通常绝缘介质的平均击穿场强随其厚度的增加而()。

题目
通常绝缘介质的平均击穿场强随其厚度的增加而()。

相似考题

1.介损损耗值与温度的关系是()。A.介质损耗随温度的上升而减小B.介质损耗随温度的上升而增加C.介质损耗随温度的下降而增加D.介质损耗与温度无关

2.介质绝缘电阻随温度升高而()金属材料的电阻随温度升高而()。

3.固体介质的击穿场强随厚度的增大而上升。()

4.下列说法正确的是()。A、在电场的作用下，由电介质组成的绝缘间隙丧失绝缘性能形成导电通道的现象称为击穿B、击穿电压是指使绝缘击穿的最高临界电压C、发生击穿时在绝缘中的最大平均电场强度叫做击穿场强D、以上说法都正确

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  • 第1题：

    电介质的tgδ值（ ）。

    A.随温度升高而下降
    B.随频率增高而增加
    C.随电压升高而下降
    D.随湿度增加而增加

    答案：B
    解析：

  • 第2题：

    固体电介质击穿电压除以电介质的厚度称为平均击穿场强。

    A对

    B错


    错
    略

  • 第3题：

    9、通常金属的电导率随温度上升而减小，电介质和半导体的电导率随温度上升而增加。


    错误

  • 第4题：

    电介质的tgδ值（）。

    A随温度升高而下降

    B随频率增高而增加

    C随电压升高而下降

    D随湿度增加而增加


    B
    略

  • 第5题：

    介质过滤效率是随介质滤层厚度的增加而提高的。


    错

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