晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。A、一个B、两个C、三个D、四个

题目
晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。

A、一个

B、两个

C、三个

D、四个

相似考题

1.关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

2.关于BJT的结构特点，以下说法错误的是（)A．基区很薄，掺杂浓度很低B．发射区的掺杂浓度远大于集电区C．基区的掺杂浓度远大于集电区D．集电区面积大于发射区面积

3.三极管工作在放大状态 下，载流子由发射区发射，基区输运，集电区收集 三极管工作在放大状态 下，载流子由发射区发射，基区输运，集电区收集

4.位于集电区与基区之间的PN结称为()。A、基极B、发射结C、集电结D、以上选项均不正确

参考答案和解析
参考答案：B
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  • 第1题：

    NPN型和PNP型晶体管的集电区和基区间的PN结称为发射结


    不可以调换使用

  • 第2题：

    双极型晶体管的制作工艺流程中，首先制备的是 ，其次制备的是 ，最后制备的是

    A．集电区、基区、发射区

    B．基区、发射区、集电区

    C．栅区、源区、漏区

    D．基区、集电区


    集电区、基区、发射区

  • 第3题：

    1、在异质结双极型晶体管中，通常用（）。

    A．窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区

    B．宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区

    C．窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区

    D．宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区


    宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区

  • 第4题：

    晶体三极管中掺杂浓度最低的是（）。

    A．集电区

    B．基区

    C．发射区

    D．视情况而定


    C

  • 第5题：

    4、关于BJT的结构特点，以下说法错误的是（)

    A．基区很薄，掺杂浓度很低

    B．发射区的掺杂浓度远大于集电区

    C．基区的掺杂浓度远大于集电区

    D．集电区面积大于发射区面积


    基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

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