在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。A、凸透镜B、凹透镜C、聚光镜D、平光镜

题目

在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。

  • A、凸透镜
  • B、凹透镜
  • C、聚光镜
  • D、平光镜
相似考题

1.太阳辐射量较低.散射分量较大.环境温度较高的地区宜选用()。A.单晶硅光伏组件B.多晶硅光伏组件C.薄膜光伏组件D.聚光光伏组件

2.简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。

3.简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

4.调亮度,将固定聚光镜组的螺钉拧松,将聚光组推向灯炮方向,亮度()。A.降低B.加强C.不变不清晰

参考答案和解析
正确答案:C
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  • 第1题：

    宁东光伏电站的电池组件是（）材料。

    • A、多晶硅
    • B、单晶硅
    • C、薄膜
    • D、砷化钾

    正确答案:A

  • 第2题：

    薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）所用的半导体材料中，目前使用最广泛、发展最成熟的是（）。

    • A、非晶硅
    • B、单晶硅
    • C、多晶硅

    正确答案:A

  • 第3题：

    简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。


    正确答案:1）高迁移率；
    2）容易p型和n型掺杂；
    3）自对准结构；
    4）抗光干扰能力强；
    5）抗电磁干扰能力强。

  • 第4题：

    简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。


    正确答案:组成的CMOS驱动电路的优点：
    1）利用自对准工艺，寄生电容降到最低，响应速度很快；
    2）较高的迁移率以及沟道长度的微细化，有利于进一步提高响应速度；
    3）在周边驱动的CMOS电路中，利用p-Si TFT高开态电流和高迁移率特性，不受关态泄漏电流的影响，使得p-Si TFT非常适合制作周边驱动电路；
    4）沟道长度微细化后，TFT尺寸缩小，周边驱动电路的面积缩小，非常适合高精度、高清晰的显示；
    5）在考虑漏极的耐压极限后，常规的p-Si TFT的沟道长度设计为4μm。采用LDD结构后，耐压能力提高，沟道长度可以设计到1.5～2μm。

  • 第5题：

    使用聚光式光照灯检测仪进行前照灯检测时，被检前照灯的光束经聚光镜后，反射镜将光束反射到（）

    • A、屏幕上
    • B、显示仪表
    • C、光敏二级管上
    • D、放大镜片上

    正确答案:C

  • 第6题：

    近视患者矫正视力的镜片是（）。

    • A、凸透镜
    • B、凹透镜
    • C、柱形镜
    • D、平光镜

    正确答案:A

  • 第7题：

    在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用（），然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。


    正确答案:聚光镜聚光

  • 第8题：

    异质基片上高品质叠层的多晶硅型薄膜技术有几种方法？


    正确答案: 目前广泛有：化学气相沉积法（CVD.、液相外延法（LPE.、固相结晶化法（SPC.

  • 第9题：

    太阳能光伏发电的最基本元件有（）

    • A、太阳能电池（片）
    • B、单晶硅
    • C、多晶硅
    • D、非晶硅
    • E、铜铟镓硒薄膜电池

    正确答案:A,B,C,D,E

  • 第10题：

    单选题
    在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
    A

    凸透镜

    B

    凹透镜

    C

    聚光镜

    D

    平光镜


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    单选题
    光伏电站的电池组件是（）材料。
    A

    多晶硅

    B

    单晶硅

    C

    薄膜

    D

    砷化钾


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    宁东光伏电站的电池组件是（）材料。
    A

    多晶硅

    B

    单晶硅

    C

    薄膜

    D

    砷化钾


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    目前，实现商业化批量生产的、能量转化效率最高的光伏电池类型是（）。

    • A、单晶硅太阳电池；
    • B、多晶硅太阳电池；
    • C、薄膜太阳电池；
    • D、化合物电池。

    正确答案:A

  • 第14题：

    简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。


    正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
    2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
    3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
    4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。

  • 第15题：

    简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。


    正确答案:5次光刻分别为源漏电极、有源岛、栅极、过孔、ITO像素电极。
    第一次光刻在玻璃基板上沉积一层基层薄膜，溅射源漏金属层，光刻出源漏电极及信号线。第二次光刻用PECVD方法连续沉积介质层、非晶硅层，利用高温环境去氢处理，再激光晶化转变成多晶硅薄膜。光刻出有源岛图形。第三次光刻先用PECVD方法沉积绝缘膜，相当于第二层介质层。再用溅射栅极金属层，光刻出栅极及扫描线。利用栅极掩膜遮挡离子注入形成源区和漏区。
    第四次光刻用PECVD方法沉积钝化层，相当于第三层介质层，保护TFT。光刻形成需要的孔，让下面金属曝露出来及形成相应的连接。孔有两种：第一种是需要连续刻蚀第三层介质层、第二层介质层、第一层介质层，露出源漏金属层；第二种是刻蚀第三层介质层，露出栅极金属层。
    第五次光刻形成像素电极。并且用像素电极与多晶硅的源区和漏区接触，与源漏电极相连。
    存储电容为传统结构，由栅极金属层和像素电极ITO，中间夹着第三介质层构成。

  • 第16题：

    矫正远视可采用（）。

    • A、平光镜
    • B、凸透镜
    • C、柱状凸镜
    • D、凹透镜

    正确答案:B

  • 第17题：

    下列说法错误的是（）

    • A、近视用凹透镜矫正
    • B、远视用凸透镜矫正
    • C、散光用棱镜矫正
    • D、散光用柱镜矫正

    正确答案:C

  • 第18题：

    通常情况下光电转换效率最高的是（）太阳电池。

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、薄膜
    • D、有机半导体

    正确答案:A

  • 第19题：

    下列太阳能电池中，现批量生产效率最高的是（）。

    • A、单晶硅
    • B、多晶硅
    • C、硅基薄膜电池
    • D、聚光太阳能电池

    正确答案:D

  • 第20题：

    矫正散光用（）

    • A、凸透镜
    • B、凹透镜
    • C、环曲面镜
    • D、角膜接触镜
    • E、双光镜

    正确答案:C

  • 第21题：

    光伏电站的电池组件是（）材料。

    • A、多晶硅
    • B、单晶硅
    • C、薄膜
    • D、砷化钾

    正确答案:A

  • 第22题：

    单选题
    矫正远视可采用（）。
    A

    平光镜

    B

    凸透镜

    C

    柱状凸镜

    D

    凹透镜


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    判断题
    LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖，在低温APCVD中，非保形覆盖一般比较常见。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

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