简述薄膜材料的形成过程，什么是分子束外延？什么是超晶格？
题目
简述薄膜材料的形成过程，什么是分子束外延？什么是超晶格？
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第1题：
简述高分子包薄膜衣材料有哪些？
正确答案:包薄膜衣比包糖衣简单快速，对片剂的影响较小，实际工作中使用较多，常用的高分子包薄膜衣材料有：
1.普通型薄膜包衣材料：主要是纤维素类衍生物，包括羟丙甲纤维素、羟乙基纤维素、甲基纤维素和羟丙纤维素等。
2.缓释型包衣材料：常用中性的甲基丙烯酸酯共聚物和乙基纤维素。
3.肠溶包衣材料：常用的有醋酸纤维素酞酸酯（CAP），聚乙烯醇酞酸酯（PVAP），甲基丙烯酸共聚物等。 -
第2题：
什么是氧化？什么是脱碳？简述原材料氧化、脱碳的形成原因及其危害性。
正确答案:原材料的氧化与脱碳是材料在轧制过程中，在高温下与氧或二氧化碳、水蒸气、二氧化硫等氧化性气体相互作用的结果。
氧化是指钢及铁基合金的材料在加热、轧制和冷却过程中，在表面生成的氧化皮，即金属氧化物。对于冷压力加工的钢材（如冷轧、拉丝等），以及用于镀层的钢板来说，氧化皮的存在不仅会影响制品的表面质量，而且会增加工具（轧辊及模具）的磨损。在这种情况下，氧化皮就是缺陷，是不允许存在的。另外.由于轧制过程中氧化皮去除得不干净，部分氧化皮嵌入金属表面，也构成了缺陷。
脱碳是指钢及铁基合金的材料或制件的表层内的碳全部或部分失掉的现象，它是钢材表面含碳量降低的一种缺陷。例如钢锭经热轧及退火后表面有脱碳，若钢材供货时圆度过大，使加工后表面残留脱碳层，表面脱碳增加了余量，若脱碳在加工余量以外时，会使零件疲劳性能大大降低，并给热处理带来淬不硬、表面裂纹等缺陷。 -
第3题：
简述分子束外延装置特点
正确答案:可精确控制膜厚，实现外延生长，获得高洁净度的膜层。 -
第4题：
什么是晶格？什么是布拉菲格子？什么是配位数？
正确答案: 晶体中原子排列的具体形式称为晶格。
布拉菲格子是矢量R1=l1a1+l2a2+l3a3全部端点的集合，其中l1，l2，l3为整数。a1，a2，a3为原胞基矢。
配位数是指一个原子周围最近邻原子的数目。 -
第5题：
什么是共振，并从能量角度简述共振的形成过程？
正确答案: 当系统的外加激励与系统的固有频率接近时候，系统发生共振；共振过程中，外加激励的能量被系统吸收，系统的振幅逐渐加大。 -
第6题：
什么是尸僵？简述尸僵形成的原因及过程。
正确答案:刚刚宰后的肌肉，各种生物细胞内的生物化学反应仍在继续进行但是由于放血带来了体液平衡的破坏、供氧的停止，整个细胞内很快变成无氧状态，从而使葡萄糖和肌糖原的有氧分解变成无氧酵解，在有氧条件下一分子的葡萄糖可以产生39个ATP分子，而在无氧条件下只能产生3个ATP，从而ATP的供应受阻，肌肉内ATP的含量迅速下降和乳酸浓度的提高，肌浆网钙泵的功能丧失，是肌浆网中的Ca2+逐渐释放而得不到回收，钙离子浓度升高，引起肌动蛋白沿着肌球蛋白滑动收缩，另一方面引起肌球蛋白头部的ATP酶活化，加快ATP浓度加速下降，同时由于ATP的丧失又促使肌动蛋白与肌球蛋白之间的结合形成不可逆的肌动球蛋白，从而引起肌肉连续且不可逆的收缩，收缩达到最大程度时即形成了肌肉的宰后僵直，也称尸僵。
氧气供应停止---细胞内生物化学反应继续进行---形成ATP少，肌肉内ATP浓度迅速下降---加上乳酸浓度提高---肌浆网钙泵丧失功能---释放大量钙离子，而得不到回收---引起肌动蛋白沿着肌球蛋白滑动收缩---并活化肌球蛋白头部的ATP酶---ATP丧失---形成不可逆的肌动球蛋白---引起连续不可逆收缩---尸僵。 -
第7题：
问答题简述分子束外延制备纳米薄膜的特点。正确答案： 分子束外延基本原理：
在超高真空的条件下利用Kunsen蒸发器中的蒸发出的分子束或原子束在真空室中不受碰撞直接沉积在衬底表面，沿着原来衬底的晶格方向进行生长的一种方法。
该法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度，但系统复杂，生长速度慢，生长面积也受到一定限制。
特点：
（1）生长速率极慢，每秒1—10埃，因而可以生长极薄而厚度均匀的外延层，实际上是一种原子级的加工技术；
（2）外延生长的温度低，可以避免衬底与外延层间的杂质在扩散，而获得杂质浓度分布异常陡峭p—n结，同时又避免通常在高温下产生的热缺陷；
（3）生长是在超高真空中进行的，衬底表面经过处理可成为完全清洁的，在外延过程中可避免沾污，因而能生长出质量极好的外延层。在分子束外延装置中，一般还附有用以检测表面结构、成分和真空残余气体的仪器，可以随时监控外延层的成分和结构的完整性。解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题简述分子束外延装置特点正确答案： 可精确控制膜厚，实现外延生长，获得高洁净度的膜层。解析： 暂无解析 -
第9题：
问答题分子束外延生长有什么特点？正确答案： 只能在超真空中进行且量产较低、在GaAs基片上生长无限多外延层、可以控制参杂的深度和精度到纳米级解析： 暂无解析 -
第10题：
问答题什么是液相外延、气相外延和分子束外延？正确答案： （1）液相外延：采用从溶液中再结晶原理的外延生长方法称液相外延；
（2）气相外延：使化学气体中半导体成分结晶在衬底表面，从而生长出半导体层的过程；
（3）分子束外延：在超高真空条件下精确控制原材料的分子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。解析： 暂无解析 -
第11题：
问答题什么是尸僵？简述尸僵形成的原因及过程。正确答案： 刚刚宰后的肌肉，各种生物细胞内的生物化学反应仍在继续进行但是由于放血带来了体液平衡的破坏、供氧的停止，整个细胞内很快变成无氧状态，从而使葡萄糖和肌糖原的有氧分解变成无氧酵解，在有氧条件下一分子的葡萄糖可以产生39个ATP分子，而在无氧条件下只能产生3个ATP，从而ATP的供应受阻，肌肉内ATP的含量迅速下降和乳酸浓度的提高，肌浆网钙泵的功能丧失，是肌浆网中的Ca2+逐渐释放而得不到回收，钙离子浓度升高，引起肌动蛋白沿着肌球蛋白滑动收缩，另一方面引起肌球蛋白头部的ATP酶活化，加快ATP浓度加速下降，同时由于ATP的丧失又促使肌动蛋白与肌球蛋白之间的结合形成不可逆的肌动球蛋白，从而引起肌肉连续且不可逆的收缩，收缩达到最大程度时即形成了肌肉的宰后僵直，也称尸僵。
氧气供应停止---细胞内生物化学反应继续进行---形成ATP少，肌肉内ATP浓度迅速下降---加上乳酸浓度提高---肌浆网钙泵丧失功能---释放大量钙离子，而得不到回收---引起肌动蛋白沿着肌球蛋白滑动收缩---并活化肌球蛋白头部的ATP酶---ATP丧失---形成不可逆的肌动球蛋白---引起连续不可逆收缩---尸僵。解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题量子阱和超晶格有什么相同和不同？正确答案： 相同：均为两种或两种以上的半导体材料交替生长出的周期性薄层的微结构材料。
不同：多量子阱载流子波函数之间耦合很小，且势垒足够厚；超晶格势垒很薄，势垒间耦合强烈。解析： 暂无解析 -
第13题：
什么是核小体？简述其形成过程。
正确答案: 核小体是染色质的基本结构单位，由200bpDNA和组蛋白八聚体组成。
形成过程：核小体是由H2A、H2B、H3、H4各两个分子生成的八聚体和由大约200bp的DNA组成的。形成核小体时八聚体在中间，DNA分子盘绕在外组成真核细胞染色体的一种重复珠状结构。 -
第14题：
简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。
正确答案: 三种装置不仅可以用于硅外延生长，也较广泛的用于GaAs，AsPAs，GeSi合金和SiC等其它外延层生长；还可用于氧化硅、氮化硅；多晶硅基金属等薄膜的沉积。
（1）卧式反应器可以用于硅外延生长，装置3～4片衬底 。
（2）立式反应器可以用于硅外延生长，装置6～8片衬底/次。
（3）桶式反应器可以用于硅外延生长，装置24～30片衬底/次。 -
第15题：
高分子的晶格缺陷是由什么原因造成的？为什么高分子具有更多的晶格缺陷？
正确答案:高分子晶格缺陷是由端基、链扭结、链扭结引起的局部构象错误所致。由于聚合物具有长链结构的特点，结晶时链段并不能充分自由运动，就妨碍了分子链的规整的堆砌排列，因而高分子晶体内部往往含有比小分子更多的缺陷。 -
第16题：
简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是什么？
正确答案: 生长过程：①传输：反应物从气相经边界层转移到Si表面；②吸附：反应物吸附在Si表面；③化学反应：在Si表面进行化学反应，得到Si及副产物；④脱吸：副产物脱离吸附；⑤逸出：脱吸的副产物从表面转移到气相，逸出反应室；⑥加接：生成的Si原子加接到晶格点阵上，延续衬底晶向
生长特征：横向二维的层层长。晶面的构造可用三个密切联系的特征表示：平台、扭转、台阶
如果吸附原子A保持不动，其他硅原子可以被吸附过来，形成硅串或硅岛。大量的硅串在合并时，必定会产生严重的缺陷或形成多晶薄膜。
如果吸附原子具有比较高的能量，那么这个原子更倾向于沿着表面迁移，如果迁移到一个台阶边缘的位置，如图B位置，由于Si-Si键的相互作用，位置B比位置A更稳定，吸附原子就有很大的可能性保持在此位置。吸附原子最稳定的位置是所谓的扭转位置，如图中的位置C。当吸附原子到达一个扭转位置时，形成了一半的Si-Si键，进一步的迁移就不太可能发生了。在继续生长过程中，更多的吸附原子必定会迁移到扭转位置，从而加入到生长的薄膜中。 -
第17题：
什么是高聚物的取向？为什么有的材料（如纤维）进行单轴取向，有的材料（如薄膜），则需要双轴取向？说明理由。
正确答案: 当线形高分子充分伸展的时候，其长度为宽度的几百、几千甚至几万倍，具有明显的几何不对称性。因此，在外力场作用下，分子链、链段及结晶高聚物的晶片、晶带将沿着外场方向排列，这一过程称为取向。
对于不同的材料，根据不同的使用要求，要采用不同的取向方式，如单轴取向和双轴取向。单轴取向是高聚物材料只沿一个方向拉伸，分子链、链段或晶片、晶带倾向于沿着与拉伸方向平行的方向排列。对纤维进行单轴取向，可以提高取向方向上纤维的断裂强度（因断裂时主价键的比例增加），以满足其应用的要求。双轴取向是高聚物材料沿着它的平面纵横两个方向拉伸，高分子链倾向于与平面平行的方向排列，但在此平面内分子链的方向是无规的。薄膜虽然也可以单轴拉伸，但单轴取向的薄膜，其平面内出现明显的各向异性，在平行于取向的方向上，薄膜的强度有所提高，但在垂直于取向方向上却使其强度下降了，实际强度甚至比未取向的薄膜还差，如包装用的塑料绳（称为撕裂薄膜）就是这种情况。因此，薄膜需要双轴取向，使分子链取平行于薄膜平面的任意方向。这样，薄膜在平面上就是各向同性的，能满足实际应用的要求。 -
第18题：
简述什么是硫酸烟雾型污染并说明其形成条件与形成过程。
正确答案: 硫酸烟雾型污染又称伦敦烟雾，是由于燃煤而排放出来的SO2、颗粒物以及SO2氧化所形成的硫酸及硫酸颗粒物等的混合物所造成的大气污染现象。
形成条件：大气中有SO2和颗粒物。①污染源条件→燃煤的设备和场所；②气象条件→高湿低温、日光较弱；逆温、风力不大
在硫酸烟雾的形成过程中，SO转化成SO3的氧化反应主要是雾滴中锰、铁的催化作用而形成硫酸及硫酸盐。 -
第19题：
问答题什么叫做分子束外延？什么叫做同质外延？什么叫做异质外延？正确答案： 在超高真空中（气压<10-6Pa），通过精确控制各组分元素的分子束流，喷射到一定温度的基片表面，并在基片表面实现薄膜与基片的共格外延生长。
若外延层与基片为同种材料，则称为同质外延，如在单晶硅上的硅外延层等；若外延层与基片为不同材料，则称为异质外延，如蓝宝石上外延硅层等。解析： 暂无解析 -
第20题：
问答题分子外延术的优点是什么？正确答案： （1）可以把要求高真空条件工作的分析装置结合到外延生长系统中去。
（2）它的生长速率可以调节得很慢，使得外延层厚度可以得到精确控制，生长表面或界面可达到原子级光滑度，因而可制备极薄的薄膜；
（3）由于吸附原子有较宽裕的表面扩散时间来“找到”最低能量位置，分子束外延的生长温度一般比较低，这就能把诸如扩散这类不希望出现的热激活过程减少到最低；
（4）只要加上带有合适闸门的源箱，就能很方便地引入不同种类的分子束，为在较大范围内控制薄膜的组分和掺杂浓度，研制具有复杂剖面分布的结构提供了条件；
（5）还具有生长技术要素独立可控的特点，这在生长技术和生长机理的研究中非常有用。解析： 暂无解析 -
第21题：
名词解释题分子束外延（MBE）正确答案： 在超高真空下，利用薄膜组分元素受热蒸发所形成的原子或分子数，直接射到沉底表面，形成外延层。解析： 暂无解析 -
第22题：
问答题什么是高分子聚合物材料？简述其特征。正确答案： 高分子聚合物是指一种或几种低分子化合物（单体）聚合而成的高分子有机物质。
特征：质轻，其相对密度一般在0.8-2.2之间；品质系数（高聚物的强度与表观密度之比）高，接近甚至超过钢材；弹性好；高聚物的吸水性和透水蒸气性都很低；高聚物耐酸、耐碱等抗腐蚀性能优于金属和无机材料；高聚物一般都能消声、吸震、绝缘、透明，同时原料丰富，加工成型容易。缺点是：易老化，耐热性低，在加工和使用的过程中，使用性能逐渐变坏。解析： 暂无解析 -
第23题：
问答题高分子的晶格缺陷是由什么原因造成的？为什么高分子具有更多的晶格缺陷？正确答案： 高分子晶格缺陷是由端基、链扭结、链扭结引起的局部构象错误所致。由于聚合物具有长链结构的特点，结晶时链段并不能充分自由运动，就妨碍了分子链的规整的堆砌排列，因而高分子晶体内部往往含有比小分子更多的缺陷。解析： 暂无解析