金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
题目
金属基底冠除气的方法是
A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
B．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
C．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min
D．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
E．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
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第1题：
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6～8℃
C、低于体瓷烧结温度10～20℃
D、高于体瓷烧结温度6～8℃
E、高于体瓷烧结温度10～20℃
参考答案：B
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第2题：
金属烤瓷材料与金屑的匹配形式中错误的是
A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数
B、为获得烤瓷与金属的良好结合，可在烤瓷中加入氧化锡
C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点
D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥
E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素畔占主要地位
参考答案：D
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第3题：
关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，正确的是A.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm
B.贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mm
C.机械性的结合力起最大的作用
D.贵金属合金上瓷前需预氧化
E.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度答案：D解析： -
第4题：
金属烤瓷材料与金属的匹配形式中错误的是A、烤瓷的热胀系数均稍小于金属的热胀系数
B、为获得烤瓷与金属的良好结合，可在烤瓷中加入氧化锡
C、烤瓷材料的烧结温度应低于金属的熔点
D、烤瓷与金属的结合界面必须保持干燥
E、热胀系数在金瓷匹配的影响因素中占主要地位
参考答案：D
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第5题：
除气、氧化的方法是
A.低于体瓷烧结温度6～8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
参考答案：D