用釉粉上釉的烧结温度是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第1题:
除气、氧化的目的是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第2题:
上釉的烧结温度是
A.低于体瓷温度5℃
B.低于体瓷温度10℃
C.低于体瓷温度20℃
D.高于体瓷温度5℃
E.高于体瓷温度10℃
第3题:
除气、氧化的方法是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
第4题:
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6~8℃
C、低于体瓷烧结温度10~20℃
D、高于体瓷烧结温度6~8℃
E、高于体瓷烧结温度10~20℃
第5题:
金属基底冠除气的方法是
A.低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
B.低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
C.高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3min
D.高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3min
E.高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min