采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。

题目

采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。

相似考题

1.QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。A对B错

2.在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

3.使用QS1电桥测量tgδ时，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在（）。

4.在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？

更多“采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，”相关问题

  • 第1题：

    使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除电场干扰的方法有以下几种（）

    • A、提高试验电压
    • B、采用正接线方法
    • C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线，排除干扰源对电源相位的干扰
    • D、在被试设备上加装屏蔽罩

    正确答案:A,B,C,D

  • 第2题：

    在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。


    正确答案:正确

  • 第3题：

    为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？


    正确答案: 小电容（小于500pF）试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时，其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
    按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳（垫绝缘）的介质损耗因数，测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉（电桥正接线测量时，接地点是电桥的屏蔽点）。为了在现场测试方便，可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数，便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷，而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小，而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大，也就对测量结果（反接线测量的综合介质损耗因数）有较大的影响。
    由于正接线具有良好的抗电场干扰，测量误差较小的特点，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。

  • 第4题：

    试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。

    • A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大
    • B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小
    • C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响
    • D、以上均不是

    正确答案:B

  • 第5题：

    试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）

    • A、试品电容量越大，影响越大
    • B、试品电容量越小，影响越小
    • C、试品电容量越小，影响越大
    • D、与试品电容量的大小无关

    正确答案:C

  • 第6题：

    用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？


    正确答案: QS1型西林电桥分流器位置由被试品电容量决定：分流器位置在0.01档时，Cx一般在3000pF以下；分流器位置在0.025档时，Cx一般在8000pF以下；分流器位置在0.06档时，Cx一般在19400pF以下，分流器在0.15档时，Cx一般在48000pF以下；分流器位置在1.25档时，Cx一般在400000pF以下。
    此被试品电容量为4000pF，则一般应选择在0.025档。

  • 第7题：

    交流QS1电桥，虽然精度较低，但具有携带（），操作简单、适合（）使用的特点。电桥本体及标准电容器CN均具有加强绝缘，能适应10kV电压下（）测量的需要，可方便地用于现场外壳（）的试品。


    正确答案:方便；现场；反接线；接地

  • 第8题：

    测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？


    正确答案: ①在使用电桥过程中，若分流电阻选择不当，很可能损坏R3的各电阻元件，②因为通过被试品的全部电流要由分流电阻和R3分别承担。

  • 第9题：

    用QS1交流电桥测量介损tgδ出现负值的主要原因是磁场干扰。


    正确答案:错误

  • 第10题：

    判断题
    现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    试品电容量约为15000pF，当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在（）档
    A

    0.01

    B

    0.025

    C

    0.06

    D

    0.15


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    判断题
    在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。


    正确答案:正确

  • 第14题：

    现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。


    正确答案:错误

  • 第15题：

    在现场使用QS1交流电桥时，根据试品的大约电容量估算R3的值，若R3的值偏大很多时，电桥趋于平衡，则故障的原因可能是连接Cx的引线断线。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    QS1型交流电桥测量时，影响tanØ测量值因素主要有（）

    • A、电场干扰
    • B、温度影响
    • C、被试设备局部绝缘缺陷的影响
    • D、测量电压的影响

    正确答案:A,B,C,D

  • 第17题：

    使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。

    • A、0.01
    • B、0.025
    • C、0.06
    • D、0.15

    正确答案:C

  • 第18题：

    测量介损tgδ和测量绝缘电阻一样，试品的表面泄漏对测量结果有一定影响，并且（）。

    • A、试品电容量较大，影响较小
    • B、试品电容量较大，影响较大
    • C、与试品电容量无关

    正确答案:A

  • 第19题：

    使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。

    • A、0.01
    • B、0.025
    • C、0.06
    • D、0.15

    正确答案:A

  • 第20题：

    变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。


    正确答案: 被测线圈接地部位
    ①低压外壳、高压和中压线圈
    ②中压外壳、高压和低压线圈
    ③高压外壳、中压和低压线圈
    ④高压和中压外壳和低压线圈
    ⑤高压、中压和低压外壳

  • 第21题：

    使用QS1电桥时，根据试品电容量估算R3的值，若R3偏大很多时，电桥才趋于平衡，试问故障原因和如何检查？


    正确答案: ①故障原因可能是R3桥臂有分流现象或CX电路内有断线现象。
    ②检查和消除方法：检查电桥CX引线有无分流或断线，检查R3桥臂电阻值是否与实际相符，若不相符，则应打开电桥检查分流器开关是否正常。

  • 第22题：

    判断题
    QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置
    A

    0.01

    B

    0.025

    C

    0.06

    D

    0.15


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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