在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

第1题：

采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时，若试品的电容量较小，测量中出现负值，一定是存在着电场干扰。

第2题：

适用QSI型西林电桥测量试品tg∮，接通或断开电源时，检流计灵敏度应在中间位置。

第3题：

现场用QS1型西林电桥测量设备绝缘的tg∮，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tg∮值均比真实的tg∮值大。

第4题：

试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。

• A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大
• B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小
• C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响
• D、以上均不是

第5题：

用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？

第6题：

用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点具体有哪些？

第7题：

用QS1型西林电桥测tgδ，消除电场干扰的方法有哪些？

第8题：

变压器采用QS1型交流电桥反接线测量线圈绕组tgδ时，对于三线圈变压器试写出被试线圈及相应的接地部位。

第9题：

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。

第14题：

在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。

第15题：

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？

第16题：

在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

第17题：

用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）

第18题：

在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。

第19题：

测量tgδ时，为何要选择QS1电桥的分流位置？

第20题：

用QS1型西林电桥测tgδ时的操作要点有哪些？

第21题：

第22题：

第23题：