晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。

题目

晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。

相似考题

1.晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。A、一个B、两个C、三个D、四个

2.晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()此题为判断题(对，错)。

3.晶体管能够放大的内部条件是()。A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

4.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

参考答案和解析
正确答案:正确
更多“晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复”相关问题

  • 第1题：

    晶体管具备电流放大的内部条件是()。

    A.基区薄而其杂质浓度低

    B.基区杂质浓度高

    C.降低发射区杂质浓度

    D.加强电子在基区的复合


    参考答案：A

  • 第2题：

    对NPN三极管来说，下列说法正确的是（）。

    • A、当发射极正向偏置时，从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区；
    • B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了；
    • C、外电路不断地向发射区补充电子，以维持多数载流子的浓度差；
    • D、以上说法都错。

    正确答案:C

  • 第3题：

    晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。


    正确答案:错误

  • 第4题：

    晶体管具备电流放大的内部条件是（）。

    • A、基区薄而其杂质浓度低
    • B、基区杂质浓度高
    • C、降低发射区杂质浓度
    • D、加强电子在基区的复合

    正确答案:A

  • 第5题：

    晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。

    • A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度
    • B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度
    • C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏
    • D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏

    正确答案:A

  • 第6题：

    造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。（）

    • A、基区电导调制效应，发射区有偏压效应
    • B、基区有偏压效应，发射区电导调制效应
    • C、基区电导调制效应，基区有偏压效应
    • D、发射区有偏压效应，基区有偏压效应

    正确答案:C

  • 第7题：

    晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾，使扩散运动大大超过复合。


    正确答案:错误

  • 第8题：

    为什么三极管的基区掺杂浓度小而且做得很薄？


    正确答案:由于基区和发射区载流子是不同类型的，因此发射区的多数载流在正向电压的作用下扩散到基区后，要与基区的多数载流子复合。为使较多的载流子到达集电区，发射区扩散到基区的载流子应尽快通过基区，因而基区要做得薄一些。另外，基区的多数载流子浓度要较小，即掺杂浓度要小。

  • 第9题：

    晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。


    正确答案:正确

  • 第10题：

    填空题
    基区渡越时间是指（）。当基区宽度加倍时，基区渡越时间增大到原来的（）倍。

    正确答案： 从发射结渡越到集电结所需要的平均时间,2
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。

    正确答案： 基区中到达集电结的少子,从发射结刚注入基区的少子,复合,小于 1,远小于
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    填空题
    无源基区重掺杂的目的是（）。

    正确答案： 为了降低体电阻
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。

    • A、基区
    • B、集电区
    • C、发射区
    • D、饱和区

    正确答案:C

  • 第14题：

    NPN型三极管的基区中多数载流子是电子


    正确答案:错误

  • 第15题：

    晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.


    正确答案:两

  • 第16题：

    下列关于晶体三极管说法证确的是（）。

    • A、发射区与基区交界处的PN结为发射结
    • B、基区与集电区交界处的PN结为发射结
    • C、发射区与基区交界处的PN结为集电结
    • D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结

    正确答案:A

  • 第17题：

    叙述晶体三极管电流的传输过程（）。

    • A、发射区向基区注入载流子过程
    • B、少数载流子，在基区扩散与复合过程
    • C、集电区收集载流子的过程
    • D、基区向发射区注入载流子过程

    正确答案:A,B,C

  • 第18题：

    晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。

    • A、发射区
    • B、基区
    • C、集电区
    • D、放大区

    正确答案:A,B,C

  • 第19题：

    关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（）

    • A、基区很薄
    • B、基区掺杂浓度最高
    • C、发射区掺杂浓度最高
    • D、发射结的结面积小于集电结的结面积

    正确答案:B

  • 第20题：

    晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。


    正确答案:正确

  • 第21题：

    填空题
    基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。

    正确答案： 基区,增加,提高
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    问答题
    什么是基区宽变效应，基区宽变效应受哪些因素影响？

    正确答案： ①基区宽变效应：由于外加电压的变化使有效基区宽度发生变化的现象，又称厄利效应。②要提高厄利电压，减小基区宽变效应的影响，应增大基区宽度，使基区宽变的相对影响变小。另外如果提高基区掺杂浓度，则对于一定的Vce，集电结耗尽层变化较小，也可以减小基区宽变效应的影响，提高厄利电压。但是这两条措施均与增大电流增益的要求冲突，应该综合考虑。
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    填空题
    晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.

    正确答案： 两
    解析： 暂无解析

  • 第24题：

    填空题
    在缓变基区晶体管的基区中会产生一个（），它对少子在基区中的运动起到（）的作用，使少子的基区渡越时间（）。

    正确答案： 内建电场,加速,减小
    解析： 暂无解析

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