耗尽型NMOS管

题目

耗尽型NMOS管

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1.vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管

2.()场效应管能采取自偏压电路。A、增强型和结型B、耗尽型和结型C、都不能D、增强型和耗尽型

3.功率场效应晶体管一般为()。A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型

4.在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

参考答案和解析
正确答案:栅极电压为零时已经形成导电沟道，必须在栅极上加上负电压，才使沟道消失，称为耗尽型NMOS管。
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  • 第1题：

    功率场效应晶体管一般为()。

    A、N沟道耗尽型

    B、N沟道增强型

    C、P沟道耗尽型

    D、P沟道增强型


    正确答案:B

  • 第2题：

    场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。

    A.增强型

    B.耗尽型

    C.增强型和耗尽型

    D.以上均不对


    参考答案:C

  • 第3题：

    结型场效应管可分为（）。

    • A、MOS管和MNS管
    • B、N沟道和P沟道
    • C、增强型和耗尽型
    • D、NPN型和PNP型

    正确答案:B

  • 第4题：

    结型场效应管的类型有（）。

    • A、N沟道结型场效应管
    • B、P沟道结型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第5题：

    场效应管按结构分为结型和（）。

    • A、绝缘栅型
    • B、耗尽型
    • C、增强型

    正确答案:A

  • 第6题：

    某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

    • A、P沟道耗尽型MOS管
    • B、N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管
    • D、N沟道增强型MOS管

    正确答案:B

  • 第7题：

    当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。

    • A、JFET
    • B、增强型MOS管
    • C、耗尽型MOS管
    • D、NMOS管

    正确答案:B

  • 第8题：

    耗尽型NMOS管


    正确答案: 栅极电压为零时已经形成导电沟道，必须在栅极上加上负电压，才使沟道消失，称为耗尽型NMOS管。

  • 第9题：

    NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。


    正确答案:导通

  • 第10题：

    问答题
    耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？

    正确答案： 耗尽型负载nMOS反相器的制造工艺更加复杂，但可以有陡峭的VTC过渡和更好的噪声容限，并且是单电源供电，整体的版图面积也较小。另外，在CMOS电路中使用耗尽型晶体管还能减少漏电流。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    名词解释题
    增强型NMOS管

    正确答案： 栅极电压为正时形成导电沟道的NMOS管，称为增强型NMOS管。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    问答题
    解释增强型晶体管和耗尽型晶体管使用情况的区别。

    正确答案： 增强型和耗尽型场效应晶体管，总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。这两种类型的FET各有其特点和用途。一般，增强型FET在高速、低功耗电路中很有使用价值;并且这种器件在工作时，它的栅偏电压的极性与漏极电压的相同，则在电路设计中较为方便。
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    结型场效应管的类型有()。

    A.N沟道结型场效应管

    B.P沟道结型场效应管

    C.N沟道增强型MOS管

    D.P沟道增强型MOS管

    E.N沟道耗尽型MOS管

    F.P沟道耗尽型MOS管


    参考答案：AB

  • 第14题：

    什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）


    正确答案：
     

  • 第15题：

    增强型NMOS管


    正确答案:栅极电压为正时形成导电沟道的NMOS管，称为增强型NMOS管。

  • 第16题：

    场效应管的类型有（）。

    • A、结型场效应管
    • B、绝缘栅型场效应管
    • C、N沟道增强型MOS管
    • D、P沟道增强型MOS管
    • E、N沟道耗尽型MOS管
    • F、P沟道耗尽型MOS管

    正确答案:A,B

  • 第17题：

    场效应管按性能分为耗尽型和（）。

    • A、绝缘栅型
    • B、耗尽型
    • C、增强型

    正确答案:C

  • 第18题：

    耗尽型场效应管中，用Vp表示（）电压。


    正确答案:夹断

  • 第19题：

    下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。

    • A、N沟道JFET
    • B、增强~AIPMOS管
    • C、耗尽型NMOS管
    • D、耗尽型PMOS管

    正确答案:B

  • 第20题：

    CMOS反相器基本电路包括（）

    • A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管
    • B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管
    • D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

    正确答案:A

  • 第21题：

    单选题
    当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。
    A

    积累

    B

    耗尽

    C

    导通

    D

    夹断


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    单选题
    NMOS器件的衬底是（）型半导体。
    A

    N型

    B

    P型

    C

    本征型

    D

    耗尽型


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）
    A

    大于零

    B

    等于零

    C

    大于0.7V

    D

    小于零


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    名词解释题
    耗尽型NMOS管

    正确答案： 栅极电压为零时已经形成导电沟道，必须在栅极上加上负电压，才使沟道消失，称为耗尽型NMOS管。
    解析： 暂无解析

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