若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20～30℃B、高10～20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10～20℃

题目

若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度

A、高20～30℃

B、高10～20℃

C、高10℃以内

D、低10℃以内

E、低10～20℃

相似考题

1.上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

2.用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

3.PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃

4.若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

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  • 第1题：

    上釉的烧结温度是

    A．低于体瓷温度5℃

    B．低于体瓷温度10℃

    C．低于体瓷温度20℃

    D．高于体瓷温度5℃

    E．高于体瓷温度10℃


    正确答案：B
    B

  • 第2题：

    引物的退火温度与解链温度(Tm)的关系通常是( )。

    A、退火温度比Tm高5℃～10℃

    B、退火温度比Tm低5℃～10℃

    C、退火温度比Tm低10℃～15℃

    D、退火温度比Tm高15℃～20℃

    E、退火温度比Tm低15℃～20℃


    参考答案：B

  • 第3题：

    在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是

    A．31～40℃

    B．21～30℃

    C．10℃以内

    D．11～20℃

    E．5℃


    正确答案：C

  • 第4题：

    PFM烧结过程,下列说法正确的有

    A、正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡

    B、烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃

    C、烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外

    D、烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊

    E、烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温


    参考答案：ABDE

  • 第5题：

    某技师采用二次法烧结遮色层，第一层烧结与第二层烧结之间温度的关系是

    A．第一层与第二层烧结温度一致

    B．第一层烧结温度比第二层低30～50℃

    C．第一层烧结温度比第二层低10～20℃

    D．第一层烧结温度比第二层高10～20℃

    E．第一层烧结温度比第二层高30～50℃


    正确答案：D

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