使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）A、把电桥移到磁场以外去测量B、使检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的tanØ值和电容值，取两次的平均值为tanØ值C、提高试验电压D、在被试设备上加装屏蔽罩
题目
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）
- A、把电桥移到磁场以外去测量
- B、使检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的tanØ值和电容值，取两次的平均值为tanØ值
- C、提高试验电压
- D、在被试设备上加装屏蔽罩
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第1题：
QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。
- A、0.2m
- B、0.5m
- C、1m
- D、1.5m
正确答案:B -
第2题：
使用QS1电桥测量tgδ时，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在（）。
正确答案:最小位置 -
第3题：
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）
- A、提高试验电压
- B、采用正接线方法
- C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰
- D、在被试设备上加装屏蔽罩
正确答案:A,B,C,D -
第4题：
采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。
正确答案:错误 -
第5题：
采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。
- A、低
- B、高
- C、相等
正确答案:B -
第6题：
QS1型交流电桥在使用时采用反接线方法，是使被试设备（）接地。测量时电桥上于（），试验电压受电桥绝缘水平限制，高压端对地杂散电流不易消除，抗干扰性差。
- A、两端、高电位
- B、两端、低电位
- C、一端、低电位
- D、一端、高电位
正确答案:D -
第7题：
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，当试验现场有运行的高压电气设备，尤其有漏磁通较大的电搞器、阻波器，测试将受到它们形成的磁场干扰，造成tanØ值增大或减小。
正确答案:正确 -
第8题：
QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）
- A、电场干扰
- B、温度影响
- C、被试设备局部绝缘缺陷的影响
- D、测量电压的影响
正确答案:A,B,C,D -
第9题：
介质损失角正切值tanσ的测量通常采用（）。
- A、高压交流平衡电桥
- B、晶体管兆欧表
- C、直流双臂电桥
- D、直流单臂电桥
正确答案:A -
第10题：
QS1型交流电桥测量介质损耗正切值是一项低压作业，加压时间短，操作比较简单。
正确答案:错误 -
第11题：
判断题采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。A对
B错
正确答案： 对解析： 暂无解析 -
第12题：
判断题采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。A对
B错
正确答案： 错解析： 暂无解析 -
第13题：
采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。
正确答案:正确 -
第14题：
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下，对同一被试设备，其tanØ随温度的升高而减少。
正确答案:错误 -
第15题：
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）
- A、温度影响
- B、强电场干扰
- C、测量中接线错误
- D、测量有抽取电压装置的电容式套管时，套管表面脏污
正确答案:B,C,D -
第16题：
采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。
正确答案:错误 -
第17题：
为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
正确答案: 小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数，便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小，而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
由于正接线具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。 -
第18题：
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿（相对湿度大于85%）条件下测得的tanØ值，不能反映设备的实际绝缘状况。
正确答案:正确 -
第19题：
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，设备温度不同，所测得的tanØ值不同。但可以用一个典型的温度换算系数进行tanØ的温度换算。
正确答案:错误 -
第20题：
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内，随频率的增加，tanØ值增加。当超过某一频率f0时，tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。
正确答案:正确 -
第21题：
变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。
正确答案: 被测线圈接地部位
①低压外壳、高压和中压线圈
②中压外壳、高压和低压线圈
③高压外壳、中压和低压线圈
④高压和中压外壳和低压线圈
⑤高压、中压和低压外壳 -
第22题：
使用QS1型交流电桥测量tanØ时，应尽量选择与历次试验相近温度条件下进行绝缘tanØ试验。
正确答案:正确 -
第23题：
单选题采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。A低
B高
C相等
正确答案： C解析： 暂无解析