GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。
题目
GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。
相似考题
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第1题：
电力电子器件是构成变频器的关键器件之一。下列电力电子器件中属于半控型器件的是（）
- A、SCR
- B、GTR或BJT
- C、MOSFET
- D、IGBT
正确答案:A -
第2题：
GTO一种全控型电力电子器件。
正确答案:正确 -
第3题：
为什么普通晶闸管是半控型器件，而GTO是全控型器件？
正确答案:普通晶闸管只能通过门极控制其导通不能控制其关断，因此是半控器件。但是GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断，因此是全控器件。 -
第4题：
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
电力晶体管GTR：
（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
门极可关断晶闸管GTO：
（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
电力场效应管MOSFET：
（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
（2）缺点：电流容量小、耐压低。 -
第5题：
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。
- A、GTR驱动的MOSFET
- B、MOSFET驱动的GTR
- C、MOSFET驱动的晶闸管
- D、MOSFET驱动的GTO
正确答案:B -
第6题：
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
正确答案:电力二极管；晶闸管；GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT；电力MOSFET；电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；IGBT；晶闸管；电力MOSFET；电力MOSFET、IGBT；晶闸管、GTO、GTR -
第7题：
在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
正确答案:SCR；GTO、GTR、MOSFET、IGBT；SCR、GTO、GTR -
第8题：
门极可关断的晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，属于（）器件。
- A、不可控型
- B、半控型
- C、全控型
- D、以上答案全错
正确答案:C -
第9题：
单选题IGBT是（）型器件。A全控
B半控
正确答案： A解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。正确答案： 绝缘栅双极晶体管IGBT：
（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
电力晶体管GTR：
（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
门极可关断晶闸管GTO：
（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
电力场效应管MOSFET：
（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
（2）缺点：电流容量小、耐压低。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题为什么普通晶闸管是半控型器件，而GTO是全控型器件？正确答案： 普通晶闸管只能通过门极控制其导通不能控制其关断，因此是半控器件。但是GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断，因此是全控器件。解析： 暂无解析 -
第12题：
填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。正确答案： SCR,GTO、GTR、MOSFET、IGBT,SCR、GTO、GTR解析： 暂无解析 -
第13题：
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
正确答案: IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。 -
第14题：
GTO是（）型器件。
- A、全控
- B、半控
正确答案:A -
第15题：
IGBT是（）型器件。
- A、全控
- B、半控
正确答案:A -
第16题：
下列电力电子器件属于全控型器件的是（）。
- A、SCR
- B、GTO
- C、GTR
- D、MOSFET
- E、IGBT
正确答案:B,C,D,E -
第17题：
下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是（）
- A、GTO和SCR
- B、GTR和电力二极管
- C、GTR和SCR
- D、GTO和GTR
正确答案:D -
第18题：
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
正确答案:门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。 -
第19题：
IGBT是电压型驱动的全控型开关器件。
正确答案:正确 -
第20题：
下列电力电子器件中不属于全控型器件的是（）。
- A、SCR
- B、GTO
- C、GTR
- D、IGBT
正确答案:A -
第21题：
单选题GTO是（）型器件。A全控
B半控
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第22题：
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。AGTO和GTR；
BTRIAC和IGBT；
CMOSFET和IGBT；
DSCR和MOSFET；
正确答案： B解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。正确答案： 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大，与普通晶闸管接近，在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管，开关特性好，在中、小功率范围内广泛使用。
场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但电流容量小，耐压低，一般用于功率不超过10kw的系统。
绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场，成为中小功率系统的主导器件，并正在提高电压、电流容量，将取代GTO的地位。解析： 暂无解析