LED的材料制备包括什么（）。A、外延片的制备B、衬底材料的制备C、外延片的生长D、衬底材料的生长
题目
LED的材料制备包括什么（）。
- A、外延片的制备
- B、衬底材料的制备
- C、外延片的生长
- D、衬底材料的生长
相似考题
更多“LED的材料制备包括什么（）。A、外延片的制备B、衬底材料的制备C、外延片的生长D、衬底材料的生长”相关问题
-
第1题：
制备口服缓控释制剂，可选用( )
A、制成渗透泵片
B、蜡类为基质做成溶蚀性骨架片
C、用PEG类作基质制备固体分散体
D、用不溶性材料作骨架制备片剂
E、用EC包衣制成微丸，装入胶囊
正确答案：C
解析：PEG为水溶性固体分散体的载体材料，将药物高度分散其中，可促进药物溶出，起到速效、高效的作用，因此不可用于制备口服缓控释制剂。而A、B、D、E选项均为制备口服缓控释制剂的常用方法。
-
第2题：
LED地材料制备包括什么?()A.外延片地制备
B.衬底材料地制备
C.外延片地生长
D.衬底材料地生长
正确答案：BC
-
第3题：
硅外延生长工艺包括（）。
- A、衬底制备
- B、原位HCl腐蚀
- C、生长温度，生长压力，生长速度
- D、尾气的处理
正确答案:A,B,C,D -
第4题：
渗透泵型片剂可分为（）片，目前最常用的半透膜材料是（）。双室渗透泵片适于制备（）或（）药物的渗透泵片。
正确答案:单室渗透与双室渗透；醋酸纤维素（乙基纤维素）；水溶性大；难溶于水的药物 -
第5题：
材料制备技术的含义和内容是什么？
正确答案:材料制备指通过材料制备过程获得的新材料应在化学成分、元素分布或组织结构上与原材料有明显不同的金属包括 纯金属材料的冶金和提取、合金材料的熔制，以及为满足和提高材料的性能和质量要求而采取的各种工艺技术方法，如变质处理、熔体净化、快速凝固、定向结晶和粉末冶金等。陶瓷材料的主要包括粉末、压制成型和烧结等工艺过程。高分子材料的制备主要为高分子的聚合。 -
第6题：
判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异质外延两大类。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第7题：
问答题什么是纳米材料？简述纳米材料的主要制备方法和工艺。正确答案： 纳米材料：通常定义为材料的显微结构中，包括颗粒直径、晶粒大小、晶界、厚度等特征尺寸都处于纳米尺寸水平的材料。（指材料块体中的颗粒、粉体粒度在10-100nm之间，使其某些性质发生突变的材料）
主要制备方法和工艺：气相冷凝法、球磨法、非晶晶化法、溶胶－凝胶法。解析： 暂无解析 -
第8题：
问答题简述分子束外延制备纳米薄膜的特点。正确答案： 分子束外延基本原理：
在超高真空的条件下利用Kunsen蒸发器中的蒸发出的分子束或原子束在真空室中不受碰撞直接沉积在衬底表面，沿着原来衬底的晶格方向进行生长的一种方法。
该法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度，但系统复杂，生长速度慢，生长面积也受到一定限制。
特点：
（1）生长速率极慢，每秒1—10埃，因而可以生长极薄而厚度均匀的外延层，实际上是一种原子级的加工技术；
（2）外延生长的温度低，可以避免衬底与外延层间的杂质在扩散，而获得杂质浓度分布异常陡峭p—n结，同时又避免通常在高温下产生的热缺陷；
（3）生长是在超高真空中进行的，衬底表面经过处理可成为完全清洁的，在外延过程中可避免沾污，因而能生长出质量极好的外延层。在分子束外延装置中，一般还附有用以检测表面结构、成分和真空残余气体的仪器，可以随时监控外延层的成分和结构的完整性。解析： 暂无解析 -
第9题：
填空题砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延正确答案： 气相,气束解析： 暂无解析 -
第10题：
填空题根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。正确答案： 气相外延,液相外延,固相外延解析： 暂无解析 -
第11题：
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第12题：
问答题制备金属基体复合材料时，制备工艺的选择原则？金属基复合材料的制造难点是什么？正确答案： 一、1）基体与增强剂的选择，基体与增强剂的结合；2）界面的形成机制，界面产物的控制及界面设计；3）增强剂在基体中的均匀分布；4）制备工艺方法及参数的选择和优化；5）制备成本的控制和降低，工业化应用的前景。
二、①容易发生界面反应，因为需要高的制造温度（高于或接近于基体的熔点）；②许多增强纤维对基体的浸润性差，甚至不完全浸润；③如何均匀分布增强体。解析： 暂无解析 -
第13题：
利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?答案：电极成型、研磨、切割等工艺。
-
第14题：
制备口服缓控释制剂，不可选用A:制成渗透泵片
B:用蜡类为基质做成溶蚀性骨架片
C:用PEG类作基质制备固体分散体
D:用不溶性材料作骨架制备片剂
E:用EC包衣制成微丸，装入胶囊答案：C解析：PEG为水溶性固体分散体的载体材料，将药物高度分散其中，可促进药物溶出，起到速效、高效的作用，因此不可用于制备口服缓控释制剂。而A、B、D、E选项均为制备口服缓控释制剂的常用方法。故本题答案选择C。 -
第15题：
目前LED产业链主要包括（）。
- A、衬底制造
- B、外延及芯片制造
- C、封装
- D、应用
正确答案:A,B,C,D -
第16题：
电石是用来（）的材料之一。
- A、发电
- B、制备乙炔
- C、制备乙烯
- D、制备氧气
正确答案:B -
第17题：
制备包合物常用的包合材料是什么？包合物的制备方法有哪些？
正确答案:制备包合物常用的包合材料是环糊精及其衍生物。
包合物的制备方法有：饱和水溶液法、研磨法、超声波法、冷冻干燥法、喷雾干燥法等。 -
第18题：
问答题制备包合物常用的包合材料是什么？包合物的制备方法有哪些？正确答案： 制备包合物常用的包合材料是环糊精及其衍生物。
包合物的制备方法有：饱和水溶液法、研磨法、超声波法、冷冻干燥法、喷雾干燥法等。解析： 暂无解析 -
第19题：
问答题异质外延对衬底和外延层有什么要求？正确答案： 对于B/A型的异质外延，在衬底A上能否外延生长B，外延层B晶格能否完好，受衬底A与外延层B的兼容性影响。衬底与外延层的兼容性主要表现在三个方面：
其一，衬底A与外延层B两种材料在外延温度不发生化学反应，不发生大剂量的互溶现象。即A和B的化学特性兼容；
其二，衬底A与外延层B的热力学参数相匹配，这是指两种材料的热膨胀系数接近，以避免生长的外延层由生长温度冷却至室温时，因热膨胀产生残余应力，在B/A界面出现大量位错。当A、B两种材料的热力学参数不匹配时，甚至会发生外延层龟裂现象。
其三，衬底与外延层的晶格参数相匹配，这是指两种材料的晶体结构，晶格常数接近，以避免晶格结构及参数的不匹配引起B/A界面附近晶格缺陷多和应力大的现象。解析： 暂无解析 -
第20题：
判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第21题：
填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。正确答案： Si,Ge,GaAs,InP,（100）,（111）,SiO2,Si3N4,Al,Cu解析： 暂无解析 -
第22题：
判断题高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第23题：
填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。正确答案： 相同,同质外延,异质外延解析： 暂无解析