当温度升高时，本征半导体中载流子数量的变化下面说法正确的是（）A．空穴个数增加，自由电子个数基本不变B．空穴和自由电子的个数都增加，且数量相同C．自由电子个数增加，空穴个数基本不变D．自由电子和空穴个数都保持不变

第1题：

第2题：

对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）。

• A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的；
• B、它的载流子是空穴；
• C、它对外呈现正电；
• D、它的多数载流子是空穴。

正确答案:D

第3题：

关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）

• A、自由电子和空穴总是成对出现
• B、电子可以自由移动，空穴不能自由移动
• C、在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加
• D、自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和

正确答案:D

第4题：

杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

• A、变大，变小
• B、变小，变大
• C、变小，变小
• D、变大，变大

正确答案:A

第5题：

P型半导体的多子为（）、N型半导体的多子为（）、本征半导体的载流子为（）。

正确答案:空穴；自由电子；电子—空穴对

第6题：

本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。

正确答案:N；电子；P；空穴

第7题：

半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。

正确答案:自由电子；空穴；三价元素

第8题：

当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）

• A、增加
• B、减少
• C、不变

正确答案:A

第9题：

温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）

正确答案:增加；增加；基本不变

第10题：

下列物质中载流子最多的是（）。

• A、本征半导体
• B、掺杂半导体
• C、导体
• D、绝缘体

正确答案:C

第11题：

第12题：

第13题：

第14题：

本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

正确答案:空穴；五价；N；电子

第15题：

对于P型半导体来说，下列说法正确的是：（）

• A、在本征半导体中掺入微量的五价元素形成的
• B、它的载流子是空穴
• C、它对外呈现正电
• D、以上说法都错

正确答案:D

第16题：

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。

正确答案:五；自由电子；空穴；正

第17题：

本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。

正确答案:N；空穴

第18题：

在本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是（）型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）；若在本征半导体中掺入少量的五价元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

正确答案:P（空穴）型；空穴；N（电子）型；电子

第19题：

本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.

正确答案:少

第20题：

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？

正确答案:杂质半导体中的多数载流子主要是由杂质提供的，少数载流子是由本征激发产生的，由于掺杂后多数载流子与原本征激发的少数载流子的复合作用，杂质半导体中少数载流子的浓度要较本征半导体中载流子的浓度小一些。

第21题：

温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。

正确答案:错误

第22题：

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）

• A、电子载流子
• B、空穴载流子
• C、电子载流子和空穴载流子

正确答案:C

第23题：

第24题：