关于SRAM的写操作周期,下列说法错误的是(50)。A.CE端为低电平B.R/W'端为高电平C.地址出现在address线上D.数据出现在data线上

题目

关于SRAM的写操作周期,下列说法错误的是(50)。

A.CE端为低电平

B.R/W'端为高电平

C.地址出现在address线上

D.数据出现在data线上


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参考答案和解析
正确答案:B
解析:SRAM的写操作周期是:①CE=0,启用该芯片,②R/W'=0,③地址出现在address线上,数据出现在data线上。
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  • 第1题:

    与非门输出为低电平时,需满足()

    A.只要有一个输入端为低电平

    B.只要有一个输入端为高电平

    C.所有输入端都是低电平

    D.所有输入端都是高电平


    D

  • 第2题:

    6、与非门的输入端加有低电平时,其输出端恒为高电平。


    错误

  • 第3题:

    有三个输入端的或门电路,要求输出端为高电平,则其输入端()。

    A.三个端均为高电平;

    B.至少一端为低电平;

    C.三个端均为低电平;

    D.至少一端为高电平。


    C

  • 第4题:

    10、芯片LCM1602的引脚E(或EN)端为使能(enable)端,由高电平变为低电平时读写操作有效。


    16个

  • 第5题:

    与非门的输入端加有低电平时,其输出端恒为高电平。


    正确