补偿半导体的形成描述不正确的是（)A．指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体B．n型半导体中材料中注入受主杂质原子C．p型半导体中材料中注入受主杂质原子D．补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目

题目

补偿半导体的形成描述不正确的是（)

A．指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体

B．n型半导体中材料中注入受主杂质原子

C．p型半导体中材料中注入受主杂质原子

D．补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目

相似考题

1.在纯净的半导体硅中加入少量的三价元素,形成()。A、P型半导体B、N型半导体C、绝缘体D、导体

2.下列选项有关功率半导体器件的工作特点,不正确的描述是()。A、功率半导体器件处于开关状态B、导通管压降低C、漏电流很大D、管子导通时，相当于短路

3.有关半导体探测器灵敏度的描述，不正确的是（）A、用硅晶体制成的半导体探测器比相同体积的空气电离室的灵敏度高B、在钻-60伽玛辐射场中，N型半导体探测器的灵敏度比P型半导体探测器的灵敏度受累积剂量的影响要小C、照射野的大小会影响半导体探测器的灵敏度D、环境温度会影响半导体探测器的灵敏度E、剂量率会影响半导体探测器的灵敏度

4.在纯净半导体中,掺入三价元素,就会形成()型半导体,如掺入五价元素,就会形成()型半导体。A、P,NB、N,PC、P,PD、N,N

参考答案和解析
B
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  • 第1题：

    N型半导体是指在本征半导体中加入微量五价元素所形成的半导体，那么，P型半导体是指在本征半导体中加入微量（）价元素所形成的半导体。

    • A、二
    • B、三
    • C、四
    • D、五

    正确答案:B

  • 第2题：

    在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。


    正确答案:自由电子；掺杂；自由电子；本征激发

  • 第3题：

    简述半导体的形成过程。


    正确答案:在四价的半导体硅单晶中掺入五价的杂质砷，多出一个电子，这个多余的电子能级离导带很近，比满带中的电子更易激发，这种多余电子的杂质能级称为施主能级，掺入施主杂质的半导体称为n型半导体。若在半导体硅中掺入第三主族元素，少了一个电子，相当于多了一个空穴能级，此能级距价带很近，接受由价带激发的电子，称这种杂质能级为受主能级，掺入受主杂质的半导体称为p型半导体。

  • 第4题：

    在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成（）。

    • A、P型半导体
    • B、N型半导体
    • C、异性半导体
    • D、C型半导体

    正确答案:A

  • 第5题：

    本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。


    正确答案:N；空穴

  • 第6题：

    本征半导体掺入微量的三价元素形成的是（）型半导体，其多子为（）。


    正确答案:P；空穴

  • 第7题：

    在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为（）。

    • A、本征半导体
    • B、P型半导体
    • C、N型半导体
    • D、化合物半导体

    正确答案:C

  • 第8题：

    在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（）

    • A、本征半导体
    • B、N型半导体
    • C、P型半导体
    • D、杂质半导体

    正确答案:B

  • 第9题：

    在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。（）

    • A、五价
    • B、四价
    • C、三价

    正确答案:A,C

  • 第10题：

    自然界物质按导电能力分为（）三种。纯净的半导体又称为（）半导体，用的最多的半导体是硅和锗，它们都具有晶体结构，在纯净半导体中掺入三阶元素后形成空穴P型半导体，掺入五价元素后形成电子N型半导体，半导体受（）的影响最大。


    正确答案:导体、绝缘体、半导体；本征；温度

  • 第11题：

    晶体＝极管由（）结。

    • A、三个半导体区组成，形成两个NP
    • B、三个半导体区组成，形成两个PN
    • C、二个半导体区组成，形成两个NP
    • D、二个半导体区组成，形成两个PN

    正确答案:B

  • 第12题：

    判断题
    硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
    A

    对

    B

    错


    正确答案： 对
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    N型半导体是纯净半导体加入以下（）物质后形成的半导体

    • A、电子
    • B、硼元素（三价）
    • C、锑元素（五价）

    正确答案:C

  • 第14题：

    在杂质半导体中，（）是掺入三价元素形成的。

    • A、本征半导体
    • B、PN结
    • C、N型半导体
    • D、P型半导体

    正确答案:D

  • 第15题：

    在纯净的半导体硅中加人少量的三价元素，形成（）。 

    • A、P型半导体
    • B、N型半导体
    • C、绝缘体

    正确答案:A

  • 第16题：

    在本征半导体内掺入微量的3价元素，可形成（）型杂质半导体。其中的多子是（）


    正确答案:P；空穴

  • 第17题：

    本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）；若掺入微量的三价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是（）。


    正确答案:N；电子；P；空穴

  • 第18题：

    在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。


    正确答案:P型

  • 第19题：

    半导体中的扩散运动是由于（）而形成。


    正确答案:载流子浓度的不均匀

  • 第20题：

    P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的。

    • A、电子
    • B、三价硼元素
    • C、五价磷元素

    正确答案:B

  • 第21题：

    半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。

    • A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
    • B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少
    • C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
    • D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加

    正确答案:D

  • 第22题：

    晶体三极管由（）结。

    • A、三个半导体区组成，形成两个NP
    • B、三个半导体区组成，形成两个PN
    • C、二个半导体区组成，形成两个NP
    • D、二个半导体区组成，形成两个PN

    正确答案:B

  • 第23题：

    N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。


    正确答案:错误

  • 第24题：

    填空题
    （）是半导体单晶重要电学参数之一，它反映了补偿后的杂质浓度，与半导体中的载流子浓度有直接关系。

    正确答案： 电阻率
    解析： 暂无解析

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