更多“下列全控器件中,属于电流控制型的器件是()。 A. P-MOSFET B. GTO C. GTR D. IGBT”相关问题
  • 第1题:

    GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。


    参考答案:基极电流;电压型

  • 第2题:

    已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等


    正确答案:场效应

  • 第3题:

    下列全控型开关器件中属于电流型驱动的有()。

    • A、GTR
    • B、IGBT
    • C、MOSFET
    • D、达林顿管
    • E、GOT(GTO)

    正确答案:A,D,E

  • 第4题:

    普通晶闸管属于()。

    • A、全控型器件
    • B、半控型器件
    • C、不控型器件
    • D、电流型器件

    正确答案:B,C

  • 第5题:

    GTO是()型器件。

    • A、全控
    • B、半控

    正确答案:A

  • 第6题:

    IGBT是()型器件。

    • A、全控
    • B、半控

    正确答案:A

  • 第7题:

    IGBT是一个复合型的器件,它是()。

    • A、GTR驱动的MOSFET
    • B、MOSFET驱动的GTR
    • C、MOSFET驱动的晶闸管
    • D、MOSFET驱动的GTO

    正确答案:B

  • 第8题:

    在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。


    正确答案:电力二极管;晶闸管;GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT;电力MOSFET;电力二极管、晶闸管、GTO、GTR;IGBT;晶闸管;电力MOSFET;电力MOSFET、IGBT;晶闸管、GTO、GTR

  • 第9题:

    在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。


    正确答案:SCR;GTO、GTR、MOSFET、IGBT;SCR、GTO、GTR

  • 第10题:

    下列半导体器件中属于电流型控制器件的是()。

    • A、GTR
    • B、MOSFET
    • C、IGBT

    正确答案:A

  • 第11题:

    单选题
    GTO是()型器件。
    A

    全控

    B

    半控


    正确答案: B
    解析: 暂无解析

  • 第12题:

    问答题
    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

    正确答案: 门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件,但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大,与普通晶闸管接近,在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管,开关特性好,在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,所需驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但电流容量小,耐压低,一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点,具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场,成为中小功率系统的主导器件,并正在提高电压、电流容量,将取代GTO的地位。
    解析: 暂无解析

  • 第13题:

    下列大功率半导体器件中的()是全控型器件,但不是电流型器件。

    A、GTR

    B、SCR

    C、IGBT

    D、GTO


    参考答案:C

  • 第14题:

    GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。


    正确答案:正确

  • 第15题:

    电力电子器件是构成变频器的关键器件之一。下列电力电子器件中属于半控型器件的是()

    • A、SCR
    • B、GTR或BJT
    • C、MOSFET
    • D、IGBT

    正确答案:A

  • 第16题:

    下列全控型器件中开关速度最快的是()。

    • A、GTO
    • B、GTR
    • C、MOSFET
    • D、IGBT

    正确答案:C

  • 第17题:

    为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?


    正确答案:普通晶闸管只能通过门极控制其导通不能控制其关断,因此是半控器件。但是GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断,因此是全控器件。

  • 第18题:

    下列电力电子器件属于全控型器件的是()。

    • A、SCR
    • B、GTO
    • C、GTR
    • D、MOSFET
    • E、IGBT

    正确答案:B,C,D,E

  • 第19题:

    下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是()

    • A、GTO和SCR
    • B、GTR和电力二极管
    • C、GTR和SCR
    • D、GTO和GTR

    正确答案:D

  • 第20题:

    简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。


    正确答案:门极可关断晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件,但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。该器件电压、电流容量大,与普通晶闸管接近,在兆瓦级以上的大功率场合有较多应用。
    电力晶体管GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管,开关特性好,在中、小功率范围内广泛使用。
    场效应管MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,所需驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但电流容量小,耐压低,一般用于功率不超过10kw的系统。
    绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点,具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场,成为中小功率系统的主导器件,并正在提高电压、电流容量,将取代GTO的地位。

  • 第21题:

    门极可关断的晶闸管GTO是晶闸管的一种派生器件,属于()器件。

    • A、不可控型
    • B、半控型
    • C、全控型
    • D、以上答案全错

    正确答案:C

  • 第22题:

    下列电力电子器件中不属于全控型器件的是()。

    • A、SCR
    • B、GTO
    • C、GTR
    • D、IGBT

    正确答案:A

  • 第23题:

    问答题
    为什么普通晶闸管是半控型器件,而GTO是全控型器件?

    正确答案: 普通晶闸管只能通过门极控制其导通不能控制其关断,因此是半控器件。但是GTO可以通过门极既控制其导通又控制其关断,因此是全控器件。
    解析: 暂无解析

  • 第24题:

    填空题
    在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

    正确答案: SCR,GTO、GTR、MOSFET、IGBT,SCR、GTO、GTR
    解析: 暂无解析