某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。A、耗尽型管B、增强型管C、绝缘栅型D、无法确定

第1题：

第2题：

描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

• A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量
• B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量
• C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量
• D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量

正确答案:B

第3题：

场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。

正确答案:正确

第4题：

结型场效应管的UGS跟ID的关系，下述答案中正确的是（）

• A、UGS＝UP，ID＝0
• B、UGS＝0，ID＝0
• C、UGS＝UP，IP＝IDSS
• D、UGS＜UP，IP＝0

正确答案:A

第5题：

耗尽型场效应管在uGS=0时也会在漏、源极之间形成导电沟道。

正确答案:正确

第6题：

当u_GS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。

正确答案:耗尽；增强

第7题：

某场效应管的I_DSS为6mA，而I_DQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）

• A、P沟道耗尽型MOS管
• B、N沟道耗尽型MOS管
• C、P沟道增强型MOS管
• D、N沟道增强型MOS管

正确答案:B

第8题：

若耗尽型N沟道MOS管的ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。

正确答案:错误

第9题：

当场效应晶体管的漏极直流电流I_D从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）

• A、增大
• B、不变
• C、减小
• D、无法确定

正确答案:A

第10题：

第11题：

第12题：

第13题：

第14题：

由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。

正确答案:错误

第15题：

有n个试品并联在一起测量直流泄漏电流，测得值为I，则流过每个试品的泄漏电流必（）

• A、不大于I
• B、大于I
• C、等于I
• D、小于1／n

正确答案:A

第16题：

一个N沟道结型场效应管工作时，测得UDS=6V，ID=3mA，UGS=-1V，问此管工作在什么区域（）

• A、非饱合区
• B、饱合区
• C、击穿区
• D、高阻区

正确答案:B

第17题：

结型场效应管的工作实质是通过改变UGS来控制沟道电阻的大小，从而实现UGS和ID的控制。

正确答案:正确

第18题：

使结型场效应管I_D=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的U_GS（off）（）0，P沟道JFET的U_GS（off）（）0。

正确答案:＜；＞

第19题：

FET工作在可变电阻区时，i_D与u_GS基本上是（）关系，所以在这个区域中，FET的d、s极间可以看成一个由u_GS控制的（）。

正确答案:线性；可变电阻

第20题：

场效应晶体管的主要参数有（）

• A、开启电压
• B、低频跨导
• C、漏源击穿电压
• D、最大耗散功率
• E、最大漏极电流

正确答案:A,B,C,D,E

第21题：

第22题：

第23题：