解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？正确答案： （1）高温分解：通常在无氧的条件下，通过加热化合物分解
（2）光分解：利用辐射使化合物的化学键断裂分解
（3）还原反应：反应物分子和氢发生的反应
（4）氧化反应：反应物原子或分子和氧发生的反应
（5）氧化还原反应：还原反应和氧化反应的组合，反应后形成两种新的化合物解析： 暂无解析 -
第9题：
判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的，APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？正确答案： ①晶体生长或成膜的质量好；②淀积温度低，便于控制；③可使淀积衬底的表面积扩大，提高淀积效率。解析： 暂无解析 -
第11题：
名词解释题预淀积正确答案： 与扩散实在较低温度下，采用恒定表面源扩散方式，在硅片表面扩散一层数量一定按余误差函数形式分布的杂质，由于温度较低，且时间较短，杂质的扩散很浅，可认为杂质是均匀分布在一薄层内目的是控制扩散杂质的数量。解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第13题：
物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。
正确答案: 物理气相淀积：蒸发Evaporation、溅射Sputtering热蒸发法：在真空条件下，加热蒸发源，使原子或分子从蒸发源表面逸出，形成蒸气流并入射到衬底表面，凝结形成固态薄膜。溅射概念与机理：基本原理，真空腔中有一个平行板等离子体反应器，非常类似于简单的反应离子刻蚀系统。
将靶材放置在具有最大离子电流的电极上，高能离子将所要淀积的材料从靶材中轰击出来。靶与晶圆片相距十分近（小于10cm），出射原子大部分能被晶圆所收集。 -
第14题：
通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。
- A、再分布
- B、等表面浓度扩散
- C、预淀积
- D、等总掺杂剂量扩散
正确答案:C -
第15题：
淀积粘化
正确答案: 由上部土层淋洗迁移而来的次生粘土矿物过程，称为淀积粘化。在淋溶作用较强的地区则兼有残积粘化和淀积粘化的双重作用。 -
第16题：
淀积黏粒胶膜
正确答案: 黏粒淋移淀积形成的胶膜。 -
第17题：
判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第18题：
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第19题：
判断题在LPCVD中，由于hG>>kS，即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是表面反应速率控制A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么？正确答案： 在升温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，可以在硅片上得到一层热生长的氧化层；沉积的氧化层可以通过外部供给氧气和硅源，使它们在腔体中反应，从而在硅片表面形成一层薄膜。解析： 暂无解析 -
第21题：
问答题物理气相淀积主要有哪三种技术？正确答案： 蒸镀、溅射、分子束外延生长解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？正确答案： 溅射是物理气相淀积形式之一，是一种薄膜淀积技术。
工作方式：在溅射过程中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞 击出原子。这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在硅片上。
优点：
1.具有淀积并保持复杂合金原组分的能力。
2.能够淀积高温熔化和难溶金属。
3.能够在直径为200毫米或更大的硅片上控制淀积均匀薄膜。
4.具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题化学气象淀积是什么？正确答案： 通过气态物质的化学反应，wafer表面淀积一层固态薄膜材料的工艺解析： 暂无解析