IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极

题目

IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）

  • A、阳极、漏极、集电极
  • B、栅极、集电极、发射极
  • C、阴极、漏极、集电极
  • D、阴极、栅极、集电极
相似考题

1.IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式

2.GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。

3.一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。

4.已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

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  • 第1题：

    下列全控型器件中开关速度最快的是（）。

    • A、GTO
    • B、GTR
    • C、MOSFET
    • D、IGBT

    正确答案:C

  • 第2题：

    下列电力电子器件属于全控型器件的是（）。

    • A、SCR
    • B、GTO
    • C、GTR
    • D、MOSFET
    • E、IGBT

    正确答案:B,C,D,E

  • 第3题：

    双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。


    正确答案:正确

  • 第4题：

    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。


    正确答案:门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。

  • 第5题：

    在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。


    正确答案:SCR；GTO、GTR、MOSFET、IGBT；SCR、GTO、GTR

  • 第6题：

    IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。


    正确答案:正确

  • 第7题：

    判断题
    在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第8题：

    判断题
    轻型高压直流输电采用开通与关断均可控制的全控型电力电子器件，目前最为常用的是IGBT器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第9题：

    多选题
    绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。
    A

    相控型

    B

    全控型

    C

    电压控制型

    D

    复合型

    E

    双极型


    正确答案： E,A
    解析： 暂无解析

  • 第10题：

    判断题
    IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    问答题
    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

    正确答案： 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）
    A

    是电压驱动型器件

    B

    也称为绝缘栅极双极型晶体管

    C

    属于全控型器件

    D

    三个极为漏极、栅极和源极


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    IGBT是（）型器件。

    • A、全控
    • B、半控

    正确答案:A

  • 第14题：

    下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）

    • A、是电压驱动型器件
    • B、也称为绝缘栅极双极型晶体管
    • C、属于全控型器件
    • D、三个极为漏极、栅极和源极

    正确答案:B

  • 第15题：

    在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。


    正确答案:电力二极管；晶闸管；GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT；电力MOSFET；电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；IGBT；晶闸管；电力MOSFET；电力MOSFET、IGBT；晶闸管、GTO、GTR

  • 第16题：

    在全控型器件中，IGBT的开关速度低，开关损耗大。


    正确答案:错误

  • 第17题：

    IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。


    正确答案:正确

  • 第18题：

    下列电力电子器件中不属于全控型器件的是（）。

    • A、SCR
    • B、GTO
    • C、GTR
    • D、IGBT

    正确答案:A

  • 第19题：

    单选题
    IGBT是（）型器件。
    A

    全控

    B

    半控


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第20题：

    判断题
    一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第21题：

    单选题
    下列器件中为全控型器件的是（）。
    A

    双向晶闸管

    B

    快速晶闸管

    C

    光控晶闸管

    D

    功率场效应晶体管


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    判断题
    IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 错
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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