关于SRAM的写操作周期，下列说法错误的是（ ）。A.CE端为低电平 B.R/W'端为高电平 C.地址出现在address线上 D.数据出现在data线上

题目
关于SRAM的写操作周期，下列说法错误的是（ ）。

A.CE端为低电平
B.R/W'端为高电平
C.地址出现在address线上
D.数据出现在data线上
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1.关于EDRAM(增强动态随机存取存储器)芯片的说法中,错误的是()。A.在DRAM芯片上集成了一个SRAM实现的小容量高速缓冲存储器，从而使DRAM芯片的性能得到显著改进B.芯片内的数据输出路径与输入路径没有分开C.在SRAM读出期间可同时对DRAM阵列进行刷新D.芯片内的数据输出路径与输入路径是分开的，允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作

2.下列存储器中，存储周期最短的是A．硬盘存储器B．CD-ROMC．DRAMD．SRAM

3.关于SRAM的写操作周期，下列说法错误的是(50)。A．CE端为低电平B．R/W'端为高电平C．地址出现在address线上D．数据出现在data线上

4.关于总线周期的叙述正确的是()A、CPU完成一次读/写操作所需的时间为一个总线周期B、不同类型的CPU总线周期所含的T周期数可能不同C、总线周期可能要插入Tw周期D、总线周期就是指令周期

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  • 第1题：

    关于网络操作系统提供的打印服务，下列说法错误的是（ ）


    正确答案：C
    略

  • 第2题：

    下列存储器中，存取周期最短的是______。

    A．硬盘存储器

    B．CD-ROM

    C．DRAM

    D．SRAM


    正确答案：D
    解析：SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM(Dy-namic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能。

  • 第3题：

    关于Cache的更新策略，下列说法正确的是()。

    A.读操作时，全写法和写回法在命中时应用
    B.写操作时，写回法和按写分配法在命中时应用
    C.读操作时，全写法和按写分配法在失效时应用
    D.写操作时，按写分配法、不按写分配法在失效时应用

    答案：D
    解析：
    在写主存的同时把该块调入Cache的方法称为写分配法，其通常和写回法配合使用。而写主存时不将该块调入Cache则称为不按写分配，其通常与全写法配合使用。这两种方法都是在不命中Cache的情况下使用的，而写回法和全写法是在命中Cache的情况下使用的。

  • 第4题：

    关于元素周期表，下列说法错误的是（）。

    • A、7个周期中的元素数是相同的
    • B、所有的周期都是完全的
    • C、表中有长周期

    正确答案:A,B

  • 第5题：

    关于ARM Cortex-M处理器的特点，以下说法错误的是（）。

    • A、功能强
    • B、耗电少
    • C、RISC结构
    • D、多周期操作

    正确答案:D

  • 第6题：

    以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对（）

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第7题：

    下列关于基线风险评估的特点说法不正确的是（）

    • A、经济有效
    • B、准确细致
    • C、周期较短
    • D、操作简单

    正确答案:B

  • 第8题：

    以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（）

    • A、DRAM将每个位存储为对一个电容的充电
    • B、SRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感
    • C、SRAM主要用于高速缓存
    • D、SRAM具有双稳态特性

    正确答案:B

  • 第9题：

    以下关于SRAM和DRAM的区别描述中，（）是不对的。

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRAM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第10题：

    关于SRAM和DRAM，下面说法正确的是（）。

    • A、SRAM需要定时刷新，否则数据会丢失
    • B、DRAM使用内部电容来保存信息
    • C、SRAM的集成度高于DRAM
    • D、只要不掉点，DRAM内的数据不会丢失

    正确答案:B

  • 第11题：

    单选题
    下列有关Flash存储器的描述，不正确的是（）
    A

    Flash存储器属于非易失的存储器

    B

    Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同

    C

    Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同

    D

    Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息


    正确答案： B
    解析： 暂无解析

  • 第12题：

    单选题
    关于固态硬盘（SSD）下列说法错误的是（）
    A

    SSD是基于闪存的存储技术

    B

    顺序读和写性能相当，顺序读比顺序写稍微快一点

    C

    随机写很慢

    D

    SSD不易磨损


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

  • 第13题：

    以下关于SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）的说法中，正确的是（ ）。

    A.SRAM的内容是不变的，DRAM的内容是动态变化的B.DRAM断电时内容会丢失，SRAM 的内容断电后仍能保持记忆C.SRAM的内容是只读的，DRAM的内容是可读可写的D.SRAM和DRAM都是可读可写的，但DRAM的内容需要定期刷新


    正确答案：D

  • 第14题：

    下列关于SRAM的叙述，正确的是

    A.SRAM是一种随机存储器

    B.SRAM是一种易失性存储器，断电则丢失存储信息

    C.SRAM需要刷新操作，不定时刷新，数据会丢失

    D.SRAM速度快，通常用来制作高速缓存

    E.SRAM芯片与CPU连接时要注意时序匹配


    正确答案：ABDE

  • 第15题：

    下列关于横道图特点的说法，错误的是( )。

    A:计划直观、简单
    B:容易操作
    C:便于理解
    D:不易操作

    答案：D
    解析：

  • 第16题：

    以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（）

    • A、DRAM具有双稳态特性
    • B、SRAM将每个位存储为对一个电容的充电
    • C、DRAM主要用于主存，帧缓冲区
    • D、SRAM对干扰非常敏感

    正确答案:C

  • 第17题：

    以下哪项关于SRAM和DRAM的区别是不对的。（）

    • A、SRAM比DRAM慢
    • B、SRAM比DRAM耗电多
    • C、DRAM存储密度比SRAM高得多
    • D、DRM需要周期性刷新

    正确答案:A

  • 第18题：

    关于菰，下列说法错误的是（）。

    • A、植株高度较高
    • B、生长周期较短
    • C、生长于水中
    • D、花朵较大

    正确答案:B

  • 第19题：

    下列哪一项不是CDRAM的优点（）

    • A、采用猝发式读取
    • B、在SRAM读出期间，可同时对DRAM阵列进行刷新
    • C、允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作
    • D、读写操作与系统时钟同步，有利于提高系统的工作效率

    正确答案:D

  • 第20题：

    关于固态硬盘（SSD）下列说法错误的是（）

    • A、SSD是基于闪存的存储技术
    • B、顺序读和写性能相当，顺序读比顺序写稍微快一点
    • C、随机写很慢
    • D、SSD不易磨损

    正确答案:D

  • 第21题：

    下列关于RAM的说法中，错误的是（）

    • A、DRAM芯片电路简单，集成度高，工耗小，成本低
    • B、SRAM芯片电路复杂，集成度低，工耗大，成本高
    • C、DRAM工作速度快，适合用作Cache
    • D、无论是DRAM还是SRAM，当关机或断电时，其中的信息都将随之丢失

    正确答案:C

  • 第22题：

    单选题
    下列哪一项不是CDRAM的优点（）
    A

    采用猝发式读取

    B

    在SRAM读出期间，可同时对DRAM阵列进行刷新

    C

    允许在写操作完成的同时来启动同一行的读操作

    D

    读写操作与系统时钟同步，有利于提高系统的工作效率


    正确答案： A
    解析： 暂无解析

  • 第23题：

    单选题
    关于ARM Cortex-M处理器的特点，以下说法错误的是（）。
    A

    功能强

    B

    耗电少

    C

    RISC结构

    D

    多周期操作


    正确答案： C
    解析： 暂无解析

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