下列选项有关功率半导体器件的工作特点,不正确的描述是()。A、功率半导体器件处于开关状态B、导通管压降低C、漏电流很大D、管子导通时，相当于短路

题目

下列选项有关功率半导体器件的工作特点,不正确的描述是()。

A、功率半导体器件处于开关状态

B、导通管压降低

C、漏电流很大

D、管子导通时，相当于短路

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1.有关晶闸管的特点,说法错误的是()。A.晶闸管关断时，若两端所加电压是正向电压晶闸管处于截止状态B.晶闸管关断时，若正向电压加到器件上，晶闸管由截止变为导通C.晶闸管导通时，若正向电压继续加在器件上，即使撤掉外电路注入的门极电流IG，晶闸管仍然导通D.晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都会导通

2.在数据避雷器中有两种动作类型防雷器件,一种是(),比如压敏电阻,半导体稳压管等;另一种是导通型器件,比如气体管、固体管、雪崩二极管等。A.钳位型器件B.导通型器件C.线性器件

3.()是功率半导体器件的特点。A、大电流B、小电流C、大功率D、小功率

4.绝缘栅双极晶体管是一种新型复合器件,它具有的特点是()A、驱动功率小，工作频率低，通态压降小B、驱动功率小，工作频率高，通态压降大C、驱动功率小，工作频率高，通态压降小

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  • 第1题：

    逆导晶闸管是一种具有自关断能力的闸流特性功率半导体器件。()


    正确答案:错

  • 第2题：

    下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。

    A、GTR

    B、SCR

    C、IGBT

    D、GTO


    参考答案：C

  • 第3题：

    开关电源的原理中，零电压开关转换是为（）.

    • A、降低功率器件开关时的功率损耗；
    • B、降低功率器件的电压；
    • C、降低功率器件的负载；
    • D、降低功率器件的电流.

    正确答案:A

  • 第4题：

    以下哪项不是硬开关技术设计的整流器的特点。（）

    • A、功率开关器件工作在强迫关断（即电流不为零）和强迫导通（即电压不为零）方式
    • B、在开关器件的导通和截至期间，存在一定的功率损耗
    • C、硬开关技术已完全成熟，如何减少开关器件的损耗，提高整机的效率有许多有效的措施
    • D、各开关器件可实现零电压导通和截止，减少了开关损耗，提高开关频率

    正确答案:D

  • 第5题：

    万用表可用来直接测量（）、电流、电阻和检查电路通断，判断半导体器件的极性等。

    • A、电压
    • B、功率
    • C、感抗
    • D、电能

    正确答案:A

  • 第6题：

    半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）

    • A、反向偏置击穿状态
    • B、反向偏置未击穿状态
    • C、正向偏置导通状态
    • D、正向偏置未导通状态

    正确答案:A

  • 第7题：

    半导体防雷器件根据其工作原理可以分为（）两大类。

    • A、稳压（钳位）型
    • B、瞬态型
    • C、导通（击穿）型

    正确答案:A,C

  • 第8题：

    试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。


    正确答案:若流过PN结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过PN结的电流较大时，注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。

  • 第9题：

    以下哪项不是软开关技术设计的整流器的特点。（）

    • A、各开关器件可实现零电压导通和截止，减少了开关损耗，提高开关频率
    • B、工作频率可大于10MHz
    • C、按过零开关方式，可以将谐振型开关技术分为零电流开关型（ZCS）和零电压开关型（ZVS）两大类
    • D、在开关器件的导通和截至期间，存在一定的功率损耗

    正确答案:D

  • 第10题：

    问答题
    试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。

    正确答案： 若流过PN结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂N-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过PN结的电流较大时，注入并积累在低掺杂N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。
    解析： 暂无解析

  • 第11题：

    填空题
    在逆变器中功率器件工作在（），不断导通和截止，就会输出（）脉冲列。

    正确答案： 开关状态,等幅
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    多选题
    下列属于电流驱动型功率半导体器件的是（）。
    A

    GTO

    B

    GTR

    C

    功率MOSFET

    D

    IGBT


    正确答案： A,B
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    一个理想的功率半导体器件应该是在导通状态时,具有高的电流密度和低的导通压降。()


    正确答案:对

  • 第14题：

    开关式放大器中,输出级的功率器件工作在开关状态,即不是饱和导通状态就是截止状态。()

    此题为判断题(对，错)。


    参考答案：错误

  • 第15题：

    功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。


    正确答案:错误

  • 第16题：

    三极管是一种（）的半导体器件。

    • A、电压控制
    • B、电流控制
    • C、既是电压又是电流控制
    • D、功率控制

    正确答案:B

  • 第17题：

    在逆变器中功率器件工作在（），不断导通和截止，就会输出（）脉冲列。


    正确答案:开关状态；等幅

  • 第18题：

    电力半导体器件一般工作在较为理想的开关状态，其显著特点是导通时压降很低，关断时泄漏电流很小，消耗能量很少或几乎不消耗能量，具有高效率和节能的特点。


    正确答案:正确

  • 第19题：

    在数据避雷器中有两种动作类型防雷器件，一种是（），比如压敏电阻，半导体稳压管等；另一种是导通型器件，比如气体管、固体管、雪崩二极管等。

    • A、钳位型器件
    • B、导通型器件
    • C、线性器件

    正确答案:A

  • 第20题：

    导通缓冲电路，（）。

    • A、可以用于吸收器件导通时的电流过冲和di/dt
    • B、可以用于抑制器件导通时的电流过冲和di/dt
    • C、可以减小器件的关断损耗
    • D、可以减小器件的导通损耗

    正确答案:B,D

  • 第21题：

    单选题
    数字电路内部的电路三极管电路器件，一般处于（）工作状态，即数字开关状态，其输入、输出只有高、低两种电位。
    A

    截止或放大

    B

    导通或放大

    C

    截止或导通

    D

    截止


    正确答案： D
    解析： 暂无解析

  • 第22题：

    多选题
    导通缓冲电路，（）。
    A

    可以用于吸收器件导通时的电流过冲和di/dt

    B

    可以用于抑制器件导通时的电流过冲和di/dt

    C

    可以减小器件的关断损耗

    D

    可以减小器件的导通损耗


    正确答案： A,D
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    数字电路内部的电路三极管电路器件，一般处于（）工作状态，即数字开关状态，其输入、输出只有高、低两种电位。
    A

    截止或放大

    B

    导通或放大

    C

    截止或导通


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

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